Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Локализация экситона Ванье-Мотта на органополупроводниковом интерфейсе ленгмюровская пленка / CdS"
Переводная версия: 10.1134/S1063783419070175 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО НТ-МДТ Спектрум Инструментс, Москва, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2ООО НТ-МДТ Спектрум Инструментс, Москва, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Исследованы низкотемпературные (T=2 K) спектры отражения света от органополупроводниковых структур, изготовленных путем нанесения пленок Ленгмюра-Блоджетт на поверхности кристаллов сульфида кадмия (CdS). Спектры изучались в области резонансной частоты экситонного состояния An=1 в CdS. Выполнен анализ спектров в рамках модели многослойной среды с учетом пространственной дисперсии и безэкситонного мертвого" слоя вблизи поверхности кристалла, контактирующей с пленкой. Делается вывод о том, что в результате нанесения органической пленки на поверхность полупроводникового кристалла происходит пространственная локализация экситона Ванье-Мотта вблизи интерфейса пленка-кристалл". Ключевые слова: органополупроводниковая структура, ленгмюровская пленка, экситон Ванье-Мотта, поверхностная локализация.
- Ultrafast Dynamics and Laser Action of Organic Semiconductors / Ed. Z.V. Vardeny. CRC Press: Boca Raton, FL, (2009)
- Organic Photovoltaics: Mechanisms, Materials, and Devices / Eds S.S. Sun, N.S. Sariciftci. CRC Press: Boca Raton, FL, (2005)
- V.M. Agranovich, Yu.N. Gartstein, M. Litinskaya. Chem. Rev. 111, 5179 (2011)
- Nguyen Que Huong. Adv. Nature Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 2, 013001 (2011)
- V.M. Agranovich. Pure Appl. Opt. 7, 119 (1998)
- V.M. Agranovich. 25th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology. (2017). P. 313
- V.M. Agranovich, D.M. Basko, G.C. La Rocca. Phys. Rev. B 86, 165204 (2012)
- M. Slootsky, Xiaoze Liu, Vinod M. Menon, Stephen R. Forrest. Phys. Rev. Lett. 112, 076401 (2014)
- G. Heliotis, G. Itkos, R. Murray, M.D. Dawson. Adv. Mater. 18, 334 (2006)
- В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во. СПб. ун-та (2003). 244 с
- J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev. 132, 2, 563 (1963)
- В.М. Агранович, В.Л. Гинзбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. Наука, М. (1979). 432 c
- Н.Н. Ахмедиев, М.И. Сажин, А.В. Селькин. ЖЭТФ 96, 2(8), (1989). С. 720
- С.И. Пекар. ЖЭТФ 33, 4, (1957). С. 1022
- С.И. Пекар. ФТТ 4, 1301 (1962)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
