Дефекты межслоевой поверхности и термоэлектрические свойства в слоистых пленках топологических изоляторов n-Bi2Te2.7Se0.15S0.15
Russian Foundation for Basic Research (RFBR) , Competition for the best projects of fundamental scientific research for 2020, code: a, 20-08-00464
Лукьянова Л.Н.
1, Усов О.А.
1, Волков М.П.
1, Макаренко И.В.
1, Русаков В.А.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru, oleg.usov@mail.ioffe.ru, m.volkov@mail.ioffe.ru, igor.makarenko@mail.ioffe.ru, sevarus@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 13 мая 2021 г.
Принята к печати: 13 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.
В слоистых пленках топологических изоляторов n-Bi2Te2.7Se0.15S0.15, оптимизированных для температур ниже комнатной, исследованы морфология межслоевой поверхности (0001) и термоэлектрические свойства. На профилях поверхности (0001) идентифицированы нейтральные примесные дефекты, возникающие при замещениях атомов Te на атомы Se и S и донорные антиструктурные дефекты теллура на местах висмута, которые влияют на термоэлектрические свойства. Среднее значение термоэлектрической эффективности в пленках n-Bi2Te2.7Se0.15S0.15 возрастает до < Z>~ 3.0·10-3 K-1 в интервале 80-215 K, в то время как в объемном твердом растворе < Z>~ 2.0·10-3 K-1. Рост термоэлектрической эффективности в пленках связан с усилением энергетической зависимости времени релаксации вследствие роста эффективного параметра рассеяния reff. Показано, что в пленках коэффициент Зеебека, эффективная масса плотности состояний m/m0 и параметр материала, пропорциональный фактору мощности, возрастают, а решеточная kappaL и электронная теплопроводность kappae уменьшаются, что определяет повышение термоэлектрической эффективности. Ключевые слова: твердые растворы на основе теллурида висмута, пленки, топологический изолятор, дефекты, термоэлектрические свойства.
- D.M. Rowe. Thermoelectric harvesting of low-temperature heat. In: Modules, Systems, and Applications in Thermoelectrics / Ed. D.M. Rowe. CRC Press, Boca Raton, FL (2012) P. 23-1
- M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010)
- С.И. Веденеев. УФН 187, 4, 411 (2017)
- N. Xu, Y. Xu, J. Zhu. npj Quant. Mater. 2, 51 (2017)
- G. Jiang, J. Yi, L. Miao, P. Tang, H. Huang, C. Zhao, S. Wen. Sci. Rep. 8, 2355 (2018)
- L. Zhang, J. Liu, J. Li, Z. Wang, Y. Wang, Y. Ge, W. Dong, Xu, H. Zhang, W. Zhang. Laser Photon. Rev. 14, 4, 1900409 (2020)
- W. Han, Y. Otani, S. Maekawa. npj Quantum Mater. 3, 27 (2018)
- R. Sun, S. Yang, X. Yang, E. Vetter, D. Sun, N. Li, L. Su, Yan Li, Yang Li, Z. Gong, Z. Xie, K. Hou, Q. Gul, W. He, X. Zhang, Z. Cheng. Nano Lett. 19, 4420 (2019)
- R.V. Gorbachev, A.K. Geim, M.I. Katsnelson, K.S. Novoselov, T. Tudorovskiy, I.V. Grigorieva, A.H. Mac Donald, S.V. Morozov, K. Watanabe, T. Taniguchi, L.A. Ponomarenko. Nature Phys. 8, 896 (2012)
