Вышедшие номера
Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063783419120527
Сорокин Л.М. 1, Гуткин M.Ю.2,3,4, Mясоедов A.В. 1, Kaлмыков A.E. 1, Бессолов В.Н. 1, Кукушкин С.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev.Sorokin@mail.Ioffe.ru, amyasoedov88@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано взаимодействие a+c и a-дислокаций в толстом (14 μm) полуполярном слое GaN, выращенном методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на темплейте 3C-SiC/Si(001). Показано, что распространение дислокационной полупетли с вектором Бюргерса b=(1)/(3)< 1210> в процессе остывания может быть заблокировано за счет ее реакции с прорастающей дислокацией с вектором Бюргерса b=(1)/(3)< 1213> с образованием дислокационного отрезка с вектором Бюргерса b=< 0001>. Сделана теоретическая оценка выигрыша в энергии системы в результате такой реакции. В приближении линейного натяжения дислокации показано, что этот выигрыш составляет ~7.6 eV/Angstrem, что дает ~45.6 keV для наблюдаемого нового дислокационного отрезка длиной ~600 nm. При этом вклад энергии дислокационного ядра оценивается величиной ~19.1 keV. Ключевые слова: Полуполярный нитрид галлия, дислокационные реакции, ПЭМ.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995)
  2. A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, Y. Aoyagi, A. Hirata. Appl. Phys. Lett. 77, 175 (2000)
  3. S. Nakamura, M. Senoh, Sh. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Jpn. J. Appl. Phys. 35, L217 (1996)
  4. D. Cherns, S.J. Henley, F.A. Ponce. Appl. Phys. Lett. 78, 2691 (2001)
  5. Q. Dai, M.F. Schubert, M.H. Kim, J.K. Kim, E.F. Schubert, D.D. Koleske, M.H. Crawford, S.R. Lee, A.J. Fischer, G. Thaler, M.A. Banas. Appl. Phys. Lett. 94, 111109 (2009)
  6. M.F. Schubert, S. Chhajed, J.K. Kim, E.F. Schubert, D.D. Koleske, M.H. Crawford, S.R. Lee, A.J. Fischer, G. Thaler, M.A. Banas. Appl. Phys. Lett. 91, 231114 (2007)
  7. T. Deguchi, K. Sekiguchi, A. Nakamura, T. Sota, R. Matsuo, Sh. Chichibu, Sh. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys. 38, L914 (1999)
  8. S.P. Denbaars, D. Feezell, K. Kelchner, S. Pimputkar, Ch.-Ch. Pan, Ch.-Ch. Yen, S. Tanaka, Y. Zhao, N. Pfaff, R. Farrell, M. Iza, S. Keller, U. Mishra, J.S. Speck, Sh. Nakamura. Acta Mater. 61, 945 (2013)
  9. A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 100 (2006)
  10. M.T. Hardy, P.Sh. Hsu, F. Wu, I.L. Koslow, E.C. Young, Sh. Nakamura, A.E. Romanov, S.P. DenBaars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 100, 202103 (2012)
  11. E.C. Young, C.S. Gallinat, A.E. Romanov, A. Tyagi, F. Wu, J.S. Speck. Appl. Phys. Express, 3, 111002 (2010)
  12. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, С.А. Кукушкин, А.В. Мясоедов, А.В. Осипов, С.Н. Родин, М.П. Щеглов, Н.А. Феоктистов. Письма в ЖТФ 40, 48 (2014)
  13. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  14. S.K. Mathis, A.E. Romanov, L.F. Chen, G.E. Beltz, W. Pompe, J.S. Speck. J. Cryst. Growth 231, 371 (2001)
  15. P.B. Hirsch. Electron microscopy of thin crystals. Krieger Pub. Co., Toledo, OH, U.S.A. (1977). 563 p
  16. J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of Dislocations. Wiley, N.Y. (1982). 857 p
  17. R. Groger, L. Leconte, A. Ostapovets. Comput. Mater. Sci. 99, 195 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.