Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Адсорбция атомов Ga и Cl и молекулы GaCl на карбиде кремния: модельный подход

DOI: 10.21883/FTT.2020.02.48882.596

Переводная версия: 10.1134/S1063783420020092

Давыдов С.Ю.¹, Посредник О.В.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: Sergei_Davydov@mail.ru, ovposrednik@etu.ru

Поступила в редакцию: 18 сентября 2019 г.

Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках модели Халдейна-Андерсона вычислены металлическая ионная составляющие энергии адсорбции атомов Ga и Cl на С- и Si-гранях p- и n-SiC. Показано, во-первых, что во всех рассмотренных случаях величина ионного вклада превосходит величину вклада металлического. Во-вторых, при адсорбции на p-SiC энергия связи адатомов Ga больше, чем адатомов Cl, тогда как при адсорбции на n-SiC имеет место обратная ситуация. Предложена простая ионная модель адсорбции молекулы GaCl на карбиде кремния. Сопоставление с результатами других авторов демонстрируют приемлемость предлагаемых моделей. Ключевые слова: зонные и локальные состояния, числа заполнения, энергия адсорбции.

Silicon Carbide: recent major advances / Ed. W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl. Springer, Berlin--Heidelberg (2004). http://www.springer.de
Advances in Silicon Carbide. Processing and Applications / Ed. S.E. Saddow, A. Agarwal. Artech House, Boston--London (2004). www.artechhouse.com
A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol. 21, R17 (2006)
G. Liu, B.R. Tuttle, S. Dhar. Appl. Phys. Rev. 2, 021307 (2015)
Y.H. Wu, T. Yu, Z.X. Chen. Appl. Phys. Rev. 108, 071301 (2010)
Г.В. Бенеманская, П.А. Дементьев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Н. Тимошнев. Письма в ЖТФ 45, 5, 17 (2019)
С.А. Кукушкин, В.И. Николаев, А.В. Осипов, Е.В. Осипова, А.И. Печников, Н.А. Феоктистов. ФТТ 58, 1812 (2016)
Ш.Ш. Шарофидинов, С.А. Кукушкин, А.В. Редьков, А.С. Гращенко, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 45, 14, 24 (2019)
С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник ФТТ 61, 1538 (2019)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник Элементарное введение в теорию наносистем. Изд-во "Лань", СПб. (2014)
С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ 49, 1508 (2007)
C.Ю. Давыдов. ФТП 53, 706 (2019)
Физические величины. Справочник / Под ред. Е.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат. М. (1991)
Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. К.П. Мищенко и А.А. Равделя. Химия, Л. (1974)
L.X. Zheng, M.H. Xie, S.Y. Tong. Phys. Rev. B 61, 4890 (2000)
S.Y. Ren, J.D. Appl. Phys. Lett. 69, 251 (1996)
R.B. Capaz, H. Lim, J.D. Joannopoulos. Rev. B 51, 17755 (1995)
L.B. Drissi, F.Z. Ramadan, S. Lounis. arXiv: 1708.01726
M.T. Schulberg, M.D. Allendorf, D.A. Outka. The Adsorption of Hydrogen Chloride on Polycrystalline beta-Silicon Carbide (1995). https://www.ostigov/servlets/purl/10162437
W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 3552 (1983)
С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. Изд-во СПбГЭТУ, СПб. (2007). 96 с. (twirpx.com/file/1014608/)
W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985)
H.Y. Abdulah. J. Ovonic Res. 9, 55 (2013)
C. Sasaoka, Y. Kato, A. Usui. Jap. J. Appl. Phys. 30, L1756 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель