Вышедшие номера
Инфракрасное фотоотражение полупроводниковых материалов A3B5 ( О б з о р )
Комков О.С. 1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: okomkov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 15 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 3 апреля 2021 г.
Принята к печати: 4 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 мая 2021 г.

Фотоотражение - бесконтактная разновидность модуляционной оптической спектроскопии - применяется для исследования особенностей зонной структуры монокристаллических полупроводников, их уровня легирования, состава твердых растворов, приповерхностных и интерфейсных изгибов энергетических зон. На примере GaAs высокого качества продемонстрированы возможности описания формы спектральных линий фотоотражения в рамках одноэлектронной и экситонной моделей. В спектрах сверхчистых образцов этого материала обнаружена хорошо описываемая экситонными эффектами осциллирующая структура. Для твердых растворов A3B5 проведен обзор полученных методом фотоотражения результатов по влиянию состава и температуры на ширину запрещенной зоны и спин-орбитальное расщепление. Рассмотрен вопрос определения положения уровня Ферми (пиннинга) на поверхности кристаллов A3B5. Подробно описан развиваемый в настоящее время метод измерения фотоотражения в среднем инфракрасном диапазоне - фотомодуляционная фурье-спектроскопия отражения. Показано, что определяющую роль при подобных измерениях играет коррекция фазы. Приводятся оригинальные результаты, демонстрирующие возможности этого метода в широком диапазоне длин волн. Ключевые слова: фотоотражение, A3B5, фурье-спектроскопия, узкозонные полупроводники, осцилляции Франца-Келдыша, модуляционная спектроскопия.
  1. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Физматлит, М. (2002). 560 с. [P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of semiconductors. Springer, Berlin (2010). 778 p.]
  2. O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook. Springer-Verlag, Berlin. (2004)
  3. M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J.P. Alexis, R.-L. Aulombard. J. Appl. Phys. 80, 9, 5352 (1996)
  4. J. Nukeaw, J. Yanagisawa, N. Matsubara, Y. Fujiwara, Y. Takeda. Appl. Phys. Lett. 70, 1, 84 (1997)
  5. J.S. Hwang, C.C. Chang, M.F. Chen, C.C. Chen, K.I. Lin, F.C. Tang, M. Hong, J. Kwo. J. Appl. Phys. 94, 1, 348 (2003)
  6. О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Ю.В. Жиляев, Л.М. Фёдоров. ПЖТФ 34, 1, 81 (2008)
  7. X. Yin, H.M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall. J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1, 131 (1992)
  8. W.C. Hwang, Y.J. Cheng, Y.C. Wang, J.S. Hwang. J. Vac. Sci. Technol. B 18, 4, 1967 (2000)
  9. O.J. Glembocki, B.V. Shanabrook, N. Bottka, W.T. Beard, J. Comas. Appl. Phys. Lett. 46, 10, 970 (1985)
  10. M. Cardona. Modulation spectroscopy of semiconductors. Adv. Solid State Physics / Ed. O. Madelung. Springer, Berlin (1970). V. 10. P. 125--173
