Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования термоэлектрических свойств сверхрешеток на основе силицида марганца и германия
Переводная версия: 10.1134/S1063783419120102 
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Представлены результаты исследования термоэлектрических материалов, сформированных методом импульсного лазерного осаждения на подложках сапфира и представляющих собой тонкие пленки MnSi1.74 с промежуточными слоями германия. В работе показано резкое снижение коэффициента теплопроводности сверхрешеток на основе силицида марганца и германия по сравнению с одиночными слоями силицида марганца эквивалентной толщины, что позволяет в разы повысить коэффициент термоэлектрической эффективности. Полученные значения коэффициента термоэлектрической добротности сопоставимы с известными из литературы значениями, характерные для аналогичных структур. Ключевые слова: тонкие пленки, высший силицид марганца, сверхрешетки, термоэлектрический эффект Зеебека, термоэлектрическая добротность.
- J. Mahtashan. Energy Procedia 74 (2015)
- C. Gayner, K.K. Kar. Prog. Mater. Sci. 83, 330 (2016)
- Z.-G. Chen, G. Han, L. Yang, L. Cheng, J. Zou. Mater. Int. Progr. Natur. Sci. 22, 535 (2012)
- L. Ivanova. J. Thermoelectricity 3, 60 (2009)
- S. Saini, P. Mele, H. Honda, K. Matsumoto, K. Miyazaki, A. Ichinose. J. Electronic Mater. 43, 2145 (2014)
- M.V. Dorokhin, I.V. Erofeeva, Yu.M. Kuznetsov, M.S. Boldin, A.V. Boryakov, A.A. Popov, E.A. Lantsev, N.V. Sakharov, P.B. Demina, A.V. Zdoroveyshchev, V.N. Trushin. Nanosystem. Phys. Chem. Mathemat. 9, 622 (2018)
- S. Bathula, M. Jayasimhadri, N. Singh, A.K. Srivastava, J. Pulikkotil, A. Dhar, R.C. Budhani. Appl. Phys. Lett. 101, 213902 (2012)
- E. Witkoske, X. Wang, M. Lundstrom, V. Askarpour, J. Maassen. J. Appl. Phys. 122, 175102 (2017)
- И.А. Томбасов. ФТТ 60, 12 (2018)
- Y. Chandel. IJSR 4, 6 (2015)
- A. Kandemir, A. Ozden, T. Cagin, C. Sevik. STAM 18, 187 (2017)
- M.V. Dorokhin, I.V. Erofeeva, Yu.M. Kuznetsov, M.S. Boldin, V.P. Lesnikov, A.V. Boryakov, A.A. Popov, E.A. Lantsev, N.V. Sakharov, P.B. Demina, A.V. Zdoroveyshchev, V.N. Trushin. Nanosystems. Phys. Chem. Mathemat. 9, 622 (2018)
- K.T. Wojciechowski, R. Zybala, R. Mania. J. Achievements Mater. Manufacturing Eng. 37, 2 (2009)
- D. Cahill. Rev. Sci. Insrum. 61, 802 (1990)
- F. Schaffler, E. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Prop. Adv. Semicond. Mater.: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe. Wiley, N.Y. (2001). 216 p
- F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol. 12, 1515 (1997)
- H. Stohr, W. Klemm. Z. Anorg. Allgem. Chem. 241, 305 (1939)
- X. Chen, A. Weathers, A. Moore, J. Zhou, L. Shi. J. Electron. Mater. 41, 6 (2012)
- S. Joo, H. Lee, J. Lee, J. Jang. J. Alloys Comp. 747, 1 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
