Вышедшие номера
Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах AIIIBV
Переводная версия: 10.1134/S1063783419120230
Корякин А.А.1,2, Лещенко Е.Д.3,2, Дубровский В.Г.2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Solid State Physics and NanoLund, Lund University, Box 118, Lund, Sweden
Email: koryakinaa@spbau.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Проведено теоретическое исследование влияния упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах AIIIBV. Построены профили состава осевого гетероперехода InAs/GaAs в самокаталитических нитевидных нанокристаллах GaxIn1-xAs. Показано, что ширина гетероперехода InAs/GaAs составляет десятки монослоев и возрастает с увеличением радиуса нитевидного нанокристалла из-за упругих напряжений. Релаксация упругих напряжений на боковых поверхностях нитевидных нанокристаллов при типичной температуре роста (около 450oC) и радиусе нитевидных нанокристаллов больше 5 nm не приводит к возникновению области несмешиваемости в системе GaxIn1-xAs. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, полупроводники III-V, гетероструктуры, эпитаксия.
  1. S. Deshpande, J. Heo, A. Das, P. Bhattacharya. Nature Commun. 4, 1675 (2013)
  2. M.P. Kouwen, M.H.M. Weert, M.E. Reimer, N. Akopian, U. Perinetti, R.E. Algra, E.P.A.M. Bakkers, L.P. Kouwenhoven, V. Zwiller. Appl. Phys. Lett. 97, 113108 (2010)
  3. E.K. M rtensson, A.M. Whiticar, M. de la Mata, R.R. Zamani, J. Johansson, J. Nyg rd, K.A. Dick, J. Bolinsson. Cryst. Growth Des. 18, 6702 (2018)
  4. G. Priante, F. Glas, G. Patriarche, K. Pantzas, F. Oehler, J.-C. Harmand. Nano Lett. 16, 1917 (2016)
  5. K. Hiruma, H. Murakoshi, M. Yazawa, T. Katsuyama, J. Cryst. Growth 163, 226 (1996)
  6. L. Samuelson, C. Thelander, M.T. Bjork, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, A.E. Hansen, T. M rtensson, N. Panev, A.I. Persson, W. Seifert, N. Skold, M.W. Larsson, L.R. Wallenberg. Physica E 25, 313 (2004)
  7. E. Ertekin, P.A. Greaney, D.C. Chrzan, T.D. Sands. J. Appl. Phys. 97, 114325 (2005)
  8. F. Glas. Phys. Rev. B 74, 121302 (2006)
  9. F. Glas. J. Appl. Phys. 62, 3201 (1987)
  10. S.Yu. Karpov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 16 (1998)
  11. V.G. Dubrovskii, A.A. Koryakin, N.V. Sibirev. Mater. Des. 132, 400 (2017)
  12. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Cryst. Growth Des. 16, 2019 (2016)
  13. A.A. Koryakin, N.V. Sibirev, D.A. Zeze, V.G. Dubrovskii. J. Phys. Conf. Ser. 643, 012007 (2015)
  14. J. Johansson, M. Ghasemi. Cryst. Growth Des. 17, 1630 (2017)
  15. S. Christiansen, M. Albrecht, H.P. Strunk, H.J. Maier. Appl. Phys. Lett. 64, 3617 (1994)
  16. J.Y. Shen, C. Chatillon, I. Ansara, A. Watson, B. Rugg, T. Chart. Calphad 19, 215 (1995)
  17. Handbook Series on Semiconductor Parameters / Ed. M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur. World Scientific, Singapore (1996). V. 1
  18. R.C. Cammarata. Progr. Surface Sci. 46, 1 (1994)
  19. N. Li, T.Y. Tan, U. Gosele. Appl. Phys. A 90, 591 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.