Исследована структура эпитаксиального графена, полученного в результате термодеструкции  поверхности карбида  кремния в условиях вакуумного синтеза и в среде Ar, методом электронографии на отражение. В результате проведенного исследования установлено значительно более однородное покрытие буферного слоя на поверхности SiC графеном при формировании его в инертной среде на поверхности политипов 4H- и 6H-SiC(0001) по сравнению с синтезом графена в вакууме. Показана зависимость качества покрытия от степени совершенства исходного монокристалла. Ключевые слова: графен, карбид кремния, термодеструкция, электронография.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.