Издателям
Вышедшие номера
Влияние окисления на электрические свойства гранулированных наноструктур меди
Кожевин В.М.1, Явсин Д.А.1, Смирнова И.П.1, Кулагина М.М.1, Гуревич С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vmk@pltec.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Исследовались структурные и электрические свойства тонких гранулированных металлических пленок, полученных методом лазерной электродисперсии. Установлено, что такие структуры, состоящие из аморфных частиц меди размером 5 nm, крайне устойчивы к окислению. Так, при окислении на воздухе частицы меди покрываются окисными оболочками Cu2O толщиной около 1 nm за время порядка нескольких дней, после чего дальнейший рост толщины окисла прекращается. Проводимость окисленных плотноупакованных структур осуществляется за счет туннельных переходов электронов между отдельными частицами, в то время как в частично окисленных структурах протекание тока связано с туннельными прыжками электронов между проводящими ансамблями, состоящими из нескольких наночастиц. Показано, что размеры наночастиц, а также размеры проводящих ансамблей, могут быть определены с помощью анализа температурных зависимостей проводимости и независимо из вида вольт-амперных характеристик пленок. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-17827, 02-03-32609), МНТЦ (проект В N 678), программы МНПТ "Технология низкоразмерных объектов и систем" (ГК N 40.072.1.1.1178).
  1. R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett. 72, 61 (1998)
  2. V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, M.A. Zabelin, S.A. Gurevich, I.N. Yassievich, T.N. Rostovshchikova, V.V. Smirnov. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St.-Petersburg, Russia (2002). P. 41
  3. А.Л. Бучаченко. Проблемы и достижения физико-химической и инженерной науки в области наноматериалов. М. (2002). Т. 1. С. 15
  4. K. Deppert, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett. 68, 10, 1409 (1996)
  5. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. М. (1979)
  6. B. Abeles, P. Sheng, M.D. Coutts, Y. Arie. Adv. Phys. 24, 407 (1975)
  7. E. Guevas, M. Ortuno, J. Ruiz. Phys. Rev. Lett. 71, 1871 (1993)
  8. V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, V.M. Kouznetsov, V.M. Busov, V.M. Mikushkin, S.Yu. Nikonov, S.A. Gurevich, A. Kolobov. JVST B18, 1402 (2000)
  9. R. van Wijk, P.C. Gorts, A.J.M. Mens, O.L.J. Gijzeman, F.H.P.M. Habraken, J.W. Geus. Appl. Surf. Sci. 90, 261 (1995)
  10. V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, S.A. Gurevich, V.M. Kouznetsov, V.M. Mikushkin, S.Yu. Nikonov, A.N. Titkov, A.V. Ankudinov. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St.-Petersburg, Russia (1999). P. 205
  11. M.P. Seah, W.A. Dench. Surf. Inerf. Anal. 1, 2 (1979)
  12. Б.В. Некрасов. Основы общей химии. Т. 3. Химия, М. (1970)
  13. A. Yanase, H. Matsue, K. Tanaka, H. Komiyama. Surf. Sci. 219, L601 (1989)
  14. M. Diociaiuti, A. Bascelli, L. Paoletti. Vaccum 43, 575 (1992)
  15. Glassy Metals / Ed. by H.S. Guntherodt, H. Beck. Springer Verlag, Berlin-Heidelberg-N. Y. (1981)
  16. Е.З. Мехлихов. ЖЭТФ 120, 712 (2001)
  17. Д.А. Закгейм, И.В. Рожанский, И.П. Смирнова, С.А. Гуревич. ЖЭТФ 91, 553 (2000)
  18. Д.А. Закгейм, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич. Письма в ЖЭТФ 70, 100 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.