Вышедшие номера
Атомная структура и энергия когезии изолированных кластеров SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063783420060207
Овсянникова Л.И.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: avilon57@ukr.net
Поступила в редакцию: 19 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 19 октября 2019 г.
Принята к печати: 21 января 2020 г.
Выставление онлайн: 25 марта 2020 г.

Проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры, энергии когезии фуллереноподобных кластеров Si60C60. Впервые построена модель двухслойного кластера Si12C12@Si48C48 со смешанными s-0.8ptp2/sp3-связями. Ab initio расчеты проводились в рамках теории функционала электронной плотности и гибридного функционала B3LYP. Проведена оценка стабильности и ширины энергетической щели кластеров в зависимости от их геометрии. Показано, что стабильность двухслойного кластера Si12C12@Si48C48 превосходит стабильность остальных кластеров с тем же числом атомов, но уступает SiC-кластеру структуры сфалерита. В процессе релаксации у двухслойного кластера происходит смещение наружу поверхностного слоя. Ключевые слова: карбидкремниевые материалы, атомные кластеры SiC, компьютерное материаловеление.
  1. Г.Г. Гнесин. Карбидкремниевые материалы. Металлургия, М. (1977) 215 c
  2. Г.С. Олейник, Н.В. Даниленко. Успехи химии 66, 615 (1997)
  3. M. Matsubara, C.J. Mossobrio. Chem. Phys. 122, 084304 (2005)
  4. M. Matsubara, C.J. Mossobrio. Phys. Chem. A 109, 4415 (2005)
  5. V.V. Pokropivny, L.I. Ovsyannikova. Phys. Solid State 49, 535 (2007)
  6. Л.И. Овсянникова, В.В. Покропивный, В.Л. Бекенев. ФТТ 51, 10, 2070 (2009)
  7. Е.А. Беленков, Э.Н. Агалямова, В.А. Грешняков. Наносистемы: физика, химия, математика 2, 3, 79 (2011)
  8. L. Ovsiannikova, V. Kartuzov, I. Shtepliuk, G. Lashkarev. Acta Phys. Polonica A 129, A-41 (2016)
  9. I. Shtepliuk, V. Khranovskyy, G. Lashkarev, V. Khomyak, V. Lazorenko, A. Ievtushenko, M. Syvajarvi, V. Jokubavicius, R. Yakimova. Solid-State Electron. 81, 72 (2013)
  10. L. Ovsiannikova, M. Dranchuk, G. Lashkarev, V. Kartuzov, M. Godlewski. Superlat. Microstruct. 107, 1 (2017)
  11. Z. Zhu, A. Chutia, R. Sahnoun, M. Koyama, H. Tsuboi, N. Hatakeyama, A. Endou, H. Takaba, M. Kubo, C.A. Del Carpio, A. Miyamoto. Jpn. J. Appl. Phys. 47, 2999 (2008)
  12. Amit Jain, Vijay Kumar, Yoshiyuki Kawazoe. Comput. Mater. Sci. 36, 258 (2006)
  13. В.Я. Шевченко, А.Е. Мадисон. Физика и химия стекла 32, 1, 118 (2006)
  14. А.Н. Еняшин, А.Л. Ивановский. ФТТ 49, 378 (2007)
  15. Л.И. Овсянникова. ФТТ 61, 786 (2019)
  16. V.V. Pokropivny, V.V. Skorokhod, G.S. Oleinik, A.V. Kurdyumov, T.S. Bartnitskaya, A.V. Pokropivny, A.G. Sisonyuk, D.V. Sheichenko. J. Solid State Chem. 154, 214 (2000)
  17. S. Huzinaga, J. Andzelm, M. Klobukowski, E. Radzio-Andzelm, Y. Sakai, H. Tatewaki. Gaussian Basis Sets for Molecular Calculations. Elsevier. Amsterdam (1984)
  18. M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz, S.T. Elbert, M.S. Gordon, J.H. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K.A. Nguyen, S.J. Su, T.L. Windus, M. Dupuis, J.A. Montgomery. J. Comput. Chem. 14, 1347 (1993).
  19. S. Portmann. Chimia 54, 766 (2000)
  20. Landolt-Bornstein / Ed. O. Madelung. New Series III. 22. Springer. Berlin (1987)
  21. Karl W. Boer. Handbook of the Physics of Thin-Film Solar Cells. Springer-Verlag Berlin (2013). P. 738
  22. В.Л. Бекенев, С.М. Зубкова. ФТТ 60, 2033 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.