Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксация тока в монокристаллах TlGa1-xDyxSe2 (x=0.01; 0.03)
Переводная версия: 10.1134/S1063783420070197 
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 января 2020 г.
В окончательной редакции: 23 января 2020 г.
Принята к печати: 28 января 2020 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2020 г.
Представлены экспериментальные результаты по исследованию низкотемпературных релаксационных процессов в монокристаллах TlGa1-xDyxSe2 (x=0.01; 0.03). С помощью эстафетного механизма переноса заряда, образованного на глубоких ловушках за счет инжекции носителей с контакта, определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы в образцах Ag-TlGa1-xDyxSe2-Ag: эффективная подвижность заряда, переносимого с помощью глубоких центров; контактная емкость образцов; область сосредоточения заряда в образцах; постоянная зарядки контакта; время пролета носителей заряда через образец. Ключевые слова: релаксация тока, механизм переноса заряда, TlGa1-xDyxSe2, инжекция, глубокие ловушки, аккумуляция заряда.
- I.M. Hodge. Classical Relaxation Phenomenology. Springer Nature Switzerland AG (2019). DOI: org/10.1007/978-3-030-02459-8
- Relaxation Phenomena/ Eds W. Haase., S. Wrobel. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg GmbH (2003). DOI: org/10.1007/978-3-662-09747-2
- X. Wang, Q. Zhou, H. Li, C. Hu, L. Zhang, Yu Zhang, Y. Zhang, Yu Sui, Bo Song. Citation: Appl. Phys. Lett. 112, 122103 (2018). DOI: org/10.1063/1.5019759
- X. Jiang, P. Sun, Q. Peng, W. Sima. J. Phys. D 51, 015306 (2018). DOI: org/10.1088/1361-6463/aa9a6e
- A. Zhao, L. Xu, X. Zhang, J. Deng, G. Zhang, X. Zhao. AIP Adv. 8, 075323 (2018). DOI: org/10.1063/1.5027686
- O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook. 3rd ed. Springer-Verlag. Berlin-Heidelberg (2004). 705 p. DOI: org/10.1007/978-3-642-18865-7
- С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов. ФТТ 46, 11, 1937 (2004)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. ФТТ 55, 12, 2346 (2013)
- О.Б. Плющ, А.У. Шелег. Кристаллография 44, 6, 873 (1999)
- А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 40, 7, 1328 (1998)
- С.Н. Мустафаева, С.М. Асадов. Неорган. материалы 54, 7, 662 (2018)
- Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry. Sc, Y, La-Lu Rare Earth Elements. Compounds with Se./ Ed. H. Bergmann, Ed., (Springer, Berlin (1986), 8th ed. System N 39. 555 p
- Б.Л. Тиман. ФТП 7, 2, 225 (1973)
- A. Many, G. Rakavy. Phys. Rev. 126, 1980 (1962)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 c.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
