Вышедшие номера
Атомная структура и энергия когезии изолированных кластеров SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063783420060207
Овсянникова Л.И.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: avilon57@ukr.net
Поступила в редакцию: 19 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 19 октября 2019 г.
Принята к печати: 21 января 2020 г.
Выставление онлайн: 25 марта 2020 г.

Проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры, энергии когезии фуллереноподобных кластеров Si60C60. Впервые построена модель двухслойного кластера Si12C12@Si48C48 со смешанными s-0.8ptp2/sp3-связями. Ab initio расчеты проводились в рамках теории функционала электронной плотности и гибридного функционала B3LYP. Проведена оценка стабильности и ширины энергетической щели кластеров в зависимости от их геометрии. Показано, что стабильность двухслойного кластера Si12C12@Si48C48 превосходит стабильность остальных кластеров с тем же числом атомов, но уступает SiC-кластеру структуры сфалерита. В процессе релаксации у двухслойного кластера происходит смещение наружу поверхностного слоя. Ключевые слова: карбидкремниевые материалы, атомные кластеры SiC, компьютерное материаловеление.