Вышедшие номера
Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства тонких гетероэпитаксиальных пленок SBN-50
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0718-2020-0031
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 01201354247
Президент РФ, грант, МК-678.2020.2
Павленко А.В. 1,2, Киселев Д.А. 3, Матяш Я.Ю. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: Antvpr@mail.ru, dm.kiselev@gmail.com, matyash.ya.yu@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 22 февраля 2021 г.
Принята к печати: 24 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 14 марта 2021 г.

С использованием методов диэлектрической спектроскопии и сканирующей зондовой микроскопии (в режимах силовой микроскопии пьезоотклика и Кельвин моды) проведены исследования фазовых превращений и сегнетоэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария-стронция SBN-50, выращенных методом ВЧ-катодного распыления в атмосфере кислорода. Показано, что пленки характеризуются низкой шероховатостью поверхности, средним размером сегнетоэлектрических доменов ~ 100 nm и самопроизвольной поляризацией, направленной от подложки к поверхности пленки. Установлены различия в величине сигнала поверхностного потенциала и его релаксация для областей, заполяризованных внешним полем различной полярности (+10 и -10 V). Характер изменения диэлектрических параметров в интервале температур T=275-500 K свидетельствует о принадлежности материала к сегнетоэлектрикам-релаксорам. Обсуждаются причины установленных закономерностей. Ключевые слова: тонкие пленки, ниобат бария-стронция, сканирующая зондовая микроскопия.