Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si3N3
Russian Foundation for Basic Research, Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-52-00008-Бел_а
Russian Foundation for Basic Research, Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-00947-а
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф18Р-234
Милахин Д.С.1, Малин Т.В.1, Мансуров В.Г.1, Галицын Ю.Г.1, Кожухов А.С.1, Александров И.А.1, Ржеуцкий Н.В.2, Лебедок Е.В.2, Разумец Е.А.2, Журавлев К.С.1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Государственное научно-производственное объединение "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника", Минск, Беларусь
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: dmilakhin@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
В данной работе изучен процесс формирования нанокристаллов GaN на графеноподобной модификации AlN (g-AlN) и графеноподобном нитриде кремния (g-Si3N3) методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Обнаружено, что рост GaN на поверхности g-Si3N3 приводит к формированию разориентированных нанокристаллов. При росте GaN на поверхности g-AlN наблюдался эпитаксиальный рост одинаково ориентированных квантовых точек GaN графитоподобной модификации. Рассчитаны параметры решетки и энергетическая структура двух графитоподобных модификаций GaN с чередованием слоев AB (структура графита) и AA+ (структура гексагонального нитрида бора). Ключевые слова: нанокристаллы GaN, графеноподобные слои, g-AlN, g-Si3N3, молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака.
- V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, T.V. Malin, S.A. Teys, K.S. Zhuravlev, I. Cora, B. Pecz. Van der Waals and Graphene-Like Layers of Silicon Nitride and Aluminum Nitride [Online First], IntechOpen (2018)
- D.C. Camacho-Mojica, F. Lopez-Urias. Chem. Phys. Lett. 652, 73 (2016)
- C.L. Freeman, F. Claeyssens, N.L. Allan, J.H. Harding. Phys. Rev. Lett. 96, 066102 (2006)
- A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986)
- Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, А.П. Василенко, К.С. Журавлев. Автометрия 49, 13 (2013)
- http://www.quantum-espresso.org
- D.R. Hamann. Phys. Rev. B 88, 085117 (2013)
- M. Sobanska, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz, J. Borysiuk, B.S. Witkowski, E. Lusakowska, A. Reszka, R. Jakiela. Cryst. Res. Technol. 47, 307 (2012)
- A. Krost, A. Dadgar. Mater. Sci. Eng. B 93, 77 (2002)
- H. Monkhorst, J. Pack. Phys. Rev. B 13, 5188 (1976)
- J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)
- S. Grimme. J. Comput. Chem. 27, 1787 (2006)
- J. Heyd, G.E. Scuseria, M. Ernzerhof. J. Chem. Phys. 118, 8207 (2003).
- M. Albrecht, S. Christiansen, G. Salviati, C. Zanotti-Fregonara, Y.T. Rebane, Y.G. Shreter, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K.J. Ebeling, M.D. Bremser, R.F. Davis, H.P. Strunk. Mater. Res. Soc. 468, 293 (1997)
- Y.G. Shreter, Y.T. Rebane, T.J. Davis, J. Barnard, M. Darbyshire, J.W. Steeds, W.G. Perry, M.D. Bremser, R.F. Davis. Mater. Res. Soc. 449, 683 (1997)
- A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, S. Nakamura. J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
