Исследование распределения релаксаторов в тонких слоях аморфного MoTe2
Кастро Арата Р.А.1, Хачатуров С.Е.1, Кононов А.А.1, Анисимова Н.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 8 июля 2021 г.
Принята к печати: 15 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2021 г.
В последнее время дихалькогениды переходных металлов оказались в центре внимания после того, как было обнаружено, что в пределе монослоя они становятся прямозонными полупроводниками. В работе представлены результаты исследования распределения релаксаторов в слоях аморфного дителлурида молибдена, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления. По полученным значениям релаксационных параметров α и β, можно констатировать переход от несимметричного распределения к симметричному распределению релаксаторов по временам релаксации при температуре T=283 K. Обнаружено существование максимумов на температурной зависимости времен релаксации taumax=f(T), которое может быть связанно с фазовыми переходами в системе. Ключевые слова: дителлурид молибдена, распределение релаксаторов, тонкие слои, фазовые переходы.
- R.A. Castro, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova. J. Non-Crystall. Solids 352, 9-20, 1560 (2006)
- V.A. Bordovskii, R.A. Kastro, G.I. Grabko, T.V. Taturevich. Glass Phys. Chem. 32, 2, 178 (2006)
- R.A. Castro, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, G.I. Grabko. Semiconductors 43, 3, 365 (2009)
- K. Kremer, A. Schonhals A. Broadband dielectric spectroscopy. Springer, Berlin Heidelberg (2003). 729 p
- K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett. 105, 13, 136805 (2012)
- X. Xu, W. Yao, D. Xiao, T.F. Heinz. Nature Phys. 10, 5, 343 (2014)
- K.F. Mak, K. He, J. Shan, T.F. Heinz. Nature Nanotechnology 7, 8, 494 (2012)
- W. Chen, R. Liang, J. Wang, S. Zhang, J. Xu. Sci. Bull. 63, 15, 997 (2018)
- B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis. Nature Nanotechnology 6, 3, 147 (2011)
- B. Radisavljevic, M.B. Whitwick, A. Kis. ACS Nano 5, 12, 9934 (2011)
- N.A. Nikonorova, M.Y. Balakina, O.D. Fominykh, A.V. Sharipova, T.A. Vakhonina, G.N. Nazmieva, R.A. Castro, A.V. Yakimansky. Mater. Chem. Phys. 181, 217 (2016)
- R.A. Castro, A.I. Ignatiev, N.V. Nikonorov, A.I. Sidorov, M.V. Stolyarchuk. J. Non-Crystalline Solids 461, 72 (2017)
- R.A. Castro, N.I. Anisimova, A.A. Kononov. Semiconductors 52, 8, 1043 (2018)
- S. Havriliak, S. Negami. Polymer 8, 161 (1967)
- J.C. Giuntini, J.V. Zanchetta, D. Jullien, R. Eholie, P. Houenou. J. Non-Crystalline Solids 45, 57 (1981)
- H.P. Hughes, R.H. Friend. J. Physics C 11, 3, L103 (1978)
- R. Clarke, R.E. Morley. J. Appl. Crystallography 9, 6, 481 (1976)
- A.M. Glazer. J. Appl. Crystallography 5, 6, 420 (1972)
- S. Dissanayake, C. Duan, J. Yang, J. Liu, M. Matsuda, C. Yue, J.A. Schneeloch, J.C.Y. Teo, D. Louca. npj Quantum Mater. 4, 1, 45 (2019)
- J. Yang, J. Colen, J. Liu, M.C. Nguyen, G.W. Chern, D. Louca. Sci. Adv. 3, 12, 4949 (2017)
- L.A. Dissado, R.M. Hill. J. Appl. Phys. 66, 6, 2511 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.