Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2019, выпуск 10 » Статья стр. 1806
<<<>>>
Фазовые переходы в гафнате свинца в условиях высокого давления
DOI: 10.21883/FTT.2019.10.48252.421
Переводная версия: 10.1134/S1063783419100202
РНФ, Президентская программа исследовательских проектов,реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, № 17-72-20083
Parisiades P.1, Князева М.А.2, Андроникова Д.А.2,3, Литягин Г.А.2, Бронвальд Ю.А.2,3, Majchrowski A.4, Roleder K.5, Филимонов A.B.2, Бурковский Р.Г.2
1European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Grenoble, France
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Institute of Applied Physics, Military University of Technology, Warszawa, Poland
5Institute of Physics, University of Silesia, Chorzow, Poland
Email: kniazeva.maria225@yandex.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Исследовано влияние гидростатического давления на фазовые переходы в гафнате свинца (PbHfO3) методами дифракции и диффузного рассеяния рентгеновского излучения. Измерения проведены в интервале температур 182<T<316oC и в интервале давлений 1.6<P<2.6 GPa. Выявлены четыре области, характеризуемые различными дифракционными картинами и соответствующие антисегнетоэлектрической фазе, фазам с длинноволновой модуляцией свинцовой подрешeтки и фазам с различными искажениями кислородной подрешетки. В температурной области, находящейся непосредственно над областью фаз с длинноволновой модуляцией, выявлен температурно-зависимый максимум в распределении диффузного рассеяния, указывающий на то, что образование таких модуляцией обусловлено конденсацией несоразмерной мягкой моды. Ключевые слова: антисегнетоэлектрики, фазовые переходы, дифракция синхротронного излучения, гафнат свинца, гидростатическое давление.
  1. E. Sawaguchi, H. Maniwa, S. Hoshino. Phys. Rev. 83, 5, 1078 (1951)
  2. G.H. Haertling. J. Am. Ceram. Soc. 82, 4, 797 (1999)
  3. J.F. Scott. Science 315 5814, 954 (2007)
  4. C. Heremans, H.L. Tuller. J. Eur. Ceram. Soc. 19, 6-7, 1133 (1999)
  5. M.H. Park, C.S. Hwang. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories, Springer, Dordrecht (2016)
  6. B. Xu, J. Iniguez, L. Bellaiche. Nature Commun. 8, 15682 (2017)
  7. Z. Liu, T. Lu, J. Ye, G. Wang, X. Dong, R. Withers, Y. Liu. Adv. Mater. Technol. 3, 9, 1800111. (2018)
  8. R.W. Whatmore, A.M. Glazer. J. Phys. C 12, 8, 1505 (1979)
  9. J. Iniguez, M. Stengel, S. Prosandeev, L. Bellaiche. Phys. Rev. B,  90, 22, 220103 (2014)
  10. A.K. Tagantsev, K. Vaideeswaran, S.B. Vakhrushev, A.V. Filimonov, R.G. Burkovsky, A. Shaganov, D. Andronikova, A.I. Rudskoy, A.Q.R. Baron, H. Uchiyama, D. Chernyshov, A. Bosak, Z. Ujma, K. Roleder, A. Majchrowski, J.-H. Ko, N. Setter. Nature Commun. 4, 2229 (2013)
  11. J. Hlinka, T. Ostapchuk, E. Buixaderas, C. Kadlec, P. Kuzel, I. Gregora, J. Kroupa, M. Savinov, A. Klic, J. Drahokoupil. Phys. Rev. Lett. 112, 19, 197601 (2014)
  12. R.G. Burkovsky, I. Bronwald, D. Andronikova, B. Wehinger, M. Krisch, J. Jacobs, D. Gambetti, K. Roleder, A. Majchrowski, A.V. Filimonov, A.I. Rudskoy, S.B. Vakhrushev, A.K. Tagantsev. Sci. Rep. 7, 41512 (2017)
  13. G.A. Samara. Phys. Rev. B 1, 3777 (1970)
  14. G. Shirane, R. Pepinsky. Phys. Rev. 91, 4, 812 (1953)
  15. D.L. Corker, A.M. Glazer, W. Kaminsky, R.W. Whatmore, J. Dec, K. Roleder. Acta Cryst. B 54, 1, 18 (1998)
  16. M.F. Kuprianov, S.M. Zaitsev, E.S. Gagarina, E.G. Fesenko. Phase Trans. 4, 1, 55 (1983)
  17. H. Fujishita, A. Ogawaguchi, S. Katano. J. Phys. Soc. Jpn. 77, 6, 064601 (2008)
  18. V. Madigout, J.L. Baudour, F. Bouree, C. Favotto, M. Roubin, G. Nihoul. Phil. Mag. A 79, 4, 847 (1999)
  19. H. Fujishita, K. Kato, E. Nishibori, M. Takata, M. Sakata, S. Katano . J. Phys. Soc. Jpn 87, 12, 124603 (2018)
  20. O.E. Fesenko, L.E. Balyunis. Ferroelectrics 29, 1, 95 (1980)
  21. L.C. Ming, A. Jayaraman, S.R. Shieh, Y.H. Kim, M.H. Manghnani. J. Phys. Chem. Sol. 55, 11, 1213 (1994)
  22. A. Jayaraman, S.K. Sharma, L.C. Ming, S.Y. Wang. J. Phys. Chem. Sol. 55, 11, 1207 (1994)
  23. M. Knjazeva, Y. Bronwald, D. Andronikova, G. Lityagin, A. Bosak, P. Paraskevas, , K. Roleder, A. Majchrowski, A. Fotiadi, A. Filimonov, R. Burkovsky. Defect Diffus. Forum 386, 149 (2018)
  24. R.G. Burkovsky, D. Andronikova, Y. Bronwald, M. Krisch, K. Roleder, A. Majchrowski, A.V. Filimonov, A.I. Rudskoy, S.B. Vakhrushev. J. Phys.: Condens. Matter 27, 33, 335901 (2015)
  25. M.A. Knyazeva, Yu.A. Bronvald, A.A. Bosak, R.G. Burkovsky, D.A. Andronikova, G.A. Lityagin, S.B. Vakhrushev, G.A. Politova, A.V. Filimonov. IX Int. Sci. Tech. Conf. "Micro- and nanotechnology in electronics". Nalchik (2017)
  26. А. Брус, Р. Каули. Структурные фазовые переходы Мир, M. (1984). 408 с.
  27. R.W. Whatmore, A.M. Glazer. J. Phys. C 12, 8, 1505 (1979)
  28. A.M. Glazer. Acta Cryst. A 31, 6, 756 (1975)
  29. R.A. Cowley. Phys. Rev. 134, 981 (1964)
  30. H.J. Xiang, M. Guennou, J. Iniguez, J. Kreisel, \& L. Bellaiche. Phys. Rev. B  96, 5, 054102 (2017)
  31. P. Goudochnikov, A.J. Bell. J. Phys.: Condens. Matter. 19, 17, 176201 (2007)
  32. M. Iizumi, J. Axe, G. Shirane, K. Shimaoka. Phys. Rev. B 15, 4392 (1977)
  33. Р. Блинц, Б. Жекш. Сегнетоэлектрики и анти-сегнетоэлектрики: Динамика решетки / Мир, M. (1975). 402 c.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme