Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2020, выпуск 7 » Статья стр. 1070
<<<>>>
Образование нанокристаллов кремния при трении
DOI: 10.21883/FTT.2020.07.49475.041
Переводная версия: 10.1134/S1063783420070276
Веттегрень В.И.1, Мамалимов Р.И.1, Щербаков И.П.1, Кулик В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Victor.Vettegren@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 26 декабря 2019 г.
Принята к печати: 3 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2020 г.
PDF версия
При помощи триболюминесценции (TL) установлено, что в процессе трения монокристалла кремния (Si) образуются нанокристаллы - ncSi с линейными размерами ~4 nm. Исследована временная зависимость интенсивности сигналов TL. Она состоит из множества наложенных друг на друга сигналов. Анализ их динамики показал, что нанокристаллы располагаются на берегах микротрещин, образующихся при разрушении. Одновременно из области трения вылетает порошок. При помощи фотолюминесцентной (PL) и рамановской спектроскопии определен размер нанокристаллов кремния в порошке. Он составил ~2.2 nm. Вероятно, за время между трением и получением рамановских и PL спектров (несколько часов) происходит дальнейший рост микротрещин, что приводит к уменьшению размеров нанокристаллов в ~2 раза. Ключевые слова: трение, размеры нанокристаллов, люминесценция.
  1. J. Jakubowicz. In Handbook of Porous Silicon. Ed. L. Canham. (2018). P. 111. Springer Intern. Publ. AG, part of Springer Nature. https://doi.org/10.1007/978-3-319-71381-6\_9
  2. Chanika Puridetvorakul, Wandee Onreabroy, Tula Jutarosaga. Songklanakarin J. Sci. Technol. 40, 2, 354 (2018)
  3. M. Gauthier, D. Mazouzi, D. Reyter, B. Lestriez, P. Moreau, D. Guyomard, L. Roue. Energy \& Environmental Sci. 6, 2145 (2013). DOI: 10.1039/C3EE41318G
  4. Rumman Md. Raihanuzzaman, Joon-Woo Song, Ilseuk Lee, Soon-Jik Hong, Jar Myung Koo. Current Nanosci. 10, 3 (2014). DOI: 10.2174/1573413710999140407123913
  5. C. Di az-Guerra, A. Montone, J. Piqueras, F. Cardellini. Semicond. Sci. Technol. 17, 1, 77 (2002). Online at stacks.iop.org/SST/17/77
  6. Pushpendra Kumar. Nanotechnology. Article ID 163168, 6 pages (2011) http://dx.doi.org/10.5402/2011/163168
  7. O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surface Sci. Rep. 38, 1, 126 (2000). DOI: 10.1016/S0167-5729(99)00012-6
  8. M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett. 82, 1, 197 (1999). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.82.197
  9. J.P. Russell. Appl. Phys. Lett. 6, 11, 223 (1965). https://doi.org/10.1063/1.1754144
  10. I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Solid State Commun. 58, 10, 739 (1986). https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90513-2
  11. M.H. Richter, Z.P. Wang., L. Ley. Solid State Commun. 39, 5, 625 (1981). https://doi.org/10.1016/0038-1098(81)90337-9
  12. T. Home, W.B. Kiszenick. Post Appl. Crystallogr. 8, 457 (1975). https://doi.org/10.1107/S0021889875010965
  13. Z. Sui, P.P. Leong, I.P. Herman, G.S. Higashi, H. Temkin. Appl. Phys. Lett. 60, 17, 2086 (1992). https://doi.org/10.1063/1.107364
  14. A.H. Cottrell Theory of Crystal Dislocations. Gordon and Breach, N. Y. (1964). 91 p
  15. V.A. Zakrevsky, A.V. Shuldiner. Phil. Mag. B 71, 2, 127 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme