Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As
Российский научный фонд, 19-19-00545
грант президента РФ, МД-1708.2019.2.
Звонков Б.Н.1, Вихрова О.В.
1, Данилов Ю.А.1, Дорохин М.В.
1, Калентьева И.Л.
1, Кудрин А.В.
1, Здоровейщев А.В.
1, Ларионова Е.А.1, Ковальский В.А.2, Солтанович О.А.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: zvonkov@nifti.unn.ru, vikhrova@nifti.unn.ru, danilov@nifti.unn.ru, dorokhin@nifti.unn.ru, istery@rambler.ru, kudrin@nifti.unn.ru, zdorovei@gmail.com
Поступила в редакцию: 31 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
Изготовлены и исследованы диодные гетероструктуры p-(Ga, Mn)As/n-InGaAs/n+-GaAs, отличающиеся толщиной (от 5 до 50 nm) слоя разбавленного магнитного полупроводника (Ga, Mn)As. Обнаружен эффект отрицательного магнетосопротивления, достигающий 6-8% в магнитном поле 3600 Oe, сохраняющийся до температур 70-80 K и связанный с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря магнитному упорядочению в слое (Ga, Mn)As. Зависимость магнетосопротивления от напряжения прямого смещения является немонотонной, причем максимум магнетосопротивления и диапазон напряжений его наблюдения зависят от толщины слоя (Ga, Mn)As. Магнитополевые зависимости магнетосопротивления имеют гистерезисный вид, обусловленный влиянием напряжений растяжения в выращенном поверх релаксированного InGaAs слое (Ga, Mn)As на появление компоненты намагниченности, перпендикулярной поверхности структуры. Ключевые слова: импульсное лазерное нанесение, диодная гетероструктура, ферромагнитный полупроводник, отрицательное магнетосопротивление.
- H. Holmberg, N. Lebedeva, S. Novikov, P. Kuivalainen, M. Malfait, V.V. Moshchalkov. Phys. Status Solidi A 204, 791 (2007)
- H. Holmberg, N. Lebedeva, S. Novikov, P. Kuivalainen, M. Malfait, V.V. Moshchalkov. IEEE Transact. Magn. 42, 2712 (2006)
- T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
- A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 80, 3120 (2002)
- E. Comesana, M. Aldegunde, G.A. Gehring, A.J. Garcia-Loureiro. Proc.of the 2009 Spanish Conf. on Electron Devices (February 2009) Santiago de Compostela, Spain. (2009). 160
- А.В. Кудрин, М.В. Дорохин, Ю.А. Данилов, Е.И. Малышева. Письма в ЖТФ 37, 24, 57 (2011)
- Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин, И.Л. Калентьева, Е.А. Ларионова, В.А. Ковальский, О.А. Солтанович. ФTП 53, 351 (2019)
- О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов Б.Н. Звонков, В.И. Ковалев, З.Э. Кунькова, В.В. Подольский, М.В. Сапожников, А.И. Сучков, М.П. Темирязева. Изв. РАН. Сер. физ. 71, 37 (2007)
- Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФTT 52, 2124 (2010)
- http://www.ioffe.ru/index.php?row=32\&subrow=0\#
- http://www3.nd.edu/ gsnider/
- C.P. Weber, E.A. Kittlaus, K.B. Mattia, C.J. Waight, J. Hagmann, X. Liu, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett. 102, 182402 (2013)
- M. Popadic, G. Lorito, L.K. Nanver. IEEE Transact. Electron Devices 56, 116 (2009)
- W.G. Spitzer, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 34, 3061 (1963)
- A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov, M.V. Dorokhin, I.L. Kalentyeva, A.A. Konakov,V.K. Vasiliev, D.A. Pavlov, Yu.V. Usov, B.N. Zvonkov. J. Magn. Magn. Mater. 478, 84 (2019)
- Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, С.Ю. Зубков, Р.Н. Крюков, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин. ФTП 48, 839 (2014)
- B.S. Sorensen, J. Sadowski, S.E. Andresen, P.E. Lindelof. Phys. Rev. B 66, 233313 (2002)
- C. Hernandez, F. Terki, S. Charar, J. Sadowski, D. Maude, V. Stanciu, P. Svedlindh. Acta Phys. Poloniсa A 103, 613 (2003)
- F. Matsukura, A. Shen, Y. Sugawara, T. Omiya, Y. Ohno, H. Ohno. Compound Semiconductors 1998: Proceedings of the Twenty-Fifth Int. Symp. 162, 547 (1998)
- T. Ishii, T. Kawazoe, Y. Hashimoto, H. Terada, I. Muneta, M. Ohtsu, M. Tanaka, S. Ohya. Phys. Rev. B 93, 241303 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
