Методами ИК-спектроскопии поглощения в области валентных колебаний OH^--групп, фотолюминесценции в видимой области спектра, фотоиндуцированного рассеяния света исследованы особенности дефектной структуры и их влияние на свойства кристаллов LiNbO₃:Zn, легированных в широком концентрационном диапазоне, включающем два концентрационных порога (при ~3.0 и ~6.8 mol.% ZnO в расплаве). В кристаллах LiNbO₃:Zn (0.004-2.01 mol.% ZnO) при увеличении концентрации цинка наблюдается увеличение концентрации гидроксильных групп и уменьшение интенсивности люминесценции от центров свечения, связанных с дефектами Nb_Li. Последнее, по-видимому, связано с образованием вблизи дна зоны проводимости мелких энергетических уровней при вытеснении атомами цинка атомов ниобия с позиций лития идеальной структуры и, соответственно, уменьшением концентрации дефектов Nb_Li. В сильнолегированных кристаллах LiNbO₃:Zn(4.46-6.5 mol.% ZnO) и в кристалле LiNbO_3stoich(6.0 wt.% K₂O) наблюдается заметно меньшая концентрация OH^--групп, увеличение ширины запрещенной зоны на 0.3-0.4 eV, увеличение интенсивности люминесценции в зеленой области спектра за счет образования новых каналов рекомбинации по сравнению со слаболегированными кристаллами. Кроме того, в таких кристаллах наблюдается увеличение протонной проводимости за счет увеличения концентрации межузельного водорода H⁺ и, как следствие, образования множества мелких акцепторных уровней вблизи потолка валентной зоны. Ключевые слова: ниобат лития, прямое легирование, валентные колебания OH^--групп, центры свечения, фотовольтаическое и диффузионное поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.