Вышедшие номера
Магнитные и магнитооптические свойства ферромагнитного полупроводника GaN:Cr
Орлов А.Ф.1, Балагуров Л.А.1, Кулеманов И.В.2, Перов Н.С.3, Ганьшина Е.А.3, Семисалова А.С.3, Рубачева А.Д.3, Зиненко В.И.4, Агафонов Ю.А.4, Сарайкин В.В.5
1Государственный научно-исследовательский институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ", Москва, Россия
2Московский государственный институт стали и сплавов, Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
5Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
Email: semisalova@magn.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

В диапазоне температур 50-400 K исследованы магнитные и магнитооптические свойства слоев GaN, имплантированных хромом. В полученном материале наблюдалось высокое значение намагниченности насыщения 25 G. Спектры экваториального магнитооптического эффекта Керра выявили сильный магнитооптический отклик в диапазоне энергий менее 3.0 eV, обусловленный новыми спин-поляризованными состояниями в запрещенной зоне GaN при допировании Cr. Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 10-02-00804, 09-02-00309-a). А.С. Семисалова благодарит Министерство образования РФ (грант 14.740.12.0851).
  1. I. vZutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004)
  2. M.H. Kryder, C.S. Kim. IEEE Trans. Magn. 45, 3406 (2009)
  3. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, H. Hori. J. Cryst. Growth, 237, 1358 (2002)
  4. H. Hori, S. Sonoda, T. Sasaki, Y. Yamamoto, S. Shimizu, K.-I. Suga, K. Kindo. Physica B 324, 142 (2002)
  5. H.X. Liu, S.Y. Wu, R.K. Singh, L. Gu, D.J. Smith, N. Newman, N.R. Dilley, L. Montes, M.B. Simmonds. Appl. Phys. Lett. 85, 4076 (2004)
  6. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Science 287, 1019 (2000)
  7. G.P. Das, B.K. Rao, P. Jena. arXiv:cond-mat/0208258 (2002)
  8. K. Sato, H. Katayama--Yoshida. Jpn. J. Appl. Phys. 40, L485 (2001)
  9. S.E. Park, H.-J. Lee, Y.C. Cho, S.-Y. Jeong, C.R. Cho, S. Cho. Appl. Phys. Lett. 80, 4187 (2002)
  10. H. Asahi, Y.-K. Zhou, M. Hashimoto, M. Kanamura, R. Asano. J. Korean Phys. Society 42, S499 (2003)
  11. H. Asahi, Y.-K. Zhou, M. Hashimoto, M.S. Kim, X.J. Li, S. Emura, S. Hasegawa. J. Phys.: Cond. Matter. 16, S5555 (2004)
  12. R.K. Singh, S.Y. Wu, H.X. Liu, L. Gu, D.J. Smith, N. Newman. Appl. Phys. Lett. 86, 012 504 (2005)
  13. P.R. Davies, B.P. Gila, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, S.J. Stanton. Appl. Phys. Lett. 96, 212 502 (2010)
  14. R. Wang, A.J. Steckl, N. Nepal, J.M. Zavada. J. Appl. Phys. 107, 013 901 (2010)
  15. L. Yu, Z. Wang, M. Guo, D. Liu, Y. Dai, B. Huang. Chem. Phys. Lett. 487, 251 (2010)
  16. M. Hashimoto, Y.K. Zhou, M. Kanamura, H. Katayama-Yoshida, H. Asahi. J. Cryst. Growth 251, 327 (2003).
  17. J.E. Medvedeva, A.J. Freeman, X.Y. Cui, C. Stampfl, N. Newman. Phys. Rev. Lett. 94, 146 602 (2005)
  18. G.T. Thaler, M.E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, J.S. Lee, S.Y. Lee, Y.D. Park, Z.G. Khim, J. Kim, F. Ren. Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002)
  19. S. Sonoda, I. Tanaka, H. Ikeno, T. Yamamoto, F. Oba, T. Araki, Y. Yamamoto, K. Suga, Y. Nanishi, Y. Akasaka, K. Kindo, H. Hori. arXiv:cond-mat/0511435 (2005)
  20. J.-H. Lee, I.-H. Choi, S. Shin, S. Lee, J. Lee, C. Whang, S.-C. Lee, K.-R. Lee, J.-H. Baek, K.H. Chae, J. Song. Appl. Phys. Lett. 90, 032 504 (2007)
  21. R.-T. Huang, C.-F. Hsu, J.-J. Kai, F.-R. Chen, T.-S. Chin. Appl. Phys. Lett. 87, 202 507 (2005)
  22. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, N.V. Pashkova, A.A. Shlensky, S.J. Pearton, M.E. Overberg, C.R. Abernathy, J.M. Zavada, R.G. Wilson. J. Appl. Phys. 93, 5388 (2003)
  23. L.-F. Zhu, B.-G. Liu. J. Phys. Cond. Matter. 21, 446 005 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.