Вышедшие номера
Релаксация тока в монокристаллах TlGa1-xDyxSe2 (x=0.01; 0.03)
Переводная версия: 10.1134/S1063783420070197
Мустафаева С.Н.1, Гусейнова К.М.1, Асадов М.М.2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 января 2020 г.
В окончательной редакции: 23 января 2020 г.
Принята к печати: 28 января 2020 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2020 г.

Представлены экспериментальные результаты по исследованию низкотемпературных релаксационных процессов в монокристаллах TlGa1-xDyxSe2 (x=0.01; 0.03). С помощью эстафетного механизма переноса заряда, образованного на глубоких ловушках за счет инжекции носителей с контакта, определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы в образцах Ag-TlGa1-xDyxSe2-Ag: эффективная подвижность заряда, переносимого с помощью глубоких центров; контактная емкость образцов; область сосредоточения заряда в образцах; постоянная зарядки контакта; время пролета носителей заряда через образец. Ключевые слова: релаксация тока, механизм переноса заряда, TlGa1-xDyxSe2, инжекция, глубокие ловушки, аккумуляция заряда.
  1. I.M. Hodge. Classical Relaxation Phenomenology. Springer Nature Switzerland AG (2019). DOI: org/10.1007/978-3-030-02459-8
  2. Relaxation Phenomena/ Eds W. Haase., S. Wrobel. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg GmbH (2003). DOI: org/10.1007/978-3-662-09747-2
  3. X. Wang, Q. Zhou, H. Li, C. Hu, L. Zhang, Yu Zhang, Y. Zhang, Yu Sui, Bo Song. Citation: Appl. Phys. Lett. 112, 122103 (2018). DOI: org/10.1063/1.5019759
  4. X. Jiang, P. Sun, Q. Peng, W. Sima. J. Phys. D 51, 015306 (2018). DOI: org/10.1088/1361-6463/aa9a6e
  5. A. Zhao, L. Xu, X. Zhang, J. Deng, G. Zhang, X. Zhao. AIP Adv. 8, 075323 (2018). DOI: org/10.1063/1.5027686
  6. O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook. 3rd ed. Springer-Verlag. Berlin-Heidelberg (2004). 705 p. DOI: org/10.1007/978-3-642-18865-7
  7. С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов. ФТТ 46, 11, 1937 (2004)
  8. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. ФТТ 55, 12, 2346 (2013)
  9. О.Б. Плющ, А.У. Шелег. Кристаллография 44, 6, 873 (1999)
  10. А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 40, 7, 1328 (1998)
  11. С.Н. Мустафаева, С.М. Асадов. Неорган. материалы 54, 7, 662 (2018)
  12. Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry. Sc, Y, La-Lu Rare Earth Elements. Compounds with Se./ Ed. H. Bergmann, Ed., (Springer, Berlin (1986), 8th ed. System N 39. 555 p
  13. Б.Л. Тиман. ФТП 7, 2, 225 (1973)
  14. A. Many, G. Rakavy. Phys. Rev. 126, 1980 (1962)
  15. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
  16. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 c.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.