Вышедшие номера
Исследования термоэлектрических свойств сверхрешеток на основе силицида марганца и германия
Переводная версия: 10.1134/S1063783419120102
Дорохин М.В.1, Кузнецов Ю.М.1, Лесников В.П.1, Здоровейщев А.В.1, Дёмина П.Б.1, Ерофеева И.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Представлены результаты исследования термоэлектрических материалов, сформированных методом импульсного лазерного осаждения на подложках сапфира и представляющих собой тонкие пленки MnSi1.74 с промежуточными слоями германия. В работе показано резкое снижение коэффициента теплопроводности сверхрешеток на основе силицида марганца и германия по сравнению с одиночными слоями силицида марганца эквивалентной толщины, что позволяет в разы повысить коэффициент термоэлектрической эффективности. Полученные значения коэффициента термоэлектрической добротности сопоставимы с известными из литературы значениями, характерные для аналогичных структур. Ключевые слова: тонкие пленки, высший силицид марганца, сверхрешетки, термоэлектрический эффект Зеебека, термоэлектрическая добротность.
  1. J. Mahtashan. Energy Procedia 74 (2015)
  2. C. Gayner, K.K. Kar. Prog. Mater. Sci. 83, 330 (2016)
  3. Z.-G. Chen, G. Han, L. Yang, L. Cheng, J. Zou. Mater. Int. Progr. Natur. Sci. 22, 535 (2012)
  4. L. Ivanova. J. Thermoelectricity 3, 60 (2009)
  5. S. Saini, P. Mele, H. Honda, K. Matsumoto, K. Miyazaki, A. Ichinose. J. Electronic Mater. 43, 2145 (2014)
  6. M.V. Dorokhin, I.V. Erofeeva, Yu.M. Kuznetsov, M.S. Boldin, A.V. Boryakov, A.A. Popov, E.A. Lantsev, N.V. Sakharov, P.B. Demina, A.V. Zdoroveyshchev, V.N. Trushin. Nanosystem. Phys. Chem. Mathemat. 9, 622 (2018)
  7. S. Bathula, M. Jayasimhadri, N. Singh, A.K. Srivastava, J. Pulikkotil, A. Dhar, R.C. Budhani. Appl. Phys. Lett. 101, 213902 (2012)
  8. E. Witkoske, X. Wang, M. Lundstrom, V. Askarpour, J. Maassen. J. Appl. Phys. 122, 175102 (2017)
  9. И.А. Томбасов. ФТТ 60, 12 (2018)
  10. Y. Chandel. IJSR 4, 6 (2015)
  11. A. Kandemir, A. Ozden, T. Cagin, C. Sevik. STAM 18, 187 (2017)
  12. M.V. Dorokhin, I.V. Erofeeva, Yu.M. Kuznetsov, M.S. Boldin, V.P. Lesnikov, A.V. Boryakov, A.A. Popov, E.A. Lantsev, N.V. Sakharov, P.B. Demina, A.V. Zdoroveyshchev, V.N. Trushin. Nanosystems. Phys. Chem. Mathemat. 9, 622 (2018)
  13. K.T. Wojciechowski, R. Zybala, R. Mania. J. Achievements Mater. Manufacturing Eng. 37, 2 (2009)
  14. D. Cahill. Rev. Sci. Insrum. 61, 802 (1990)
  15. F. Schaffler, E. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Prop. Adv. Semicond. Mater.: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe. Wiley, N.Y. (2001). 216 p
  16. F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol. 12, 1515 (1997)
  17. H. Stohr, W. Klemm. Z. Anorg. Allgem. Chem. 241, 305 (1939)
  18. X. Chen, A. Weathers, A. Moore, J. Zhou, L. Shi. J. Electron. Mater. 41, 6 (2012)
  19. S. Joo, H. Lee, J. Lee, J. Jang. J. Alloys Comp. 747, 1 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.