Вышедшие номера
Изготовление сверхпроводниковых туннельных структур с использованием электронно-лучевой литографии
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 19-19-00618
Фоминский М.Ю. 1, Филиппенко Л.В. 1, Чекушкин А.М. 1, Кошелец В.П. 1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: nanolith@yandex.ru, lyudmila@hitech.cplire.ru, chekushkin@hitech.cplire.ru, valery@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.

Разработана и оптимизирована технология изготовления субмикронных переходов Nb-AlN-NbN с использованием электронно-лучевой литографии. Были проведены исследования по подбору дозы экспонирования, времени проявления и параметров плазмохимического травления для получения максимального значения параметра качества туннельных переходов R_j/Rn. Использование негативного резиста ma-N 2400 с меньшей чувствительностью и лучшим контрастом в сравнении с резистом UVN 2300-0.5 позволило улучшить воспроизводимость процесса изготовления структур. Это позволило изготовить туннельные переходы Nb-AlN-NbN с высокой плотностью тока и параметром качества R_j/R_n>15 субмикронных размеров (площадь от 2.0 до 0.2 μm2). Экспериментально измерен разброс параметров туннельных структур субмикронных размеров по подложке, и воспроизводимость процесса изготовления структур от цикла к циклу. Ключевые слова: электронно-лучевая литография, негативный электронный резист, плазмохимическое травление, магнетронное напыление, сверхпроводниковые туннельные структуры.
  1. Brian D. Jackson, Gert de Lange, Tony Zijlstra, Matthias Kroug, Jacob W. Kooi, Jeffrey A. Stern, Teun M. Klapwijk. IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 54, 2, 547 (2006)
  2. A. Karpov, D. Miller, F. Rice, J.A. Stern, B. Bumble, H.G. LeDuc, J. Zmuidzinas. IEEE Trans. Appl. Supercond. 17, 2, 343 (2007)
  3. К.И. Рудаков, П.Н. Дмитриев, А.М. Барышев, А.В. Худченко, В.П. Кошелец. Изв. вузов. Радиофизика LIX, 08--09, 793 (2016)
  4. M.Yu. Torgashin, V.P. Koshelets, P.N. Dmitriev, A.B. Ermakov, L.V. Filippenko, P.A. Yagoubov. IEEE Trans. Appl. Supercond. 17, 2, 379 (2007)
  5. P.N. Dmitriev, I.L. Lapitskaya, L.V. Filippenko, A.B. Ermakov, S.V. Shitov, G.V. Prokopenko, S.A. Kovtonyuk, V.P. Koshelets. IEEE Trans. Appl. Supercond. 13, 2, 107 (2003)
  6. B. Bumble, H.G. LeDuc, J.A. Stern, K.G. Megerian. IEEE Trans. Appl. Supercond. 11, 1, 76 (2001)
  7. X. Meng, T. Van Duzer. IEEE Trans. Appl. Supercond. 13, 2, 91 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.