Вышедшие номера
Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 в параэлектрическом состоянии
Переводная версия: 10.1134/S1063783420080168
Гольдман Е.И.1, Нарышкина В.Г.1, Чучева Г.В.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН, Фрязино, Московская обл., Россия
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 24 марта 2020 г.
Принята к печати: 30 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 7 мая 2020 г.

Для параэлектрического состояния получены феноменологические аналитические выражения, связывающие емкость сегнетоэлектрической пленки с коэффициентами разложения свободной энергии по степеням поляризации вещества. При температурах выше точки перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-Ba0.8Sr0.2TiO3-металл. Из сопоставления теоретических и экспериментальных данных построены зависимости поляризации пленки Ba0.8Sr0.2TiO3 от внешнего напряжения и определены значения параметров теории фазовых переходов второго рода Гинзбурга-Ландау для исследованных объектов. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотные вольт-фарадные характеристики, емкость.
  1. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев на кремнии. Изд-во ЛГУ, Л. (1988). 303 с
  2. V.R. Mudinepalli, L.Feng, W.-C Lin., B.S. Murty. J. Adv. Ceram. 4, 46 (2015)
  3. К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. Под ред. РАН А.С. Сигова. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
  4. H. Kawano, K. Morii, Y. Nakayama. J. Appl. Phys. 73, 10, 5141 (1993)
  5. S. Ezhilvalavan, Tseung-Yuen Tseng Review. Mater. Chem. Phys. 65, 227 (2000)
  6. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика Электродинамика сплошных сред. Т. VIII. Наука, М. (1982). 623 с
  7. K.V. Reich, M. Schecter, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B 91, 115303 (2015)
  8. S.Y. Wang, B.L. Cheng, C. Wang, S.Y. Dai, H.B. Lu, Y.L. Zhou, Z.H. Chen, G.Z. Yang. Appl. Phys. 81, 1265 (2005)
  9. М.С. Иванов, М.С. Афанасьев. ФТТ 51, 7, 1259 (2009)
  10. Д.А. Киселев, М.С. Афанасьев, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТТ 57, 6, 1134 (2015)
  11. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 6, 110 (1997)
  12. Н.Н. Антонов, И.М. Бузин, О.Г. Вендик. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ. Сов. радио, М. (1979). 272 с
  13. M. Acosta, N. Novak, V. Rojas, S. Patel, R. Vaish, J. Koruza, G.A. Rossetti, J. Rodel. Appl. Phys. Rev. 4, 041305 (2017)
  14. Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. И.К. Кикоина. Атомиздат, М. (1976). 1008 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.