Вышедшие номера
Диэлектрический отклик керамических твердых растворов 16BiScO3-42PbMg1/3Nb2/3O3-42PbTiO3 в электрическом поле
Переводная версия: 10.1134/S1063783419080146
Камзина Л.С.1, Таланов М.В.2, Буш А.А.3, Спицин А.И.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Южный федеральный университет, Институт физики, Ростов-на-Дону, Россия
3МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: askam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Представлены результаты исследования диэлектрических и электромеханических свойств керамических образцов сегнетоэлектрика--релаксора 16BiScO3-42PbMg1/3Nb2/3O3-42PbTiO3 в электрических полях (0<E<20 kV/cm). В полях, превышающих коэрцитивное поле (E>10 kV/cm), обнаружено значительное снижение величины диэлектрической проницаемости со временем, а также исчезновение гистерезиса на зависимости продольной деформации от напряженности электрического поля, что связывается нами с индуцированным фазовым переходом в сегнетоэлектрическую фазу. Показано, что индуцированная в поле фаза (предположительно тетрагональная) является нестабильной и частично упорядоченной. Немонотонный характер временных зависимостей диэлектрической проницаемости, наблюдаемый в исследуемой керамике и отличающийся от других сегнетоэлектриков--релаксоров, объясняется сосуществованием стекольной и сегнетоэлектрической фаз. Ключевые слова: сегнетоэлектричество, релаксоры, фазовые переходы.
  1. S. Zhang, F. Li. J. Appl. Phys. 111, 031301 (2012)
  2. S.-E. Park, T.R. Shrout. IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. 44 (5), 1140 (1997)
  3. S.-E. Park, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 82, 4, 1804 (1997)
  4. S.J. Zhang, P.W. Rehrig, C.A. Randall, T.R. Shrout. J. Crystal Growth. 234, 415 (2002)
  5. N. Yasuda, H. Ohwa, M. Kume, K. Hayashi, Y. Hosono, Y. Yamashita. J. Crystal Growth. 229, 229 (2001)
  6. S.J. Zhang, L. Lebrun, S.R. Rhee, R.E. Eitel, C.A. Randal, T.R. Shrout. J. Crystal Growth. 236, 210 (2002)
  7. S.J. Zhang, S.M. Lee, D.H. Kim, H.Y. Lee, T.R. Shrout. Appl.Phys. Lett. 90, 232911 (2007)
  8. S.J. Zhang, J. Luo, W. Hackenberger, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 104, 064106 (2008)
  9. C.J. Stringer, T.R. Shrout, C.A. Randall. J. Appl. Phys. 101, 054107 (2007)
  10. А.А. Буш, К.Е. Каменцев, М.А. Бехтин, А.Г. Сегалла. ФТТ 59, 36 (2017)
  11. A.A. Bush, K.E. Kamentsev, A.M. Lavrent'ev, A.G. Segalla, Yu.K. Fetisov. Inorg Mater. 47, 779 (2011)
  12. M.V. Talanov, A.A. Bush, K.E. Кamentsev, V.P. Sirotinkin, A.G. Segalla. J. Am. Ceram. Soc. 101, 2, 683 (2018)
  13. S.L. Ginzburg. Irreversible Phenomena of Spin Glasses. Nauka, M. (1989)
  14. Y.-H. Bing, A.A. Bokov, Z.-G. Ye. Current Appl. Phys. 11, s14 (2011)
  15. А.А. Буш, В.Г. Сиротинкин, А.Г. Сегалло, А.И. Спицин. Кристаллография 63, 93 (2018)
  16. F. Chu, I.M. Reaney, N. Setter. Ferroelectrics 151, 343 (1994)
  17. E.V. Colla, E.Y. Koroleva, N.M. Okuneva, S.B. Vakhrushev. Phys. Rev. Lett. 74, 1681 (1995)
  18. Л.С. Камзина. ФТТ 58, 2372 (2016)
  19. Л.С. Камзина, Л.А. Кулакова. ФТТ 60, 955 (2018)
  20. Л.С. Камзина, Л.А. Кулакова, H. Luo. ФТТ 61, 703 (2019)
  21. Л.С. Камзина, Л.А. Кулакова. ФТТ 59, 290 (2017)
  22. Л.С. Камзина, Л.А. Кулакова, G. Li. ФТТ 61, 104 (2019)
  23. D.-S. Paik, S.-E. Park, S. Wada, S.-F. Liu, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 85, 2, 1080 (1999)
  24. B. Noheda, Z. Zhong, D.E. Cox, G. Shirane, S.-E. Park, P. Rehrig. Phys. Rev. B 65, 224101 (2002)
  25. W. Ren, S-F. Liu, B.K. Mukherjee. Appl. Phys. Lett. 80, 3174 (2002)
  26. M. Davis, D. Damjanovic, N. Setter. Phys. Rev. B 73, 014115 (2006)
  27. М.В. Таланов, О.А. Бунина, М.А. Бунин, И.Н. Захарченко, Л.А. Резниченко. ФТТ 55, 288 (2013)
  28. M.V. Talanov, L.A. Shilkina, L.A. Reznichenko. Sensor Actuat. A 217, 62 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.