  11. D.E. Aspnes. Modulation spectroscopy/electric field effects on the dielectric function of semiconductors. Handbook of Semiconductors / Ed. M. Balkanski. North-Holland, Amsterdam (1980). V. 2. P. 109--154
  12. F.H. Pollak, H. Shen. Mater. Sci. Eng. R 10, 7-8, 275 (1993)
  13. J. Misiewicz, P. Sitarek, G. Sek, R. Kudrawiec. Mater. Sci. 21, 3, 263 (2003)
  14. М. Кардона. Модуляционная спектроскопия / Пер. с англ. под ред. А.А. Каплянского. Мир, М. (1972). 416 с
  15. В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках. Наук. думка, Киев (1980). 304 с
  16. F.H. Pollak. Modulation spectroscopy of semiconductors and semiconductor microstructures. Handbook of Semiconductors / Ed. M. Balkanski. Elsevier Science B.V., Amsterdam (1994). V. 2. P. 527--635
  17. B.E. Zendejas-Leal, Y.L. Casallas-Moreno, C.M. Yee-Rendon, G.I. Gonzalez-Pedreros, J. Santoyo-Salazar, J.R. Aguilar-Hernandez, C. Vazquez-Lopez, S. Gallardo-Hernandez, J. Huerta-Ruelas, M. Lopez-Lopez. J. Appl. Phys. 128, 12, 125706 (2020)
  18. M.Yu. Chernov, V.A. Solov'ev, O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.D. Andreev, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov. J. Appl. Phys. 58, 12, 050923 (2020)
  19. В.А. Вагин, М.А. Гершун, Г.Н. Жижин, К.И. Тарасов. Светосильные спектральные приборы / Под ред. К.И. Тарасова. Наука, М. (1988). 264 с
  20. А.И. Ефимова, В.Б. Зайцев, Н.Ю. Болдырев, П.К. Кашкаров. Оптика: инфракрасная фурье-спектрометрия. Юрайт, М. (2018). 143 с
  21. А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров. ФТП 27, 7, 1139 (1993)
  22. Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ЖТФ 75, 10, 66 (2005)
  23. R.E. Nahory, J.L. Shay. Phys. Rev. Lett. 21, 23, 1569 (1968)
  24. J.L. Shay. Phys. Rev. B 2, 4, 803 (1970)
  25. T. Kanata, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa, T. Nishino. Pros. SPIE 1286, 56 (1990)
  26. T. Kanata, H. Suzawa, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa, H. Kato, T. Nishino. Phys. Rev. B 41, 5, 2936 (1990)
  27. D.E. Aspnes. Surf. Sci. 37, 418 (1973)
  28. О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Ю.В. Жиляев. Изв. вузов. Материалы электронной техники 1, 45 (2011). [O.S. Komkov, A.N. Pikhtin, Yu.V. Zhilyaev. Rus. Microelectron. 41, 8, 508 (2012).]
  29. Yu.V. Zhilyaev, N.K. Poletaev, V.M. Botnaryuk, T.A. Orlova, L.M. Fedorov, Sh.A. Yusupova, A. Owens, M. Bavdaz, A. Peacock, B. Omeara, H. Heleva. Phys. Status Solidi C 0, 3, 1024 (2003)
  30. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B 7, 10, 4605 (1973)
  31. P.J. Hughes, B.L. Weiss, T.J.C. Hosea. J. Appl. Phys. 77, 12, 6472 (1995)
  32. T.J.C. Hosea. Phys. Status Solidi B 189, 2, 531 (1995)
  33. Л.П. Авакянц. Оптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия. Докт. дис. физ.-мат. наук МГУ им. Ломоносова (2010)
  34. O.S. Komkov, G.F. Glinskii, A.N. Pikhtin, Y.K. Ramgolam. Phys. Status Solidi A 206, 5, 842 (2009)
  35. В.А. Киселёв, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во СПбГУ, СПб (2003). С. 110
  36. Э.Г. Скайтис, В.И. Сугаков. Лит. физ. сб. 14, 2, 297 (1974)
