Описаны основные процессы, протекающие при диффузии газов монооксидов углерода CO и кремния SiO через слой монокристаллического карбида кремния SiC кубического политипа. Данная задача возникает при выращивании слоя монокристаллического SiC методом согласованного замещения атомов за счет химической реакции кристаллической подложки кремния с газом СО. Продуктами реакции являются эпитаксиальный слой SiC и газ SiO. Показано, что молекулы СО и SiO распадаются в кристалле SiC на отдельные атомы. Диффузия атомов кислорода осуществляется по междоузлиям только в направлении [110] с энергией активации 2.6 eV. Перемещение атомов Si и С происходит по вакансионному механизму в соответствующих подрешетках SiC с энергиями активации 3.6 eV и 3.9 eV соответственно и также лишь в направлении [110]. Ключевые слова: карбид кремния, диффузия, ab initio моделирование, эпитаксия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.