Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si₃N₃

DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48546.48ks

Переводная версия: 10.1134/S1063783419120308

Russian Foundation for Basic Research, Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-52-00008-Бел_а

Russian Foundation for Basic Research, Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-00947-а

Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф18Р-234

Милахин Д.С.¹, Малин Т.В.¹, Мансуров В.Г.¹, Галицын Ю.Г.¹, Кожухов А.С.¹, Александров И.А.¹, Ржеуцкий Н.В.², Лебедок Е.В.², Разумец Е.А.², Журавлев К.С.^1,3

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Государственное научно-производственное объединение "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника", Минск, Беларусь State Scientific and Production Association “Optics, Optoelectronics and Laser Technology”, Minsk, Belarus

State Scientific and Production Association “Optics, Optoelectronics and Laser Technology”, Minsk, Belarus

³Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: dmilakhin@isp.nsc.ru

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В данной работе изучен процесс формирования нанокристаллов GaN на графеноподобной модификации AlN (g-AlN) и графеноподобном нитриде кремния (g-Si₃N₃) методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Обнаружено, что рост GaN на поверхности g-Si₃N₃ приводит к формированию разориентированных нанокристаллов. При росте GaN на поверхности g-AlN наблюдался эпитаксиальный рост одинаково ориентированных квантовых точек GaN графитоподобной модификации. Рассчитаны параметры решетки и энергетическая структура двух графитоподобных модификаций GaN с чередованием слоев AB (структура графита) и AA⁺ (структура гексагонального нитрида бора). Ключевые слова: нанокристаллы GaN, графеноподобные слои, g-AlN, g-Si₃N₃, молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака.

V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, T.V. Malin, S.A. Teys, K.S. Zhuravlev, I. Cora, B. Pecz. Van der Waals and Graphene-Like Layers of Silicon Nitride and Aluminum Nitride [Online First], IntechOpen (2018)
D.C. Camacho-Mojica, F. Lopez-Urias. Chem. Phys. Lett. 652, 73 (2016)
C.L. Freeman, F. Claeyssens, N.L. Allan, J.H. Harding. Phys. Rev. Lett. 96, 066102 (2006)
A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986)
Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, А.П. Василенко, К.С. Журавлев. Автометрия 49, 13 (2013)
http://www.quantum-espresso.org
D.R. Hamann. Phys. Rev. B 88, 085117 (2013)
M. Sobanska, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz, J. Borysiuk, B.S. Witkowski, E. Lusakowska, A. Reszka, R. Jakiela. Cryst. Res. Technol. 47, 307 (2012)
A. Krost, A. Dadgar. Mater. Sci. Eng. B 93, 77 (2002)
H. Monkhorst, J. Pack. Phys. Rev. B 13, 5188 (1976)
J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)
S. Grimme. J. Comput. Chem. 27, 1787 (2006)
J. Heyd, G.E. Scuseria, M. Ernzerhof. J. Chem. Phys. 118, 8207 (2003).
M. Albrecht, S. Christiansen, G. Salviati, C. Zanotti-Fregonara, Y.T. Rebane, Y.G. Shreter, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K.J. Ebeling, M.D. Bremser, R.F. Davis, H.P. Strunk. Mater. Res. Soc. 468, 293 (1997)
Y.G. Shreter, Y.T. Rebane, T.J. Davis, J. Barnard, M. Darbyshire, J.W. Steeds, W.G. Perry, M.D. Bremser, R.F. Davis. Mater. Res. Soc. 449, 683 (1997)
A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, S. Nakamura. J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель