Вышедшие номера
Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
Переводная версия: 10.1134/S106378341912014X
Гращенко А.С., Кукушкин С.А. 1,2, Осипов А.В.
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmai.com, asgrashchenko@bk.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Исследованы упругие свойства наномасштабной пленки карбида кремния, выращенной на кремниевой подложке методом замещения атомов. Впервые методом наноиндентирования измерен модуль Юнга наномасштабного карбида кремния. Методами оптической профилометрии и спектральной эллипсометрии исследованы структурные характеристики пленки карбида кремния на кремнии, а именно, рассчитана шероховатость пленки и ее толщина. Ключевые слова: наноиндентирование, атомное замещение, карбид кремния, карбид кремния на кремнии, модуль Юнга.