Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства тонких гетероэпитаксиальных пленок SBN-50
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0718-2020-0031
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 01201354247
Президент РФ, грант, МК-678.2020.2
Павленко А.В.
1,2, Киселев Д.А.
3, Матяш Я.Ю.
1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: Antvpr@mail.ru, dm.kiselev@gmail.com, matyash.ya.yu@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 22 февраля 2021 г.
Принята к печати: 24 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 14 марта 2021 г.
С использованием методов диэлектрической спектроскопии и сканирующей зондовой микроскопии (в режимах силовой микроскопии пьезоотклика и Кельвин моды) проведены исследования фазовых превращений и сегнетоэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария-стронция SBN-50, выращенных методом ВЧ-катодного распыления в атмосфере кислорода. Показано, что пленки характеризуются низкой шероховатостью поверхности, средним размером сегнетоэлектрических доменов ~ 100 nm и самопроизвольной поляризацией, направленной от подложки к поверхности пленки. Установлены различия в величине сигнала поверхностного потенциала и его релаксация для областей, заполяризованных внешним полем различной полярности (+10 и -10 V). Характер изменения диэлектрических параметров в интервале температур T=275-500 K свидетельствует о принадлежности материала к сегнетоэлектрикам-релаксорам. Обсуждаются причины установленных закономерностей. Ключевые слова: тонкие пленки, ниобат бария-стронция, сканирующая зондовая микроскопия.
- S. Trolier-McKinstry, P. Muralt. J. Electroceramics 12, 7 (2004)
- В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. ЮНЦ РАН, Ростов н/Д. (2008). 224 с
- Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, M. (1982). 400 с
- С.А. Борисов, Н.М. Окунева, С.Б. Вахрушев, А.А. Набережнов, Т.Р. Волк, А.В. Филимонов. ФТТ 55, 2, 295 (2013)
- S. Gupta, A. Paliwal, V. Gupta, M. Tomar. Opt. Laser Technology 137, 106816, 1 (2021)
- В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, С.В. Бирюков, А.П. Ковтун, С.П. Зинченко. ФТТ 60, 9, 1741 (2018)
- P.R. Willmott, R. Herger, B.D. Patterson, R. Windiks. Phys. Rev. B 71, 144114 (2005)
- А.В. Павленко, И.Н. Захарченко, Ю.А. Кудрявцев, Л.И. Киселева, С.Х. Алихаджиев. Неорган. материалы 56, 11, 1252 (2020)
- I. Horcas, R. Fernandez, J.M. Gomez-Rodriguez, J.W.S.X. Colchero, J.W.S.X.M. Gomez-Herrero, A.M. Baro. Rev. Sci. Instruments 78, 1, 013705 (2007)
- R.C. Munoz, G. Vidal, M. Mulsow, J.G. Lisoni, C. Arenas, A. Concha, R. Esparza. Phys. Rev. B 62, 7, 4686 (2000)
- А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, Л.И. Ивлева, А.П. Ковтун, К.М. Жидель, П.А. Лыков. ФТТ 63, 2, 250 (2021)
- А.Г. Канарейкин, Е.Ю. Каптелов, С.В. Сенкевич, И.П. Пронин, А.Ю. Сергиенко, О.Н. Сергеева. ФТТ 58, 11, 2242 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
