Вышедшие номера
Исследование фотофизических свойств нанокомпозита HgI2@mSiO2
RFBR , 20-03-00656
Старухин А.Н.1, Нельсон Д.К.1, Курдюков Д.А.1, Еуров Д.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.starukhin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 5 апреля 2021 г.
Принята к печати: 11 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 мая 2021 г.

Исследованы люминесцентные свойства композита, состоящего из мезопористого кремнезема и сформированных в нанопорах кремнезема наночастиц дийодида ртути. Формирование наночастиц осуществлялось путем испарения раствора HgI2, введенного в нанопоры SiO2. Установлено, что фотолюминесценция композита HgI2@mSiO2 обусловлена свечением дийодида ртути, при этом спектр свечения существенно смещен в сторону более коротких длин волн по отношению к спектру свечения объемных кристаллов HgI2. Сдвиг спектра излучения HgI2 в коротковолновую сторону объяснен квантово-размерными эффектами в электронном спектре наночастиц HgI2 в составе композита, а значительная ширина спектра - его неоднородным уширением, обусловленным зависимостью ширины запрещенной зоны наноточек от их размера d. Оценена форма функции распределения наноточек HgI2 по размерам и показано, что она характеризуется достаточно узким максимумом при dM=2.2 nm, что составляет ~2/3 диаметра нанопор в матрице SiO2 (~ 3 nm). Ключевые слова: люминесценция, дийодид ртути, наноточки, мезопористый кремнезем.
  1. Y. Lu, J.H. Warner. ACS Appl. Electron. Mater. 2, 1777 (2020)
  2. Electrons and phonons in layered crystal structures (Physics and chemistry of materials with layered structures.) / Eds T.J. Wieting, M. Schluter. D. Reidel Publishing Company, Dordrecht, Holland (1979). V. 3. 474 p
  3. M. Sharon, M. Sharon. Graphene: An Introduction to the Fundamentals and Industrial Applications. Scrivener Publishing, Wiley (2015). 320 p
  4. R. Ganatra, Q. Zhang. ACS Nano 8, 4074 (2014)
  5. K.-C. Chiu, X.-Q. Zhang, X. Liu, V.M. Menon, Y.-F. Chen, J.-M. Wu, Y.-H. Lee. IEEE J. Quantum Electron. 51, 1 (2015)
  6. G. Eda, H. Yamaguchi, D. Voiry, T. Fujita, M. Chen, M. Chhowalla. Nano Lett. 11, 5111 (2011)
  7. G.W. Mudd, S.A. Svatek, T. Ren, A. Patane, O. Makarovsky, L. Eaves, P.H. Beton, Z.D. Kovalyuk, G.V. Lashkarev, Z.R. Kudrynskyi, A.I. Dmitriev. Adv. Mater. 25, 40, 5714 (2013)
  8. T. Mueller, E. Malic. npj 2D Mater. Appl. 2, 29 (2018)
  9. Photoelectrochemistry and photovoltaics of layered semiconductors / Ed. A. Aruchamy. Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, the Netherlands (1992). 360 p
  10. И.Х. Акопян, О.Н. Волкова, Б.В. Новиков, Б.И. Вензель. ФТТ 39, 468 (1997)
  11. J.F. Condeles, R.S. Silva, A.C. Silva, N.O. Dantas. J. Appl. Phys. 116, 064303 (2014)
  12. D. Gopalakrishnan, D. Damien, B. Li, H. Gullappalli, V.K. Pillai, P.M. Ajayan, M.M. Shaijumon. Chem. Commun. 51, 6293 (2015)
  13. X. Wang, Q. Wu, K. Jiang, C. Wang, C. Zhang. Sensors and Actuators B 252, 183 (2017)
  14. Semiconductors for Room Temperature Nuclear Detector Applications Semiconductors and Semimetals/ Eds T.E. Schlesinger, R.B. James (1995). V. 43
  15. G. Xu, J.Y. Li, R.H. Nan, W.L. Zhou, Z. Gu, L. Zhang, X.M. Ma, X.P. Cao. J. Opt. Adv. Mater. 18, 842 (2016)
  16. Д.А. Курдюков, Д.А. Еуров, Е.Ю. Стовпяга, Д.А. Кириленко, С.В. Коняхин, А.В. Швидченко, В.Г. Голубев. ФТТ 58, 2454 (2016)
  17. Б.В. Новиков, М.М. Пимоненко. ФТП 4, 2077, (1970)
  18. A. Burger, D. Nason. J. Appl. Phys. 71, 2717 (1992)
  19. C.C. Chester, J. Coleman. Phys. Chem. Solids 32, 223 (1971)
  20. J. Takeda, T. Goto, M. Matsuoka. J. Phys. Soc. Jpn 57, 3248 (1988)
  21. Y. Kayanuma. Phys. Rev. B 38, 9797 (1988)
  22. P.D. Bloch, J.W. Hodby, C. Schwab, D.W. Stacey. J. Phys. C 11, 2579 (1978)
  23. Y.-C. Chang, R.B. James. Phys. Rev. B 46, 15040 (1992)
  24. M.R. Rao, D. Roayn, J.K.D. Verma. J. Phys. D 18, 517 (1985)
  25. R. Liu, D. Wu, S. Liu, K. Koynov, W. Knoll, Q. Li. Angew. Chem. Int. Ed. 48, 4598 (2009)
  26. C.M. Donega, R. Koole. J. Phys. Chem. C 113, 6511, (2009)
  27. A.F. van Driel, G. Allan, C. Delerue, P. Lodahl, W.L. Vos, D. Vanmaekelbergh. Phys. Rev. Lett. 95, 236804 (2005)
  28. G.P. Murphy, X. Zhang, A.L. Bradley. J. Phys. Chem. C 120, 26490 (2016)
  29. M. Sieskind. J. de Phys. 39, 899 (1978).
  30. X. Акопян, Б.В. Бондаренко, Б.А. Казеннов, Б.В. Новиков. ФТТ 29, 419, (1987)
  31. В.М. Залетин, И.Н. Ножкина, В.И. Фомин, Н.В. Шустов, Н.И. Протасов. Атомная энергия 48, 169 (1980)
  32. D.A. Kurdyukov, D.A. Eurov, M.K. Rabchinskii, A.V. Shvidchenko, M.V. Baidakova, D.A. Kirilenko, S.V. Koniakhin, V.V. Shnitov, V.V. Sokolov, P.N. Brunkov, A.T. Dideikin, Y.M. Sgibnev, L.Y. Mironov, D.A. Smirnov, A.Y. Vul', V.G. Golubev. Nanoscale 10, 13223 (2018)
  33. С.И. Покутний. ФТП 41, 1341 (2007)
  34. N. Nishiguchi, K. Yoh. Jpn J. Appl. Phys. 36, 3928 (1997)
  35. Z.K. Tang, Y. Nozue, T. Goto. J. Phys. Soc. Jpn 61, 2943 (1992).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.