  37. D.F. Blossey. Phys. Rev. B 2, 10, 3976 (1970)
  38. D.F. Blossey. Phys. Rev. B 3, 4, 1382 (1971)
  39. Г.Ф. Глинский, З. Койнов. ТМФ 70, 3, 358 (1987)
  40. X. Yin, H.M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett. 58, 3, 260 (1991)
  41. Р. Кузьменко, А. Ганжа, Э.П. Домашевская, В. Кирхер, Ш. Хильдебрандт. ФТП 34, 9, 1086 (2000)
  42. J.D. Dow, B.Y. Lao, S.A. Newman. Phys. Rev. B 3, 8, 2571 (1971)
  43. F.C. Weinstein, J.D. Dow, B.Y. Lao. Phys. Rev. B 4, 10, 3502 (1971)
  44. H. Shen, F.H. Pollak. Phys. Rev. B 42, 11, 7097 (1990)
  45. О.С. Комков, А.А. Моез, Ю.В. Жиляев, А.Н. Пихтин. Изв. ЛЭТИ N 15. Сер. ФТТиЭ. 2, 48 (2005)
  46. S.V. Sorokin, P.S. Avdienko, I.V. Sedova, D.A. Kirilenko, V.Yu. Davydov, O.S. Komkov, D.D. Firsov, S.V. Ivanov. Materials 13, 16, 3447 (2020)
  47. О.С. Комков, С.А. Хахулин, Д.Д. Фирсов, П.С. Авдиенко, И.В. Седова, С.В. Сорокин. ФТП 54, 10, 1011 (2020)
  48. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Д.Н. Третьяков, В.М. Тучкевич. ФТП 1, 10, 1579 (1967)
  49. H. Rupprecht, J.M. Woodall, G.D. Pettit. Appl. Phys. Lett. 11, 3, 81 (1967)
  50. D. Huang, G. Ji, U.K. Reddy, H. Morkoc, F. Xiong, T.A. Tombrello. J. Appl. Phys. 63, 11, 5447 (1988)
  51. М.В. Коняев. Исследование гетеропереходов и квантово-размерных структур методом фотоотражения. Канд. дис. физ.-мат. наук. СПбГЭТУ, СПб (1995)
  52. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, А.А. Воднев. ПЖТФ 12, 18, 1089 (1986)
  53. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys. 89, 11, 5815 (2001)
  54. M. Sydor, J. Angelo, J.J. Wilson, W.C. Mitchel, M.Y. Yen. Phys. Rev. B 40, 12, 8473 (1989)
  55. G. Oelgart, R. Schwaber, M. Heider, B. Jacobs. Semicond. Sci. Technol. 2, 7, 468 (1987)
  56. P. Sitarek, J. Misiewicz, E. Veje. Proc. SPIE 3725, 205 (1999)
  57. M. El Allali, C.B. Sorensen, E. Veje, P. Tidemand-Petersson. Phys. Rev. B 48, 7, 4398 (1993)
  58. H. Shen, M. Dutta, L. Fotiadis, P.G. Newman, R.P. Moerkirk, W.H. Chang, R.N. Sacks. Appl. Phys. Lett. 57, 20, 2118 (1990)
  59. C. Van Hoof, K. Deneffe, J. De Boeck, D.J. Arent, G. Borghs. Appl. Phys. Lett. 54, 7, 608 (1989)
  60. I.S. Han, J.S. Kim, S.K. Noh, S.J. Lee. J. Kor. Phys. Soc. 76, 1096 (2020)
  61. H. Shen, S.H. Pan, Z. Hang, J. Leng, F.H. Pollak, J.M. Woodall, R.N. Sacks. Appl. Phys. Lett. 53, 12, 1080 (1988)
  62. Y.P. Varshni. Physica 34, 1, 149 (1967)
  63. Z. Hang, D. Yan, F.H. Pollak, G.D. Pettit, J.M. Woodall. Phys. Rev. B 44, 19, 10546 (1991)
  64. D.K. Gaskill, N. Bottka, L. Aina, M. Mattingly. Appl. Phys. Lett. 56, 13, 1269 (1990)
  65. Y. Ishitani, H. Hamada, Sh. Minagawa, H. Yaguchi, Y. Shiraki. Jpn. J. Appl. Phys. 36, 11R, 6607 (1997)
  66. R. Ferrini, M. Geddo, G. Guizzetti, M. Patrini, S. Franchi, C. Bocchi, F. Germini, A. Baraldi, R. Magnanini. J. Appl. Phys. 86, 8, 4706 (1999)
  67. I. Guizani, H. Fitouri, I. Zaied, A. Rebey. ФТТ 62, 6, 941 (2020). [I. Guizani, H. Fitouri, I. Zaied, A. Rebey. Phys. Solid State 62, 1060 (2020).]
