Мустафаева С.Н.1, Асадов М.М.2
1Институт физики НАА, Баку, Азербайджан
2Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
В полученных кристаллах TlIn1-xErxS2 (0≤ x≤0.01) изучены частотные зависимости действительной (ε') и мнимой (ε'') составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь (tgdelta) и ac-проводимости (sigmaac) в области частот f=5·104-3.5·107 Hz. Установлено, что в TlIn1-xErxS2 имеет место релаксационная дисперсия ε' и ε''. Изучено влияние концентрации эрбия (Er) в кристаллах TlIn1-xErxS2 на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость кристаллов TlIn1-xErxS2 подчинялась закономерности sigmaac~ f0.8, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlIn1-xErxS2 состояний, а также влияние химического состава кристаллов на эти параметры. Ключевые слова: сложные кристаллы TlIn1-xErxS2, частотная дисперсия, диэлектрические потери, прыжковый механизм переноса заряда, параметры локализованных состояний.
- Y. Shim, W. Okada, K. Wakita, N. Mamedov. J. Appl. Phys. 102, 1 (2007)
- T.D. Ibragimov, I.I. Aslanov. Solid State Commun. 123, 339 (2002)
- O.Z. Alekperov, G.B. Ibragimov, I.A. Axundov, A.I. Nadjafov, A.R. Fakix. Phys. Status Solidi C 6, 981 (2009)
- M.M. El-Nahass, S.B. Youssef, H.A.M. Ali, A. Hassan. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 55, 1 (2011)
- O.O. Gomonnai, R.R. Rosul, P.P. Guranich, A.G. Slivka, I.Yu. Roman, M.Yu. Rigan. High Press. Res. 32, 39 (2012)
- M. Isik, S. Delice, N.M. Gasanly. Acta Phys. Pol. A 126, 1299 (2014)
- S. Delice, N.M. Gasanly. Physica B 499, 44 (2016)
- I.M. Ashraf, A. Salem, M.J.A.L. Salah. Euro. J. Appl. Eng. Sci. Res. 6, 2, 34 (2018)
- А.П. Одринский, M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, Т.Г. Мамедов, В.Б. Алиева. ФТТ 58, 4, 696 (2016)
- Y. Araki, R. Asaba, K. Wakita, Y.G. Shim, K. Mimura, N. Mamedov. Phys. Status Solidi C 10, 1136 (2013)
- K. Wakita, M. Hagiwara, R. Paucar, Y. Shim, K. Mimura, N. Mamedov. J. Phys. Conf. Ser. 619 (2015). 012006. doi:10.1088/1742-6596/619/1/012006
- С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 4, 612 (1998)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996)
- А.В. Короткий, А.У. Шелег, В.В. Шевцова, А.В. Мудрый, С.Н. Мустафаева. Журн. прикл. спектроскопии 79, 3, 418 (2012)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ 51, 11, 2140 (2009)
- А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, В.В. Шевцова, С.Н. Мустафаева. ФТТ 54, 9, 1754 (2012)
- S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Mater. Chem. Phys. 40, 2, 142 (1995)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. Неорган. материалы 31, 3, 318 (1995)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. Неорган. материалы 49, 12, 1271 (2013)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Э.М. Керимова. ФТТ 55, 12, 2346 (2013)
- А.У. Шелег, В.В. Шевцова, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева. Поверхность. Рентг., синхр. нейтр. исслед. 11, 39 (2013)
- С.Н. Мустафаева. Журн. pадиоэлектроники. 5, 1 (2008)
- В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 c
- Ю.И. Равич, С.А. Немов. ФТП 36, 1, 3 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.