Вышедшие номера
Слабое проявление эффекта поля в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-xTiO3
Белорусов Д.А.1, Гольдман Е.И.1, Чучева Г.В.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.mssi.ru
Поступила в редакцию: 29 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2021 г.
Принята к печати: 3 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2021 г.

Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Pt и Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля - происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si. Отмечено, что резкое снижение за счет пассивации активности поверхностных ловушек позволит реализовать транзисторы на базе структур металл-BST-Si с работающим поверхностным каналом неосновных носителей заряда и обеспечит построение высококачественных ячеек энергонезависимой памяти FeRAM. Ключевые слова: металл-диэлектрик-полупроводник-структуры, металл-диэлектрик-металл-структуры, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотный импеданс.