Вариация состояния поверхности в ходе сканирования в низковольтном РЭМ и ее влияние на размеры рельефной структуры
Ларионов Ю.В.1, Озерин Ю.В.1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: luv@kapella.gpi.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 21 января 2020 г.
Принята к печати: 21 января 2020 г.
Выставление онлайн: 25 марта 2020 г.
Оценена вариация эмиссии медленных вторичных электронов из поверхности рельефных структур (выступов) в ходе длительного их сканирования в низковольтном растровом электронном микроскопе. Характер вариации зависит от участка профиля выступа, он особенно сложен вблизи углов рельефных структур. В результате искажаются соответствующие участки кривой видеосигнала от выступа, что приводит к увеличению или даже к уменьшению геометрических размеров этих участков. Вариация эмиссии объяснена наведением локальных зарядов в слое естественного окисла на поверхности кремния. Размер участков изменяется также из-за осаждения на поверхности выступа контаминационной пленки. Предположительно, ее осаждение зависит от наведенных зарядов на поверхности выступа и поэтому плохо воспроизводимо. Зафиксирован случай отсутствия контаминационного уширения выступа в результате длительного его сканирования. Ключевые слова: нанометрология, низковольтный растровый электронный микроскоп (РЭМ), рельефная структура, поверхностные зарядовые состояния, контаминация.
- Ю.В. Ларионов, Ю.В Озерин. Нано- и микросистемная техника. 11, 650 (2016)
- Ю.В. Ларионов. Нано- и микросистемная техника. 19, 323 (2017)
- Э.И. Рау, А.А. Татаринцев, Е.Ю. Зыкова, И.П. Иваненко, С.Ю. Купреенко, К.Ф. Миннебаев, А.А. Хайдаров. ФТТ 59, 599 (2017)
- Ю.А. Новиков, Ю.В. Озерин, Ю.И. Плотников, А.В. Раков, П.А. Тодуа. В сб.: Линейные измерения микрометрового и нанометрового диапазонов в микроэлектронике и нанотехнологии / Под ред. Ю.А. Новикова. Тр. ИОФАН. Наука, М. (2006). С. 36
- В.А. Гриценко. УФН. 179, 921 (2017)
- М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, Е.В. Бондаренко, В.Р. Гитлин, В.А Макаренко, А.Е. Бормонтов. Вестн. ВГУ. Сер. Физика, математика. 2, 30 (2008)
- M. Morita, T. Ohmi, E. Hasegava, V. Kawakami, M. Ohwada. J. Appl. Phys. 68, 1272 (1990)
- Ю.В. Иванков, М.Н. Левин, В.Р. Гитлин, С.Г. Кадменский. Моделирование радиационных дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Мин. обр. и науки РФ, ВГУ. (2003). С. 43
- K. Kanaya, S. Okayama. J. Phys. D 5, 43 (1972)
- И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 407 с
- Программная платформа NDPL. https://yadi.sk/i/YtOL8GEid9nK4. (2009)
- Ю.В. Ларионов, В.Б. Митюхляев, М.Н. Филиппов. Поверхность. 9, 54 (2008)
- Э.И. Рау, Е.Н. Евстафьева, М.В. Андрианов. ФТТ 50, 4, 53 (2008)
- M.N. Fillipov, M.A. Ermakova, V.P. Gavrilenko. Proc. SPIE. 8700, 87000U1-6 (2012).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.