Вышедшие номера
Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 при образовании дислокаций несоответствия
Российский научный фонд, Конкурс 2019 года «Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 19-79-00349
Смирнов А.М. 1, Кремлева А.В. 1, Шарофидинов Ш.Ш.2, Бугров В.Е. 1, Романов А.Е. 1,2
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: smirnov.mech@gmail.com, avkremleva@itmo.ru, shukrillo71@mail.ru, vladislav.bougrov@itmo.ru, alexey.romanov@niuitmo.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 12 февраля 2021 г.
Принята к печати: 12 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 14 марта 2021 г.

Предложена теоретическая модель релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 типа пленка/подложка с учетом анизотропии кристаллических решеток материалов гетероструктуры. Рассмотрено зарождение дислокаций несоответствия в результате базисного или призматического скольжения в гетероструктурах alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 с различной ориентацией пленки. Получены зависимости критической толщины hc (толщина пленки, выше которой выгодно зарождение дислокаций несоответствия) от угла между полярной осью c и нормалью к плоскости роста пленки для гетероструктур alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3. Показано, что учет упругой константы C14 излишен в рассмотренных моделях релаксации в гетероструктурах alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3. Ключевые слова: широкозонные полупроводники, оксид галлия, сапфир, релаксация напряжений несоответствия, дислокации несоответствия.
  1. А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП 33, 9, 1096 (1999)
  2. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП 37, 9, 1025 (2003)
  3. J. Millan, P. Godignon, X. Perpina, A. Perez-Tomas, J. Rebollo. IEEE Trans. Power Electron. 29, 5, 2155 (2014)
  4. M. Kim, J.-H. Seo, U. Singisetti, Z. Ma. J. Mater. Chem. C 5, 33, 8338 (2017)
  5. M.A. Mastro, A. Kuramata, J. Calkins, J. Kim, F. Ren, S.J. Pearton. ECS J. Solid State Sci. Technol. 6, 5, P356 (2017)
  6. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci. 44, 63 (2016)
  7. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev. 5, 011301 (2018)
  8. J. Zhang, J. Shi, D.-C. Qi, L. Chen, K.H.L. Zhang. APL Mater. 8, 2, 020906 (2020)
  9. M. Oda, R. Tokuda, H. Kambara, T. Tanikawa, T. Sasaki, T. Hitora. Appl. Phys. Express 9, 021101 (2016)
  10. K. Shiojima, H. Kambara, T. Matsuda, T. Shinohe. Thin Solid Films 685, 17 (2019)
  11. T. Maeda, M. Okigawa, Y. Kato, I. Takahashi, T. Shinohe. AIP Adv. 10, 12, 125119 (2020)
  12. W.H. Zachariasen. Vid. Akad. Skr. Oslo 4, 1 (1928)
  13. M. Marezio, J.P. Remeika. J. Chem. Phys. 46, 5, 1862 (1967)
  14. C.-T. Lee, H.-W. Chen, H.-Y. Lee. Appl. Phys. Lett. 82, 24, 4304 (2003)
  15. P. Li, H. Shi, K. Chen, D. Guo, W. Cui, Y. Zhi, S. Wang, Z. Wu, Z. Chen, W. Tang. J. Mater. Chem. C 5, 40, 10562 (2017)
  16. М.Ю. Гуткин, А.М. Смирнов. ФТТ 58, 8, 1558 (2016)
  17. M.L. Kronberg. Acta Met. 5, 9, 507 (1957)
  18. W.E. Lee, K.P.D. Lagerlof. J. Electron Microsc. Tech. 2, 3, 247 (1985)
  19. J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B 93, 115204 (2016)
  20. A.M. Smirnov, E.C. Young, V.E. Bougrov, J.S. Speck, A.E. Romanov. APL Mater. 4, 1, 016105 (2016)
  21. A.M. Smirnov, E.C. Young, V.E. Bougrov, J.S. Speck, A.E. Romanov. J. Appl. Phys. 126, 245104 (2019)
  22. M.M. Savin, V.M. Chernov, A.M. Strokova. Phys. Status Solidi 35, 2, 747 (1976)
  23. M. Grundmann. J. Appl. Phys. 124, 18, 185302 (2018)
  24. A.M. Smirnov, A.V. Kremleva, S.S. Sharofidinov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Appl. Phys. Exp. 13, 7, 075502 (2020)
  25. A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 100, 2, 023522 (2006)
  26. M. Grundmann, M. Lorenz. APL Mater. 8, 2, 021108 (2020)
  27. M. Grundmann. Phys. Status Solidi 257, 12, 2000323 (2020)
  28. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
  29. T.C. Ma, X.H. Chen, Y. Kuang, L. Li, J. Li, F. Kremer, F.-F. Ren, S.L. Gu, R. Zhang, Y.D. Zheng, H.H. Tan, C. Jagadish, J.D. Ye. Appl. Phys. Lett. 115, 182101 (2019)
  30. Y. Cheng, Y. Xu, Z. Li, J. Zhang, D. Chen, Q. Feng, S. Xu, H. Zhou, J. Zhang, Y. Hao, C. Zhang. J. Alloys Compd. 831, 154776 (2020)
  31. Y. Yao, S. Okur, L.A.M. Lyle, G.S. Tompa, T. Salagaj, N. Sbrockey, R.F. Davis, L.M. Porter. Mater. Res. Lett. 6, 5, 268 (2018)
  32. K. Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 51, 020201 (2012)
  33. T. Oshima, Y. Kato, M. Imura, Y. Nakayama, M. Takeguchi. Appl. Phys. Express 11, 065501 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.