Вышедшие номера
Изготовление сверхпроводниковых туннельных структур с использованием электронно-лучевой литографии
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 19-19-00618
Фоминский М.Ю. 1, Филиппенко Л.В. 1, Чекушкин А.М. 1, Кошелец В.П. 1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: nanolith@yandex.ru, lyudmila@hitech.cplire.ru, chekushkin@hitech.cplire.ru, valery@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.

Разработана и оптимизирована технология изготовления субмикронных переходов Nb-AlN-NbN с использованием электронно-лучевой литографии. Были проведены исследования по подбору дозы экспонирования, времени проявления и параметров плазмохимического травления для получения максимального значения параметра качества туннельных переходов R_j/Rn. Использование негативного резиста ma-N 2400 с меньшей чувствительностью и лучшим контрастом в сравнении с резистом UVN 2300-0.5 позволило улучшить воспроизводимость процесса изготовления структур. Это позволило изготовить туннельные переходы Nb-AlN-NbN с высокой плотностью тока и параметром качества R_j/R_n>15 субмикронных размеров (площадь от 2.0 до 0.2 μm2). Экспериментально измерен разброс параметров туннельных структур субмикронных размеров по подложке, и воспроизводимость процесса изготовления структур от цикла к циклу. Ключевые слова: электронно-лучевая литография, негативный электронный резист, плазмохимическое травление, магнетронное напыление, сверхпроводниковые туннельные структуры.