Вышедшие номера
Слабое проявление эффекта поля в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-xTiO3
Белорусов Д.А.1, Гольдман Е.И.1, Чучева Г.В.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.mssi.ru
Поступила в редакцию: 29 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2021 г.
Принята к печати: 3 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2021 г.

Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Pt и Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля - происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si. Отмечено, что резкое снижение за счет пассивации активности поверхностных ловушек позволит реализовать транзисторы на базе структур металл-BST-Si с работающим поверхностным каналом неосновных носителей заряда и обеспечит построение высококачественных ячеек энергонезависимой памяти FeRAM. Ключевые слова: металл-диэлектрик-полупроводник-структуры, металл-диэлектрик-металл-структуры, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотный импеданс.
  1. V.R. Mudinepalli, L. Feng, W.-C. Lin, B.S. Murty. J. Adv. Ceram. 4, 46 (2015)
  2. К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / Под ред. А.С. Сигова. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
  3. H. Kawano, K. Morii, Y. Nakayama. J. Appl. Phys. 73, 10, 5141 (1993)
  4. S. Ezhilvalavan, T.Y. Tseung. Rev. Mater. Chem. Phys. 65, 227 (2000)
  5. J.Y. Park, K. Yang, D.H. Lee, S.H. Kim, Y. Lee, P.R. Sekhar Reddy, J.L. Jones, M.H. Park. J. Appl. Phys. 128, 24, 240904 1-24 (2020); doi: 10.1063/5.0035542
  6. E.I. Goldman, G.V. Chucheva, D.A. Belorusov. Ceram. Int. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.04.129
  7. М.С. Иванов, М.С. Афанасьев. ФТТ 51, 7, 1259 (2009)
  8. Д.А. Киселев, М.С. Афанасьев, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТТ 57, 6, 1134 (2015)
  9. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 6, 110 (1997)
  10. S.M. Sze, Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. Willey Interscience publication (2007)
  11. В.А. Гриценко. УФН 52, 9, 869 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.