Тонкие пленки оксида цинка легированного алюминием были выращены с помощью атомно-слоевого осаждения при температуре 200^oС. С помощью рентгеновской дифракции было обнаружено, что тонкие ZnO:Al пленки имеют пики от плоскостей (100), (002), (110) и (201) гексагональной фазы ZnO. Плоскости (101) и (102) были обнаружены также с помощью электронной дифракции. Тонкие ZnO:Al пленки растут гладкими со среднеквадратичной шероховатостью R_q равной 0.33  nm и характерными размерами нанокристаллита ~70 и ~15 nm без дополнительных фаз связанных с алюминием или оксидами алюминия. Пропускание на длине волны 550 nm с учетом подложки составляло ~96%. Были найдены коэффициенты преломления и поглощения тонких ZnO:Al пленок в диапазоне длин волн 250-900 nm. Максимальные значения для коэффициентов преломления и поглощения были 2.09 на длине волны 335 nm и 0.39 на длине волны 295 nm соответственно. Оптическая ширина запрещeнной зоны составляла 3.56 eV. Удельное сопротивление, коэффициент Зеебека и фактор мощности тонких ZnO:Al пленок составляли ~1.02·10^-3 Ohm·cm, ~-60μV/K и 340 μW·m^-1·K^-2 при комнатной температуре соответственно. Максимальный фактор мощности достигал 620 μW·m^-1·K^-2 при температуре 200^oC. Ключевые слова: атомно-слоевое осаждение, тонкие пленки, легированный алюминием оксид цинка, структурные и оптические свойства, термоэлектрические свойства.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.