Оценка характеристик однофотонного детектора в зависимости от параметров сверхпроводящей пленки WxSi1-x
Хыдырова С.Ю.
1, Степанов И.А.
1, Васильев Д.Д.
1, Моисеев К.М.
11Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
Email: hydyrova.selbi@ya.ru, i.a.st@mail.ru, d.d.vasiliev@bmstu.ru, k.moiseev@bmstu.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.
Проведен расчет эффективности поглощения, пороговой длины волны и длительности импульса напряжения сверхпроводникового однофотонного детектора в зависимости от поверхностного сопротивления Rs и критической температуры Tc пленки WxSi1-x. Рассчитанные зависимости характеристик детектора для пленок WxSi1-x показывают, что пленки с Tc>3.5 K и 300<Rs<420 Ω/sq обеспечат etaabs~15...20%, etaIDE=100% при длине волны излучения 1550 nm и длительность импульса напряжения детектора tau<40 ns, что соответствует возможной скорости счета детектора CRmax=25 MHz. Ключевые слова: однофотонный детектор на сверхпроводящей нанопроволоке (SNSPD), эффективность детектора, скорость счета детектора, тонкая пленка WxS(i-x), поверхностное сопротивление, критическая температура, сверхпроводимость, чувствительный элемент.
- О.В. Минаева, О.В. Окунев, Г.М. Чулкова. Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN. Прометей, М. (2013). 144 с. ISBN: 978-5-7042-2475-4
- F. Marsili, V.B. Verma, J.A. Stern, S. Harrington, A.E. Lita, T. Gerrits, I. Vayshenker, B. Baek, M.D. Shaw, R.P. Mirin, S.W. Nam. Nature Photonics 7, 3, 210 (2013). DOI: 10.1038/nphoton.2013.13
- A. Semenov, B. Gunther, U. Bottger, H.-W. Hubers, H. Bartolf, A. Engel, A. Schilling, K. Ilin, M. Siegel, R. Schneider, D. Gerthsen, N.A. Gippius. Phys. Rev. B 80, 5, 054510 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.80.054510
- А.А. Корнеев, Однофотонные детекторы видимого и инфракрасного диапазонов из тонких сверхпроводящих пленок NbN и α-MoSi. Докт. дис. МПГУ, М. (2015).
- A. Korneev, A. Semenov, D. Vodolazov, G.N. Gol'tsman, R. Sobolewski. In: Superconductors at the Nanoscale: From Basic Research to Applications / Ed. R. Wordenweber, V. Moshchalkov, S. Bending, F. Tafuri. Walter de Gruyter GmbH, Berlin--Boston (2017). 283 p
- D.Y. Vodolazov. Phys. Rev. Appl. 7, 3, 034014 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.7.034014
- М. Тинкхам. Введение в сверхпроводимость. М.: Атомиздат (1979). [M. Tinkham. Introduction to Superconductivity. 2nd ed. McGraw-Hill, Inc., N.Y. (1996) P. 63]
- В.Е. Белонучкин, Д.А. Заикин, Ю.М. Ципенюк. Основы физики: квантовая и статистическая физика. Термодинамика/ Под ред. Ю.М. Ципенюка. Физматлит, М.( 2007). 608 с. ISBN 978-5-9221-0754-9
- S. Ferrari, C. Schuck, W. Pernice. Nanophotonics 7, 11, 59 (2018). DOI: 10.1515/nanoph-2018-0059
- A.J. Kerman, E.A. Dauler, W.E. Keicher, J.K. Yang, K.K. Berggren, G. Gol'tsman, B. Voronov. Appl. Phys. Lett. 88, 11, 111116 (2006). DOI: 10.1063/1.2183810
- E.E. Wollman, V.B. Verma, A.E. Lita, W.H. Farr, M.D. Shaw, R.P. Mirin, S.W. Nam. Opt. Express 27, 24, 35279 (2019). DOI: 10.1364/OE.27.035279
- D. Li, R. Jiao. Photon. Res. 7, 8, 847-852 (2019). DOI: 10.1364/PRJ.7.000847
- A.M. Kadin. Introduction to superconducting circuits. Wiley-Interscience, N.Y. (1999). P. 32
- X. Zhang, A. Engel, Q. Wang, A. Schilling, A. Semenov, M. Sidorova, H.W. Huebers, I. Charaev. K. Ilin, M. Siegel. Phys. Rev. B 94, 17, 174509 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevB.94.174509
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.