Вышедшие номера
Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена
Министерство образования Республики Беларусь, Государственной научной программы Республики Беларусь "Физическое материаловедение, новые материалы и технологии" (Физматтех)., 1.20
Министерство образования Республики Беларусь, Государственная программа научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии» , 1.4
Slovak Academy of Sciences, National Scholarship Programme of the Slovak Republic
Кривошеева А.В. 1,2, Шапошников В.Л. 1, v Stich I.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Center for Computational Material Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia
Email: krivosheeva@bsuir.by, shaposhnikov@bsuir.by, Ivan.Stich@savba.sk
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 13 мая 2021 г.
Принята к печати: 13 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

С помощью методов теоретического моделирования проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала - фосфорена - и определены возможности изменения величины и характера его межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Установлено, что в зависимости от величины и направления воздействия напряжений материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником. Показана возможность применения фосфорена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда. Ключевые слова: фосфорен, монослой, зонная структура, ширина запрещенной зоны, деформация, напряжения.
  1. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science 306, 666 (2004)
  2. K.S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T.J. Booth, V.V. Khotkevich, S.V. Morozov, A.K. Geim. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 102, 10451 (2005)
  3. L. Li, Y. Yu, G.J. Ye, Q. Ge, X. Ou, H. Wu, D. Feng, X.H. Chen, Y. Zhang. Nature Nanotechnology 9, 372 (2014)
  4. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis. Nature Nanotechnology 6, 147 (2011)
  5. J.N. Coleman et al. Science 331, 568 (2011)
  6. G. Eda, H. Yamaguchi, D. Voiry, T. Fujita, M. Chen, M. Chhowalla. Nano Lett. 11, 5111 (2011)
  7. T. Korn, S. Heydrich, M. Hirmer, J. Schmutzler, C. Schuller. Appl. Phys. Lett. 99, 102109 (2011)
  8. B. Radisavljevic, M.B. Whitwick, A. Kis. ACS Nano 5, 9934 (2011)
  9. Z. Yin et al. ACS Nano 6, 74 (2012)
  10. E. Scalise, M. Houssa, G. Pourtois, V. Afanas'ev, A. Stesmans. Nano Res. 5, 43 (2012)
  11. A. Jain, A.J.H. McGaughey. Sci. Rep. 5, 8501 (2015)
  12. Y. Takao, H. Asahina, A. Morita. J. Phys. Soc. Jpn. 105, 3362 (1981)
  13. A. Tariq, S. Nazir, A.W. Arshad, F. Nawaz, K. Ayub, J. Iqbal. RSC Adv. 9, 24325 (2019)
  14. A.V. Krivosheeva, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, J.-L. Lazzari, N.V. Skorodumova, B.K. Tay. Int. J. Nanotechnol. 12, 8/9, 654 (2015)
  15. V.L. Shaposhnikov, A.V. Krivosheeva, V.E. Borisenko. Phys. Status Solidi B 256, 1800355 (2019)
  16. A.V. Krivosheeva, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, J.-L. Lazzari. J. Mater Sci. 55, 23, 9695 (2020)
  17. W.S. Yun, S.W. Han, S.C. Hong, I.G. Kim, J.D. Lee. Phys. Rev. B 85, 033305 (2012)
  18. P. Lu, X. Wu, W. Guo, X.C. Zeng. Phys. Chem. Chem. Phys. 14, 13035 (2012)
  19. H. Pan, Y.-W. Zhang. J. Phys. Chem. C 116, 11752 (2012)
  20. Q. Yue, J. Kang, Z. Shao, X. Zhang, S. Chang, G. Wang, S. Qin, J. Li. Phys. Lett. A 376, 1166 (2012)
  21. T. Li. Phys. Rev. B 85, 235407 (2012)
  22. H. Shi, H. Pan, Y.-W. Zhang, B.I. Yakobson. Phys. Rev. B 87, 155304 (2013)
  23. P. Tao, H. Guo, T. Yang, Z. Zhang. J. Appl. Phys. 115, 5, 054305 (2014)
  24. A. Chaves et al. npj 2D Mater. Appl. 4, 29, 1 (2020)
  25. R. Roldan, A. Castellanos-Gomez, E. Cappelluti, F. Guinea. J. Phys.: Condens. Matter. 27, 313201 (2015)
  26. H.Y. Lv, W.J. Lu, D.F. Shao, Y.P. Sun. Phys. Rev. B 90, 085433 (2014)
  27. A. Castellanos-Gomez. J. Phys. Chem. Lett. 6, 21, 4280 (2015)
  28. J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 18, 3865 (1996)
  29. G. Kresse, J. Furthmuller. Phys. Rev. B 54, 11169 (1996)
  30. H. Liu, A.T. Neal, Z. Zhu, D. Tomanek, P.D. Ye. ACS Nano 8, 4033 (2014)
  31. L.C.L.Y. Voon, A. Lopez-Bezanilla, J. Wang, Y. Zhang, M. Willatzen. New J. Phys. 17, 025004 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.