Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd_xHg_1-xTe на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения

DOI: 10.21883/FTT.2020.02.48870.601

Переводная версия: 10.1134/S1063783420020201

the Russian Fund for Fundamental Research, 18-29-20053

the Russian Ministry of Science , AAAA-A17-117121270018-3

Ступак М.Ф.^1,2, Михайлов Н.Н.^2,3, Дворецкий С.А.^3,4, Якушев М.В.³, Икусов Д.Г.³, Макаров С.Н.¹, Елесин А.Г.¹, Верхогляд А.Г.¹

¹Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия Technological Design Institute of Scientific Instrument Engineering at the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (TDI SIE SB RAS), Novosibirsk, Russia

Technological Design Institute of Scientific Instrument Engineering at the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (TDI SIE SB RAS), Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁴Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Email: stupak@tdisie.nsc.ru

Поступила в редакцию: 25 сентября 2019 г.

Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cd_xHg_1-xTe и подложек GaAs, при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации. По результатам исследования подложек (013) GaAs и буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs выявлено, что отклонения от ориентации поверхности (013) по кристаллофизическим углам Theta и φ составили 1-3^o у подложек GaAs и до 8^o у буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs, причем величину сигнала второй гармоники от буферных слоев можно считать обратно пропорциональной ширине рентгеновских кривых качания на половине максимума. На основе экспериментальных данных показано, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости chi_xyz(omega) кристаллической структуры Cd_xHg_1-xTe существенно превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs. Ключевые слова: нецентросимметричные кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, подложки GaAs, структуры Cd_xHg_1-xTe.

С.А. Ахматов, В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, В.В. Семиногов. УФН 147, 12, 675 (1985)
T.F. Heinz. Second-Order Nonlinear Optical Effects at Surfaces and Interfaces. In: Nonlinear Surface Electromagnetic Phenomena / Eds H. Ponth, G. Stegeman. North Holland Publ., Amsterdam (1991). P. 353--416
В.Ф. Краснов, В.И. Проц, А.М. Рубечик, С.Г. Струц, М.Ф. Ступак. Квантовая электрон. 17, 5, 602 (1990)
К.А. Брехов, К.А. Гришунин, Д.В. Афанасьев, С.В. Семин, Н.Э. Шерстюк, Е.Д. Мишина, А.В. Кимель. ФТТ 60, 1, 33 (2018)
В.В. Баланюк, В.Ф. Краснов, С.Л. Мушер, В.И. Проц, В.Э. Рябченко, С.А. Стоянов, С.Г. Струц, М.Ф. Ступак, В.С. Сыскин. Квантовая электрон. 22, 2, 196 (1995)
V.V. Balaniuk, S.L. Musher, A.M. Rubenchik, V.E. Ryabchenko, M.F. Stupak, S.A. Dvoretskii, V.I. Liberman, A.A. Fedorov, V.S. Syskin. Mater. Sci. Eng. B 44, 168 (1997)
Ю.Г. Сидоров, М.В Якушев, А.В. Колесников. Автометрия 50, 3, 25 (2014)
Ю.Г. Сидоров, М.В Якушев, В.С. Варавин, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, И.В. Сабинина, И.Д. Лошкарев. ФТТ 57, 11, 2095 (2015)
И.Д. Бурлаков, А.В. Демин, Г.Г. Левин, Н.А. Пискунов, С.В. Заботнов, А.С. Кашуба. Измерительная техника, 6, 15 (2010)
Е.В. Пермикина, А.С. Кашуба. Успехи прикладной физики 4, 5, 493 (2016)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев. Автометрия 55, 5, 31 (2019)
Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, A.O. Suslyakov, V.N. Ovsyuk. Proc. SPIE 4355, 228 (2001)
V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Opto-Electronics Rev. 11, 2, 99 (2003)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП 35, 9, 1092 (2001)
S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, D.G. Ikusov, V.A. Kartashev, A.V. Kolesnikov, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets. The Growth of CdTe Layer on GaAs Substrate by MBE. In: Cadmium Telluride (CdTe) --- Prospects, Challenges and Application (May 2019). DOI: 105772/intechopen.85563

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель