Управление сверхпроводящими переходами нанопроводов с использованием затворов без гальванической связи для создания электронных устройств на основе сверхпроводников
Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», приказ от 25.06.2019 №1359
Гурович Б.А.
1, Приходько К.Е.
1,2, Кутузов Л.В.
1, Гончаров Б.В.
11Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: prihodko_ke@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 26 марта 2020 г.
Принята к печати: 2 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 3 июня 2020 г.
Показана возможность переключения нанопровода из NbN из сверхпроводящего состояния в нормальное бесконтактным способом за счет пропускания тока через затвор, который расположен на определенном расстоянии от нанопровода. Затвор отделен от нанопровода слоем Al2O3, содержит интегрированное сопротивление, созданное под действием ионного облучения. Экспериментально получены зависимости минимальной мощности, выделяемой на затворе, достаточной для перевода нанопровода в нормальное состояние, в зависимости от величины постоянного тока через нанопровод. На основе данного принципа создан инвертор сигнала, содержащий три последовательных каскада, что показывает потенциальную возможность применения метода для формирования элементной логической базы криогенного компьютера. Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, бесконтактное переключение состояния сверхпроводника, крио-электронные устройства, интегрированные криогенные резисторы.
- D.S. Holmes, A.L. Ripple, M.A. Manheimer. IEEE Trans. Appl. Supercond. 23, 3, 1701610 (2013)
- F. Balestra, Y. Hayashi, T. Contre-vice-chair. The international roadmap for devices and systems. IEEE (2018). 32 p
- K.K. Likharev, V.K. Semenov. IEEE Trans. Appl. Supercond. 1, 1, 3 (1991)
- N. Takagi. Phys. C, 484, 213 (2013)
- A.N. McCaughan, K.K. Berggren. Nano Lett. 14, 10, 5748 (2014)
- W. Chen, A.V. Rylyakov, Vijay Patel, J.E. Lukens, K.K. Likharev. IEEE Trans. Appl. Supercond. 9, 2, 3212 (1999)
- Technical data on IBM Power 9 chip [Electronic resource]. URL: en.wikichip.org/wiki/ibm/power/02cy296
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, А.Г. Домантовский, В.Л. Столяров, Д.А. Комаров, Е.А. Кулешова, Л.В. Кутузов. Патент РФ N 2674063. Бюл. N 34. (2018). 13 c
- A.D. Semenov, G.N. Gol'tsman, A.A. Korneev. Phys. C 351, 4, 349 (2001)
- G. Goltsman, A. Korneev, V. Izbenko, K. Smirnov, P. Kouminov, B. Voronov, N. Kaurova, A. Verevkin, J. Zhang, A. Pearlman, W. Slysz, R. Sobolewski. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 520, 1-3, 527 (2004)
- L. Jiang, J. Li, W. Zhang, Q.J. Yao, Z.L. Lin, S.C. Shi, Y.B. Vachtomin, S.V. Antipov, S.I. Svechnikov, B.M. Voronov, G.N. Goltsman. IEEE Trans. Appl. Supercond. 15, 2, 511 (2005)
- B.S. Karasik, A.V. Sergeev, D.E. Prober. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 1, 1, 97 (2011)
- J. Clarke. Proc. IEEE, 77, 8, 1208 (1989)
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходько. УФН 179, 2, 179 (2009)
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, Е.А. Кулешова, К.И. Маслаков, Д.А. Комаров. ЖЭТФ 143, 6, 1062 (2013)
- Б.А. Гурович, М.А. Тархов, К.Е. Приходько, Е.А. Кулешова, Д.А. Комаров, В.Л. Столяров, Е.Д. Ольшанский, Б.В. Гончаров, Д.А. Гончарова, Л.В. Кутузов, А.Г. Домантовский. Рос. нанотехнологии 9, 7-8, 36 (2014)
- М.М. Дементьева, К.Е. Приходько, Б.А. Гурович, Л.В. Кутузов, Д.А. Комаров. ФТТ 58, 11, 2104 (2016)
- В.В. Шмидт. Введение в физику сверхпроводников. МЦНМО, М. (2000). 397 с
- W.J. Skocpol, M.R. Beasley, M. Tinkham. J. Appl. Phys. 45, 9, 4054 (1974)
- Б.И. Ивлев, Н.Б. Копнин. УФН 142, 3, 435 (1984).
- W.W. Webb, R.J. Warburton. Phys. Rev. Lett. 20, 9, 461 (1968)
- K. Harrabi, A. Mekki, S. Kunwar, J.P. Maneval. J. Appl. Phys. 123, 8, 083901 (2018)
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, М.А. Тархов, Е.А. Кулешова, Д.А. Комаров, В.Л. Столяров, Е.Д. Ольшанский, Б.В. Гончаров, Д.А. Гончарова, Л.В. Кутузов, А.Г. Домантовский, З.В. Лаврухина, М.М. Дементьева. Рос. нанотехнологии 10, 7-8, 21 (2015)
- B.A. Gurovich, K.E. Prikhodko, M.A. Tarkhov, A.G. Domantovsky, D.A. Komarov, B.V. Goncharov, E.A. Kuleshova. Micro Nanosyst. 7, 3, 172 (2015)
- L.M. Johnson. Proc. 2018 MIT Research and Development Conf. (2018). [Electronic resource]. URL : http : // ilp. mit. edu / images / conferences / 2018 / rd / presentations / Johnson.2018.RD.pdf
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