  68. V.L. Alperovich, A.S. Yaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Phys. Status Solidi B 175, 1, K35 (1993)
  69. V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Solid-State Electron 37, 4-6, 657 (1994)
  70. Р. Кузьменко, А. Ганжа, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТТ 39, 12, 2123 (1997)
  71. О.С. Комков, А.В. Кудрин. ФТП 51, 11, 1473 (2017)
  72. R. Kudrawiec, J. Misiewicz, Q. Zhuang, A.M.R. Godenir, A. Krier. Appl. Phys. Lett. 94, 15, 151902 (2009)
  73. R. Kudrawiec, M. Latkowska, M. Baranowski, J. Misiewicz, L.H. Li, J.C. Harmand. Phys. Rev. B 88, 12, 125201 (2013)
  74. W. Zuraw, W.M. Linhart, J. Occena, T. Jen, J.W. Mitchell, R.S. Goldman, R. Kudrawiec. Appl. Phys. Exp. 13, 9, 091005 (2020)
  75. W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett. 82, 6, 1221 (1999)
  76. R. Kudrawiec, W. Walukiewicz. J. Appl. Phys. 126, 14, 141102 (2019)
  77. R.N. Bhattacharya, H. Shen, P. Parayanthal, F.H. Pollak, T. Coutts, H. Aharoni. Phys. Rev. B 37, 8, 4044 (1988)
  78. Z. Hang, H. Shen, F.H. Pollak. Solid State Commun. 73, 1, 15 (1990)
  79. P. Lautenschlager, M. Garriga, M. Cardona. Phys. Rev. B 36, 9, 4813 (1987)
  80. М.Т. Тодоров. Фотоотражение GaAs и InP. Канд. дис. физ.-мат. наук. СПб ЭТИ, СПб (1992)
  81. A.N. Pikhtin, M.T. Todorov. Key Eng. Mater. 65, 199 (1992)
  82. J.S. Hwang, W.Y. Chou, M.C. Hung, J.S. Wang, H.H. Lin. J. Appl. Phys. 82, 8, 3888 (1997)
  83. J.S. Hwang, W.Y. Chou, S.L. Tyan, H.H. Lin, T.L. Lee. Appl. Phys. Lett. 67, 15, 2350 (1995)
  84. Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ФТП 39, 2, 189 (2005)
  85. Ахмед Абдел Моез Абдел Рахман Езз. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения. Канд. дис. физ.-мат. наук. СПбГЭТУ. СПб. (2007)
  86. H. Piller, C.K. So, R.C. Whited, B.J. Parsons. Surf. Sci. 37, 639 (1973)
  87. J.S. Hwang, S.L. Tyan, M.J. Lin, Y.K. Su. Solid State Commun. 80, 10, 891 (1991)
  88. S. Iyer, S. Mulugeta, W. Collis, S. Venkatraman, K.K. Bajaj, G. Coli. J. Appl. Phys. 87, 5, 2336 (2000)
  89. H.-J. Jo, M.G. So, J.S. Kim, S.J. Lee. J. Kor. Phys. Soc. 69, 826 (2016)
  90. O.S. Komkov, D.D. Firsov, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov. Abstr. book of 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy. St. Petersburg, Russia (2017). P. 95
  91. D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov'ev, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Phys. D 49, 28, 285108 (2016)
  92. R. Kudrawiec, H.P. Nair, M. Latkowska, J. Misiewicz, S.R. Bank, W. Walukiewicz. J. Appl. Phys. 112, 12, 123513 (2012)
  93. C.H. Lin, K.E. Singer, J.H. Evans-Freeman, K. Heath, M. Missous. Semicond. Sci. Technol. 12, 12, 1619 (1997)
  94. M. Munoz, F.H. Pollak, M.B. Zakia, N.B. Patel, J.L. Herrera-Perez. Phys. Rev. B 62, 24, 16600 (2000)
