Издателям
Вышедшие номера
Влияние окисления на электрические свойства гранулированных наноструктур меди
Кожевин В.М.1, Явсин Д.А.1, Смирнова И.П.1, Кулагина М.М.1, Гуревич С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vmk@pltec.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Исследовались структурные и электрические свойства тонких гранулированных металлических пленок, полученных методом лазерной электродисперсии. Установлено, что такие структуры, состоящие из аморфных частиц меди размером 5 nm, крайне устойчивы к окислению. Так, при окислении на воздухе частицы меди покрываются окисными оболочками Cu2O толщиной около 1 nm за время порядка нескольких дней, после чего дальнейший рост толщины окисла прекращается. Проводимость окисленных плотноупакованных структур осуществляется за счет туннельных переходов электронов между отдельными частицами, в то время как в частично окисленных структурах протекание тока связано с туннельными прыжками электронов между проводящими ансамблями, состоящими из нескольких наночастиц. Показано, что размеры наночастиц, а также размеры проводящих ансамблей, могут быть определены с помощью анализа температурных зависимостей проводимости и независимо из вида вольт-амперных характеристик пленок. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-17827, 02-03-32609), МНТЦ (проект В N 678), программы МНПТ "Технология низкоразмерных объектов и систем" (ГК N 40.072.1.1.1178).
  • R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett. 72, 61 (1998)
  • V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, M.A. Zabelin, S.A. Gurevich, I.N. Yassievich, T.N. Rostovshchikova, V.V. Smirnov. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St.-Petersburg, Russia (2002). P. 41
  • А.Л. Бучаченко. Проблемы и достижения физико-химической и инженерной науки в области наноматериалов. М. (2002). Т. 1. С. 15
  • K. Deppert, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett. 68, 10, 1409 (1996)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. М. (1979)
  • B. Abeles, P. Sheng, M.D. Coutts, Y. Arie. Adv. Phys. 24, 407 (1975)
  • E. Guevas, M. Ortuno, J. Ruiz. Phys. Rev. Lett. 71, 1871 (1993)
  • V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, V.M. Kouznetsov, V.M. Busov, V.M. Mikushkin, S.Yu. Nikonov, S.A. Gurevich, A. Kolobov. JVST B18, 1402 (2000)
  • R. van Wijk, P.C. Gorts, A.J.M. Mens, O.L.J. Gijzeman, F.H.P.M. Habraken, J.W. Geus. Appl. Surf. Sci. 90, 261 (1995)
  • V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, S.A. Gurevich, V.M. Kouznetsov, V.M. Mikushkin, S.Yu. Nikonov, A.N. Titkov, A.V. Ankudinov. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St.-Petersburg, Russia (1999). P. 205
  • M.P. Seah, W.A. Dench. Surf. Inerf. Anal. 1, 2 (1979)
  • Б.В. Некрасов. Основы общей химии. Т. 3. Химия, М. (1970)
  • A. Yanase, H. Matsue, K. Tanaka, H. Komiyama. Surf. Sci. 219, L601 (1989)
  • M. Diociaiuti, A. Bascelli, L. Paoletti. Vaccum 43, 575 (1992)
  • Glassy Metals / Ed. by H.S. Guntherodt, H. Beck. Springer Verlag, Berlin-Heidelberg-N. Y. (1981)
  • Е.З. Мехлихов. ЖЭТФ 120, 712 (2001)
  • Д.А. Закгейм, И.В. Рожанский, И.П. Смирнова, С.А. Гуревич. ЖЭТФ 91, 553 (2000)
  • Д.А. Закгейм, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич. Письма в ЖЭТФ 70, 100 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.