Вышедшие номера
Локализация экситона Ванье-Мотта на органополупроводниковом интерфейсе ленгмюровская пленка / CdS"
Переводная версия: 10.1134/S1063783419070175
Королькова К.А.1, Новак В.Р.2, Селькин А.В.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО НТ-МДТ Спектрум Инструментс, Москва, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Исследованы низкотемпературные (T=2 K) спектры отражения света от органополупроводниковых структур, изготовленных путем нанесения пленок Ленгмюра-Блоджетт на поверхности кристаллов сульфида кадмия (CdS). Спектры изучались в области резонансной частоты экситонного состояния An=1 в CdS. Выполнен анализ спектров в рамках модели многослойной среды с учетом пространственной дисперсии и безэкситонного мертвого" слоя вблизи поверхности кристалла, контактирующей с пленкой. Делается вывод о том, что в результате нанесения органической пленки на поверхность полупроводникового кристалла происходит пространственная локализация экситона Ванье-Мотта вблизи интерфейса пленка-кристалл". Ключевые слова: органополупроводниковая структура, ленгмюровская пленка, экситон Ванье-Мотта, поверхностная локализация.
  1. Ultrafast Dynamics and Laser Action of Organic Semiconductors / Ed. Z.V. Vardeny. CRC Press: Boca Raton, FL, (2009)
  2. Organic Photovoltaics: Mechanisms, Materials, and Devices / Eds S.S. Sun, N.S. Sariciftci. CRC Press: Boca Raton, FL, (2005)
  3. V.M. Agranovich, Yu.N. Gartstein, M. Litinskaya. Chem. Rev. 111, 5179 (2011)
  4. Nguyen Que Huong. Adv. Nature Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 2, 013001 (2011)
  5. V.M. Agranovich. Pure Appl. Opt. 7, 119 (1998)
  6. V.M. Agranovich. 25th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology. (2017). P. 313
  7. V.M. Agranovich, D.M. Basko, G.C. La Rocca. Phys. Rev. B 86, 165204 (2012)
  8. M. Slootsky, Xiaoze Liu, Vinod M. Menon, Stephen R. Forrest. Phys. Rev. Lett. 112, 076401 (2014)
  9. G. Heliotis, G. Itkos, R. Murray, M.D. Dawson. Adv. Mater. 18, 334 (2006)
  10. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во. СПб. ун-та (2003). 244 с
  11. J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev. 132, 2, 563 (1963)
  12. В.М. Агранович, В.Л. Гинзбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. Наука, М. (1979). 432 c
  13. Н.Н. Ахмедиев, М.И. Сажин, А.В. Селькин. ЖЭТФ 96, 2(8), (1989). С. 720
  14. С.И. Пекар. ЖЭТФ 33, 4, (1957). С. 1022
  15. С.И. Пекар. ФТТ 4, 1301 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.