Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Слабое проявление эффекта поля в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-xTiO3
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.13.53971.154 
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия 
Email: gvc@ms.ire.mssi.ru
Поступила в редакцию: 29 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2021 г.
Принята к печати: 3 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2021 г.
Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Pt и Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля - происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si. Отмечено, что резкое снижение за счет пассивации активности поверхностных ловушек позволит реализовать транзисторы на базе структур металл-BST-Si с работающим поверхностным каналом неосновных носителей заряда и обеспечит построение высококачественных ячеек энергонезависимой памяти FeRAM. Ключевые слова: металл-диэлектрик-полупроводник-структуры, металл-диэлектрик-металл-структуры, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотный импеданс.
- V.R. Mudinepalli, L. Feng, W.-C. Lin, B.S. Murty. J. Adv. Ceram. 4, 46 (2015)
- К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / Под ред. А.С. Сигова. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
- H. Kawano, K. Morii, Y. Nakayama. J. Appl. Phys. 73, 10, 5141 (1993)
- S. Ezhilvalavan, T.Y. Tseung. Rev. Mater. Chem. Phys. 65, 227 (2000)
- J.Y. Park, K. Yang, D.H. Lee, S.H. Kim, Y. Lee, P.R. Sekhar Reddy, J.L. Jones, M.H. Park. J. Appl. Phys. 128, 24, 240904 1-24 (2020); doi: 10.1063/5.0035542
- E.I. Goldman, G.V. Chucheva, D.A. Belorusov. Ceram. Int. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.04.129
- М.С. Иванов, М.С. Афанасьев. ФТТ 51, 7, 1259 (2009)
- Д.А. Киселев, М.С. Афанасьев, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТТ 57, 6, 1134 (2015)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 6, 110 (1997)
- S.M. Sze, Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. Willey Interscience publication (2007)
- В.А. Гриценко. УФН 52, 9, 869 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