- Y. Hou, R. Wang, R. Xiao, L. McClintock, H.C. Travaglini, J.P. Francia, H. Fetsch, O. Erten, S.Y. Savrasov, B. Wang, A. Rossi, I. Vishik, E. Rotenberg, D. Yu. Nature Comms. 10, 5723 (2019)
- J. Heremans, R. Cava, N. Samarth. Nature Rev. Mater. 2, 17049 (2017)
- Liu T.-H., Zhou J., Li M. et al. Proc. Natl. Acad. Sci. 115, 879 (2018)
- D. Baldomir, D. Failde. Sci. Rep. 9, 6324 (2019)
- D.Y.H. Ho, I. Yudhistira, B.Y.-K. Hu. Comms. Phys. 1, 9, 41 (2018)
- J. Hu, A.F. Rigosi, D.B. Newell, Y.P. Chen. Phys. Rev. B 102, 235304 (2020)
- M.M. Fogler, L.V. Butov, K.S. Novoselov. Nature Comms. 5, 4555 (2014)
- Y. Chen, Y. Huang, W. Lou, Y. Cai, K. Chang. Phys. Rev. B 102, 165413 (2020)
- B. Seradjeh, J.E. Moore, M. Franz. Phys. Rev. Lett. 103, 066402 (2009)
- K. Wu, L. Rademaker, J. Zaanen. Phys. Rev. Appl. 2, 054013 (2014)
- I.V. Korobeinikov, N.V. Morozova, L.N. Lukyanova, O.A. Usov, V.A. Kulbachinskii, V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov. J. Phys. D 51, 025501 (2018)
- И.В. Коробейников, Н.В. Морозова, Л.Н. Лукьянова, О.А. Усов, С.В. Овсянников. ФТП 53, 741 (2019)
- M.K. Jacobsen, R.S. Kumar, A.L. Cornelius, S.V. Sinogeiken, M.F. Nico. J. Phys.: Conf. Ser. 73, 9, 1154 (2012)
- M. Zhang, X. Wang, A. Rahman, Q. Zeng, D. Huang, R. Dai, Z. Wang, Z. Zhang. Appl. Phys. Lett. 112, 041907 (2018)
- Л.Н. Лукьянова, А.Ю. Бибик, В.А. Асеев, О.А. Усов, И.В. Макаренко, В.Н. Петров, Н.В. Никоноров. ФТП 51, 6 (2017)
- L.N. Lukyanova, I.V. Makarenko, O.A. Usov. J. Phys.: Condens. Matter 32, 465701 (2020)
- S. Jia, H. Beidenkopf, I. Drozdov, M.K. Fuccillo, J. Seo, J. Xiong, N.P. Ong, A. Yazdani. Phys. Rev. B 86, 165119 (2012)
- H. Beidenkopf, P. Roushan, J. Seo, L. Gorman, I. Drozdov, Y.S. Hor, R.J. Cava, A. Yazdani. Nature Phys. 7, 939 (2011)
- T. Zhu, L. Hu, X. Zhao, J. He. Adv. Sci. 3, 7, 1600004 (2016)
- A.M. Netsou, D.A. Muzychenko, H. Dausy, T. Chen, F. Song, K. Schouteden, M.J. Van Bael, C. Van Haesendonck. ACS Nano 14, 10, 13172 (2020)
- A. Hashibon, C. Elsasser. Phys. Rev. B 84, 144117 (2011)
- H. Nam, Y. Xu, I. Miotkowski, J. Tian, Y.P. Chen, C. Liu, C.K. Shih. J. Phys. Chem. Solids 128, 251 (2019)
- D. Bessas, I. Sergueev, H.-C. Wille, J. Person, D. Ebling, R.P. Hermann. Phys. Rev. B 86, 224301 (2012)
- J.C. Slater. J. Chem. Phys. 41, 3199 (1964)
- Z. Ren, A.A.Taskin, S. Sasaki, K. Segawa, Y. Ando. Phys. Rev. B. 84, 165311 (2011)
- A.A. Taskin, Z. Ren, S. Sasaki, K. Segawa, Y. Ando. Phys. Rev. Lett. 107, 016801 (2011)
- Y. Ando. J. Phys. Soc. Jpn. 82, 102001 (2013)
- L.N. Lukyanova, Yu.A. Boikov, Danilov, O.A. Usov, M.P. Volkov, V.A. Kutasov. Semicond. Sci. Technol. 30, 015011 (2015)
- P. Wei, J. Yang, L. Guo, S. Wang, L. Wu, X. Xu, W. Zhao, Q. Zhang, W. Zhang, M.S. Dresselhaus, J. Yang. Adv. Funct. Mater. 26, 29, 5360 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.