Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход
Переводная версия: 10.1134/S1063783420020092 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru, ovposrednik@etu.ru
Поступила в редакцию: 18 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
В рамках модели Халдейна-Андерсона вычислены металлическая ионная составляющие энергии адсорбции атомов Ga и Cl на С- и Si-гранях p- и n-SiC. Показано, во-первых, что во всех рассмотренных случаях величина ионного вклада превосходит величину вклада металлического. Во-вторых, при адсорбции на p-SiC энергия связи адатомов Ga больше, чем адатомов Cl, тогда как при адсорбции на n-SiC имеет место обратная ситуация. Предложена простая ионная модель адсорбции молекулы GaCl на карбиде кремния. Сопоставление с результатами других авторов демонстрируют приемлемость предлагаемых моделей. Ключевые слова: зонные и локальные состояния, числа заполнения, энергия адсорбции.
- Silicon Carbide: recent major advances / Ed. W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl. Springer, Berlin--Heidelberg (2004). http://www.springer.de
- Advances in Silicon Carbide. Processing and Applications / Ed. S.E. Saddow, A. Agarwal. Artech House, Boston--London (2004). www.artechhouse.com
- A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol. 21, R17 (2006)
- G. Liu, B.R. Tuttle, S. Dhar. Appl. Phys. Rev. 2, 021307 (2015)
- Y.H. Wu, T. Yu, Z.X. Chen. Appl. Phys. Rev. 108, 071301 (2010)
- Г.В. Бенеманская, П.А. Дементьев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Н. Тимошнев. Письма в ЖТФ 45, 5, 17 (2019)
- С.А. Кукушкин, В.И. Николаев, А.В. Осипов, Е.В. Осипова, А.И. Печников, Н.А. Феоктистов. ФТТ 58, 1812 (2016)
- Ш.Ш. Шарофидинов, С.А. Кукушкин, А.В. Редьков, А.С. Гращенко, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 45, 14, 24 (2019)
- С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник ФТТ 61, 1538 (2019)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник Элементарное введение в теорию наносистем. Изд-во "Лань", СПб. (2014)
- С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ 49, 1508 (2007)
- C.Ю. Давыдов. ФТП 53, 706 (2019)
- Физические величины. Справочник / Под ред. Е.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат. М. (1991)
- Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. К.П. Мищенко и А.А. Равделя. Химия, Л. (1974)
- L.X. Zheng, M.H. Xie, S.Y. Tong. Phys. Rev. B 61, 4890 (2000)
- S.Y. Ren, J.D. Appl. Phys. Lett. 69, 251 (1996)
- R.B. Capaz, H. Lim, J.D. Joannopoulos. Rev. B 51, 17755 (1995)
- L.B. Drissi, F.Z. Ramadan, S. Lounis. arXiv: 1708.01726
- M.T. Schulberg, M.D. Allendorf, D.A. Outka. The Adsorption of Hydrogen Chloride on Polycrystalline beta-Silicon Carbide (1995). https://www.ostigov/servlets/purl/10162437
- W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 3552 (1983)
- С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. Изд-во СПбГЭТУ, СПб. (2007). 96 с. (twirpx.com/file/1014608/)
- W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985)
- H.Y. Abdulah. J. Ovonic Res. 9, 55 (2013)
- C. Sasaoka, Y. Kato, A. Usui. Jap. J. Appl. Phys. 30, L1756 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