  95. T.J.C. Hosea, M. Merrick, B.N. Murdin. Phys. Status Solidi A 202, 7, 1233 (2005)
  96. М.В. Тонков. Сорос. образоват. журн. 7, 1, 83 (2001)
  97. T.J. Johnson, G. Zachmann. Introduction to step-scan FTIR. Bruker Optik, Ettlingen. (2005). 96 p
  98. H. Shen, F.H. Pollak, J.M. Woodall, R.N. Sacks. J. Vac. Sci. Technol. B 7, 4, 804 (1989)
  99. J. Shao, F. Yue, X. Lu, W. Lu, W. Huang, Zh. Li, Sh. Guo, J. Chu. Appl. Phys. Lett. 89, 18, 182121 (2006)
  100. M. Motyka, G. Sek, J. Misiewicz, A. Bauer, M. Dallner, S. Hofling, A. Forchel. Appl. Phys. Exp. 2, 12, 126505 (2009)
  101. J. Shao, W. Lu, F. Yue, X. Lu, W. Huang, Zh. Li, Sh. Guo, J. Chu. Rev. Sci. Instr. 78, 1, 013111 (2007)
  102. O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.D. Andreev, M.Yu. Chernov, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov. Jpn. J. Appl. Phys. 58, 050923 (2019)
  103. L.-L. Ma, J. Shao, X. Lu, S.-L. Guo, W. Lu. Chin. Phys. Lett. 28, 4, 047801 (2011)
  104. О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Т.В. Львова, И.В. Седова, А.Н. Семёнов, В.А. Соловьёв, С.В. Иванов. ФТТ 58, 12, 2307 (2016)
  105. A.O. Mihin, D.D. Firsov, O.S. Komkov. J. Phys.: Conf. Ser. 1695, 012111 (2020)
  106. J.L. Shay, R.E. Nahory, C.K.N. Patel. Phys. Rev. 184, 3, 809 (1969)
  107. D. Auvergne, J. Camassel, H. Mathieu, A. Joullie. J. Phys. Chem. Solids 35, 2, 133 (1974)
  108. Д.Д. Фирсов, О.С. Комков. ПЖТФ 39, 23, 87 (2013)
  109. P.R. Griffiths, J.A. De Haseth. Fourier Transform Infrared Spectrometry. Hoboken. Wiley and Sons, New Jersey (2007)
  110. L. Mertz. Transformations in optics. Wiley and Sons, N. Y. (1965)
  111. M.L. Forman, W.H. Steel, G.A. Vanasse. J. Opt. Soc. Am. 56, 1, 59 (1966)
  112. M.S. Hutson, M.S. Braiman. Appl. Spectr. 52, 7, 974 (1998)
  113. Р.М. Балагула, М.Я. Винниченко, И.C. Махов, Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьёв. ФТП 50, 11, 1445 (2016)
  114. V.A. Solov'ev, I.V. Sedova, T.V. Lvova, M.V. Lebedev, P.A. Dement'ev, A.A. Sitnikova, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. Appl. Surf. Science 356, 378 (2015)
  115. О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, А.Н. Семёнов, Б.Я. Мельцер, С.И. Трошков, А.Н. Пихтин, С.В. Иванов. ФТП 47, 2, 258 (2013)
  116. О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Е.А. Ковалишина, А.С. Петров. Изв. вузов. Материалы электронной техники. 3, 194 (2014). [O.S. Komkov, D.D. Firsov, E.A. Kovalishina, A.S. Petrov. Rus. Microelectron. 44, 8, 575 (2015).]
  117. О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Т.В. Львова, И.В. Седова, В.А. Соловьёв, А.Н. Семёнов, С.В. Иванов. Прикл. физ. 5, 47 (2016). [O.S. Komkov, D.D. Firsov, T.V. Lvova, I.V. Sedova, V.A. Solov'ev, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. J. Commun. Tech. El. 63, 3, 289 (2018).]
