Вышедшие номера
Стационарные состояния односторонне гидрированных листов графена, расположенных на плоских подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063783420030208
Россйский научный фонд, 16-13-10302
Савин А.В.1
1Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, Москва, Россия
Email: asavin@center.chph.ras.ru
Поступила в редакцию: 5 августа 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Исследованы стационарные состояния частично гидрированных с одной стороны листов графена, лежащих на плоских подложках. Показано, что такие листы могут иметь устойчивые плоскую и различные рулонные структуры. Максимальная плотность гидрирования, при которой плоская структура остаeтся самой энергетически выгодной, монотонно зависит от величины адгезии листа с подложкой. Чем больше энергия взаимодействия с подложкой, тем выше максимально возможная плотность гидрирования листа. Для подложки из поверхности кристаллического льда максимальная концентрация присоединенных атомов водорода (максимальная плотность гидрирования) p=0.12, для графита p=0.21 и карбида кремния p=0.28, а для никеля p=0.48. Проведeнное моделирование позволяет заключить, что максимального гидрирования листа графена (один атом водорода на два атома углерода) и получения из него листа графона можно добиться только при размещении листа на поверхности кристаллического никеля. Ключевые слова: графен, графон, нанолента, рулон, плоская подложка.
  1. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science 306, 666 (2004)
  2. A.K. Geim, K.S. Novoselov. Nature Mater. 6, 183 (2007)
  3. C. Soldano, A. Mahmood, E. Dujardin. Carbon 48, 2127 (2010)
  4. А.Л. Ивановский. Успехи химии 81, 571 (2012)
  5. Q. Peng, A.K. Dearden, J. Crean, L. Han, S. Liu, X. Wen, S. De. Nanotechnol Sci Appl. 7, 1 (2014)
  6. J.O. Sofo, A.S. Chaudhari, G.D. Barber. Phys. Rev. B 75, 153401 (2007)
  7. D.C. Elias, R.R. Nair, T.M.G. Mohiuddin, S.V. Morozov, P. Blake, M.P. Halsall, A.C. Ferrari, D.W. Boukhalov, M.I. Katsnelson, A.K. Geim, K.S. Novoselov. Science 323, 610 (2009)
  8. J. Zhou, Q. Wang, Q. Sun, X.C. Chen, Y. Kawazoe, P. Jena. Nano Lett. 9, 3867 (2009)
  9. R. Balog, B. Jorgensen, L. Nilsson, M. Andersen, E. Rienks, M. Bianchi, M. Fanetti, E. Lagsgaard, A. Baraldi, S. Lizzit, Z. Sljivancanin, F. Besenbacher, B. Hammer, T.G. Pedersen, P. Hofmann, L. Hornekar. Nature Mater. 9, 315 (2010)
  10. W. Zhao, J. Gebhardt, F. Spath, K. Gotterbarm, C. Gleichweit, H.-P. Steinruck, A. Gorling, C. Papp. Chemistry: A Eur. J. 21, 8, 3347 (2015)
  11. P. Ruffieux, O. Groning, M. Bielmann, P. Mauron, L. Schlapbach, P. Groning. Phys. Rev. B 66, 245416 (2002)
  12. Q.X. Pei, Y.W. Zhang, V.B. Shenoy. Carbon 48, 898 (2010)
  13. C.D. Reddy, Y.W. Zhang, V.B. Shenoy. Nanotechnology 23, 165303 (2012)
  14. Z. Liu, Q. Xue, Y. Tao, X. Li, T. Wu, Y. Jin, Z. Zhang. Phys. Chem. Chem. Phys. 17, 5, 3441 (2014)
  15. А.В. Савин, М.А. Мазо. ФТТ 59, 6, 1234 (2017)
  16. C.F. Woellner, P.A.S. Autreto, D.S. Galvao. arXiv:1606.09235 [cond-mat.mes-hall] (2016)
  17. C.F. Woellner, P.A.S. Autreto, D.S. Galvao. MRS Advances 1, 1429 (2016)
  18. A.V. Savin, Y.S. Kivshar, B. Hu. PRB, 82, 195422 (2010)
  19. S. Casolo, O.M. Lovvik, R. Martinazzo, G.F. Tantardini. J. Chem. Phys. 130, 054704 (2009)
  20. R. Setton. Carbon 34, 69-75 (1996)
  21. A.K. Rappe, C.J. Casewit, K.S. Colwell, W.A. Goddard III, W.M. Skiff. J. Am. Chem. Soc. 114, 10024-10035 (1992)
  22. А.В. Савин, О.И. Савина. ФТТ 61, 11 (2019)
  23. J. Lahiri, T.S. Miller, A.J. Ross, L. Adamska, I.I. Oleynik, M. Batzill. New J. Phys. 13 025001 (2011)
  24. Y. Gamo, A. Nagashima, M. Wakabayashi, M. Terai, C. Oshima. Surf. Sci. 374, 61 (1997)
  25. A. Dahal, M. Batzill. Nanoscale 6, 2548 (2014)
  26. A.V. Savin, R.A. Sakovich, M.A. Mazo. Phys. Rev. B 97, 165436 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.