Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As

DOI: 10.21883/FTT.2020.03.48999.619

Переводная версия: 10.1134/S1063783420030270

Российский научный фонд, 19-19-00545

грант президента РФ, МД-1708.2019.2.

Звонков Б.Н.¹, Вихрова О.В. ¹, Данилов Ю.А.¹, Дорохин М.В. ¹, Калентьева И.Л. ¹, Кудрин А.В. ¹, Здоровейщев А.В. ¹, Ларионова Е.А.¹, Ковальский В.А.², Солтанович О.А.²

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Email: zvonkov@nifti.unn.ru, vikhrova@nifti.unn.ru, danilov@nifti.unn.ru, dorokhin@nifti.unn.ru, istery@rambler.ru, kudrin@nifti.unn.ru, zdorovei@gmail.com

Поступила в редакцию: 31 октября 2019 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены и исследованы диодные гетероструктуры p-(Ga, Mn)As/n-InGaAs/n⁺-GaAs, отличающиеся толщиной (от 5 до 50 nm) слоя разбавленного магнитного полупроводника (Ga, Mn)As. Обнаружен эффект отрицательного магнетосопротивления, достигающий 6-8% в магнитном поле 3600 Oe, сохраняющийся до температур 70-80 K и связанный с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря магнитному упорядочению в слое (Ga, Mn)As. Зависимость магнетосопротивления от напряжения прямого смещения является немонотонной, причем максимум магнетосопротивления и диапазон напряжений его наблюдения зависят от толщины слоя (Ga, Mn)As. Магнитополевые зависимости магнетосопротивления имеют гистерезисный вид, обусловленный влиянием напряжений растяжения в выращенном поверх релаксированного InGaAs слое (Ga, Mn)As на появление компоненты намагниченности, перпендикулярной поверхности структуры. Ключевые слова: импульсное лазерное нанесение, диодная гетероструктура, ферромагнитный полупроводник, отрицательное магнетосопротивление.

H. Holmberg, N. Lebedeva, S. Novikov, P. Kuivalainen, M. Malfait, V.V. Moshchalkov. Phys. Status Solidi A 204, 791 (2007)
H. Holmberg, N. Lebedeva, S. Novikov, P. Kuivalainen, M. Malfait, V.V. Moshchalkov. IEEE Transact. Magn. 42, 2712 (2006)
T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 80, 3120 (2002)
E. Comesana, M. Aldegunde, G.A. Gehring, A.J. Garcia-Loureiro. Proc.of the 2009 Spanish Conf. on Electron Devices (February 2009) Santiago de Compostela, Spain. (2009). 160
А.В. Кудрин, М.В. Дорохин, Ю.А. Данилов, Е.И. Малышева. Письма в ЖТФ 37, 24, 57 (2011)
Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин, И.Л. Калентьева, Е.А. Ларионова, В.А. Ковальский, О.А. Солтанович. ФTП 53, 351 (2019)
О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов Б.Н. Звонков, В.И. Ковалев, З.Э. Кунькова, В.В. Подольский, М.В. Сапожников, А.И. Сучков, М.П. Темирязева. Изв. РАН. Сер. физ. 71, 37 (2007)
Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФTT 52, 2124 (2010)
http://www.ioffe.ru/index.php?row=32\&subrow=0\#
http://www3.nd.edu/ gsnider/
C.P. Weber, E.A. Kittlaus, K.B. Mattia, C.J. Waight, J. Hagmann, X. Liu, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett. 102, 182402 (2013)
M. Popadic, G. Lorito, L.K. Nanver. IEEE Transact. Electron Devices 56, 116 (2009)
W.G. Spitzer, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 34, 3061 (1963)
A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov, M.V. Dorokhin, I.L. Kalentyeva, A.A. Konakov,V.K. Vasiliev, D.A. Pavlov, Yu.V. Usov, B.N. Zvonkov. J. Magn. Magn. Mater. 478, 84 (2019)
Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, С.Ю. Зубков, Р.Н. Крюков, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин. ФTП 48, 839 (2014)
B.S. Sorensen, J. Sadowski, S.E. Andresen, P.E. Lindelof. Phys. Rev. B 66, 233313 (2002)
C. Hernandez, F. Terki, S. Charar, J. Sadowski, D. Maude, V. Stanciu, P. Svedlindh. Acta Phys. Poloniсa A 103, 613 (2003)
F. Matsukura, A. Shen, Y. Sugawara, T. Omiya, Y. Ohno, H. Ohno. Compound Semiconductors 1998: Proceedings of the Twenty-Fifth Int. Symp. 162, 547 (1998)
T. Ishii, T. Kawazoe, Y. Hashimoto, H. Terada, I. Muneta, M. Ohtsu, M. Tanaka, S. Ohya. Phys. Rev. B 93, 241303 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель