Вышедшие номера
Влияние химического состава кристаллов TlIn1-xErxS2 (0≤ x≤0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний
Переводная версия: 10.1134/S1063783419110246
Мустафаева С.Н.1, Асадов М.М.2
1Институт физики НАА, Баку, Азербайджан
2Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

В полученных кристаллах TlIn1-xErxS2 (0≤ x≤0.01) изучены частотные зависимости действительной (ε') и мнимой (ε'') составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь (tgdelta) и ac-проводимости (sigmaac) в области частот f=5·104-3.5·107 Hz. Установлено, что в TlIn1-xErxS2 имеет место релаксационная дисперсия ε' и ε''. Изучено влияние концентрации эрбия (Er) в кристаллах TlIn1-xErxS2 на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость кристаллов TlIn1-xErxS2 подчинялась закономерности sigmaac~ f0.8, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlIn1-xErxS2 состояний, а также влияние химического состава кристаллов на эти параметры. Ключевые слова: сложные кристаллы TlIn1-xErxS2, частотная дисперсия, диэлектрические потери, прыжковый механизм переноса заряда, параметры локализованных состояний.