  118. T.V. Lvova, A.L. Shakhmin, I.V. Sedova, M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci. 311, 300 (2014)
  119. Т.В. Львова, М.С. Дунаевский, М.В. Лебедев, А.Л. Шахмин, И.В. Седова, С.В. Иванов. ФТП 47, 5, 710 (2013)
  120. N. Kallergi, B. Roughani, J. Aubel, S. Sundaram. J. Appl. Phys. 68, 9, 4656 (1990)
  121. P.D.C. King, T.D. Veal, C.F. McConville, J. Zuniga-Perez, V. Munoz-Sanjose, M. Hopkinson, E.D.L. Rienks, M.F. Jensen, Ph. Hofmann. Phys. Rev. Lett. 104, 25, 256803 (2010)
  122. R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, D. Muto, Y. Nanishi. Appl. Phys. Lett. 93, 13, 131917 (2008)
  123. K.-I. Lin, Y.-J. Chen, Y.-Ch. Cheng, Sh. Gwo. Jpn. J. Appl. Phys. 54, 3, 031001 (2015)
  124. K.-I. Lin, J.-T. Tsai, I-Ch. Su, J.-Sh. Hwang, Sh. Gwo. Appl. Phys. Exp. 4, 11, 112601 (2011)
  125. D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov'ev, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. J. Opt. Soc. Am. B 36, 4, 910 (2019)
  126. M. Merrick, T.J.C. Hosea, B.N. Murdin, T. Ashley, L. Buckle, T. Burke. AIP Conf. Proc. 772, 1, 295 (2005)
  127. A. Lindsay, E.P. O'Reilly. Solid State Commun. 112, 8, 443 (1999)
  128. W.M. Linhart, M.K. Rajpalke, J. Buckeridge, P.A.E. Murgatroyd, J.J. Bomphrey, J. Alaria, C.R.A. Catlow, D.O. Scanlon, M.J. Ashwin, T.D. Veal. Appl. Phys. Lett. 109, 13, 132104 (2016)
  129. S.A. Cripps, T.J.C. Hosea, A. Krier, V. Smirnov, P.J. Batty, Q.D. Zhuang, H.H. Lin, P.-W. Liu, G. Tsai. Appl. Phys. Lett. 90, 17, 172106 (2007)
  130. S. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B 39, 9, 6279 (1989)
  131. S.A. Cripps, T.J.C. Hosea, A. Krier, V. Smirnov, P.J. Batty, Q.D. Zhuang, H.H. Lin, P.-W. Liu, G. Tsai. Thin Solid Films 516, 22, 8049 (2008)
  132. M. Motyka, M. Dyksik, F. Janiak, K.D. Moiseev, J. Misiewicz. J. Phys. D 47, 28, 285102 (2014)
  133. M. Motyka, F. Janiak, G. Sek, J. Misiewicz, K.D. Moiseev. Appl. Phys. Lett. 100, 21, 211906 (2012)
  134. А.М. Филачёв, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды. Физматкнига, М. (2011). 448 с
  135. R. Kudrawiec, M. Latkowska, J. Misiewicz, Q. Zhuang, A.M.R. Godenir, A. Krier. Appl. Phys. Lett. 99, 1, 011904 (2011)
  136. D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov'ev, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. J. Phys.: Conf. Ser. 917, 6, 062025 (2017)
  137. А.Н. Семёнов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьёв, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьёв, С.В. Иванов. ФТП 45, 10, 1379 (2011)
  138. O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.N. Pikhtin, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov. AIP Conf. Proc. 1416, 1, 184 (2011)
  139. О.С. Комков, А.Н. Семёнов, Д.Д. Фирсов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьёв, Т.В. Попова, А.Н. Пихтин, С.В. Иванов. ФТП 45, 11, 1481 (2011)
  140. S. Adachi. Properties of semiconductor alloys. Group-IV, III-V and II-VI semiconductors. Wiley, N.Y. (2009). 166 p
  141. S. Isomura, F.G.D. Prat, J.C. Woolley. Phys. Status Solidi B 65, 1, 213 (1974)
  142. N. Dai, F. Brown, R.E. Dozeema, S.J. Chung, K.J. Goldammer, M.B. Santos. Appl. Phys. Lett. 73, 21, 3132 (1998)
  143. В.А. Соловьёв, М.Ю. Чернов, О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, А.А. Ситникова, С.В. Иванов. ПЖЭТФ 109, 6, 381 (2019).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.