Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мемристоры на основе наноразмерных слоев LiNbO3 и композита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x
Переводная версия: 10.1134/S1063783420090218 
Российский научный фонд, 18-79-10253
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
4Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
4Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: NikiruyKristina@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 26 марта 2020 г.
Принята к печати: 2 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 3 июня 2020 г.
Изучены мемристивные свойства слоистых конденсаторных структур на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x и LiNbO3 с толщинами 10 и 40 nm, соответственно. Впервые продемонстрирован резкий переход от одно- к многофиламентному механизму резистивного переключения, возникающий при увеличении содержания металлической фазы в нанокомпозите, который объяснен на основе ранее предложенной модели. Ключевые слова: мемристор, эффект резистивного переключения, нанокомпозит металл-оксид.
- D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol. 31, 063002 (2016)
- J. Del Valle, J.G. Rami rez, M.J. Rozenberg, I.K. Schuller. J. Appl. Phys. 124, 211101 (2018)
- Q. Xia, J.J. Yang. Nature Mater. 18, 309 (2019)
- M.D. Pickett, G. Medeiros-Ribeiro, R.S. Williams. Nature Mater. 12, 114 (2013)
- M. Prezioso, F. Merrikh-Bayat, B.D. Hoskins, K. Likharev, D.B. Strukov. Sci. Rep. 6, 21331 (2016)
- M. Chu, B. Kim, S. Park, H. Hwang, M. Jeon, B.H. Lee, B.G. Lee. IEEE Trans. Ind. Electron. 62, 2410 (2015)
- Z. Wang, S. Joshi, S. Savel'ev, W. Song, R. Midya, Y. Li, M. Rao, P. Yan, S. Asapu, Y. Zhuo, H. Jiang, P. Lin, C. Li, J.H. Yoon, N.K. Upadhyay, J. Zhang, M. Hu, J.P. Strachan, M. Barnell, Q. Wu, H. Wu, R.S. Williams, Q. Xia, J.J. Yang. Nature Electron. 1, 137 (2018)
- Z. Wang, C. Li, W. Song, M. Rao, D. Belkin, Y. Li, P. Yan, H. Jiang, P. Lin, M. Hu, J.P. Strachan, N. Ge, M. Barnell, Q. Wu, A.G. Barto, Q. Qiu, R.S. Williams, Q. Xia, J.J. Yang. Nature Electron. 2, (2019)
- F. Merrikh-Bayat, M. Prezioso, B. Chakrabarti, H. Nili, I. Kataeva, D.B. Strukov. Nature Commun. 9, 2331 (2018)
- И.Н. Антонов, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, О.А. Морозов, П.Е. Овчинников. Радиотехника И Электроника 63, 880 (2018)
- E.O. Neftci, B.U. Pedroni, S. Joshi, M. Al-Shedivat, G. Cauwenberghs. Front. Neurosci. 10, 241 (2016)
- F. Cai, J.M. Correll, S.H. Lee, Y. Lim, V. Bothra, Z. Zhang, M.P. Flynn, W.D. Lu. Nature Electron. 2, 290 (2019)
- A.A. Minnekhanov, A.V. Emelyanov, D.A. Lapkin, K.E. Nikiruy, B.S. Shvetsov, A.A. Nesmelov, V.V. Rylkov, V.A. Demin, V.V. Erokhin. Sci. Rep. 9, 10800 (2019)
- B.J. Choi, A.C. Torrezan, K.J. Norris, F. Miao, J.P. Strachan, M.X. Zhang, D.A.A. Ohlberg, N.P. Kobayashi, J.J. Yang, R.S. Williams. Nano Lett. 13, 3213 (2013)
- В.А. Леванов, А.В. Емельянов, В.А. Демин, К.Э. Никируй, А.В. Ситников, С.Н. Николаев, А.С. Веденеев, Ю.Е. Калинин, В.В. Рыльков. Радиотехника и электроника 63, 489 (2018)
- В.В. Рыльков, С.Н. Николаев, В.А. Демин, А.В. Емельянов, А.В. Ситников, К.Э. Никируй, В.А. Леванов, М.Ю. Пресняков, А.Н. Талденков, А.Л. Васильев, К.Ю. Черноглазов, А.С. Веденеев, Ю.Е. Калинин, А.Б. Грановский, В.В. Тугушев, А.С. Бугаев. ЖЭТФ 153, 424 (2018)
- K.E. Nikiruy, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, A.V. Sitnikov, A.A. Minnekhanov, V.V. Rylkov, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk. AIP Adv. 9, 065116 (2019)
- A.V. Emelyanov, K.E. Nikiruy, A.V. Serenko, A.V. Sitnikov, M.Y. Presnyakov, R.B. Rybka, A.G. Sboev, V.V. Rylkov, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, V.A. Demin. Nanotechnology 31, 045201 (2020)
- M.N. Martyshov, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, A.A. Minnekhanov, S.N. Nikolaev, K.E. Nikiruy, A.V. Ovcharov, M.Y. Presnyakov, A.V. Sitnikov, A.L. Vasiliev, P.A. Forsh, A.B. Granovskiy, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, V.V. Rylkov. (2019), https://arxiv.org/abs/1912.03726
- A.S. Vedeneev, V.V. Rylkov, K.S. Napolskii, A.P. Leontiev, A.A. Klimenko, A.M. Kozlov, V.A. Luzanov, S.N. Nikolaev, M.P. Temiryazeva, A.S. Bugaev. JETP Lett. 106, 411 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
