Вышедшие номера
Исследование распределения релаксаторов в тонких слоях аморфного MoTe2
Кастро Арата Р.А.1, Хачатуров С.Е.1, Кононов А.А.1, Анисимова Н.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 8 июля 2021 г.
Принята к печати: 15 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2021 г.

В последнее время дихалькогениды переходных металлов оказались в центре внимания после того, как было обнаружено, что в пределе монослоя они становятся прямозонными полупроводниками. В работе представлены результаты исследования распределения релаксаторов в слоях аморфного дителлурида молибдена, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления. По полученным значениям релаксационных параметров α и β, можно констатировать переход от несимметричного распределения к симметричному распределению релаксаторов по временам релаксации при температуре T=283 K. Обнаружено существование максимумов на температурной зависимости времен релаксации taumax=f(T), которое может быть связанно с фазовыми переходами в системе. Ключевые слова: дителлурид молибдена, распределение релаксаторов, тонкие слои, фазовые переходы.
  1. R.A. Castro, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova. J. Non-Crystall. Solids 352, 9-20, 1560 (2006)
  2. V.A. Bordovskii, R.A. Kastro, G.I. Grabko, T.V. Taturevich. Glass Phys. Chem. 32, 2, 178 (2006)
  3. R.A. Castro, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, G.I. Grabko. Semiconductors 43, 3, 365 (2009)
  4. K. Kremer, A. Schonhals A. Broadband dielectric spectroscopy. Springer, Berlin Heidelberg (2003). 729 p
  5. K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett. 105, 13, 136805 (2012)
  6. X. Xu, W. Yao, D. Xiao, T.F. Heinz. Nature Phys. 10, 5, 343 (2014)
  7. K.F. Mak, K. He, J. Shan, T.F. Heinz. Nature Nanotechnology 7, 8, 494 (2012)
  8. W. Chen, R. Liang, J. Wang, S. Zhang, J. Xu. Sci. Bull. 63, 15, 997 (2018)
  9. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis. Nature Nanotechnology 6, 3, 147 (2011)
  10. B. Radisavljevic, M.B. Whitwick, A. Kis. ACS Nano 5, 12, 9934 (2011)
  11. N.A. Nikonorova, M.Y. Balakina, O.D. Fominykh, A.V. Sharipova, T.A. Vakhonina, G.N. Nazmieva, R.A. Castro, A.V. Yakimansky. Mater. Chem. Phys. 181, 217 (2016)
  12. R.A. Castro, A.I. Ignatiev, N.V. Nikonorov, A.I. Sidorov, M.V. Stolyarchuk. J. Non-Crystalline Solids 461, 72 (2017)
  13. R.A. Castro, N.I. Anisimova, A.A. Kononov. Semiconductors 52, 8, 1043 (2018)
  14. S. Havriliak, S. Negami. Polymer 8, 161 (1967)
  15. J.C. Giuntini, J.V. Zanchetta, D. Jullien, R. Eholie, P. Houenou. J. Non-Crystalline Solids 45, 57 (1981)
  16. H.P. Hughes, R.H. Friend. J. Physics C 11, 3, L103 (1978)
  17. R. Clarke, R.E. Morley. J. Appl. Crystallography 9, 6, 481 (1976)
  18. A.M. Glazer. J. Appl. Crystallography 5, 6, 420 (1972)
  19. S. Dissanayake, C. Duan, J. Yang, J. Liu, M. Matsuda, C. Yue, J.A. Schneeloch, J.C.Y. Teo, D. Louca. npj Quantum Mater. 4, 1, 45 (2019)
  20. J. Yang, J. Colen, J. Liu, M.C. Nguyen, G.W. Chern, D. Louca. Sci. Adv. 3, 12, 4949 (2017)
  21. L.A. Dissado, R.M. Hill. J. Appl. Phys. 66, 6, 2511 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.