Вышедшие номера
Электропроводность и поляризационные процессы в кристаллах PbWO4
Шевчук В.Н.1, Каюн И.В.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Email: shevchuk@wups.lviv.ua
Поступила в редакцию: 7 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Выяснение закономерностей ионно-электронных процессов в нелегированном монокристалле PbWO4 при переходе в квазиравновесное состояние во внешнем постоянном электрическом поле при изменении температуры в пределах 290-600 K за линейным законом со временем проведено на основании комплекса электрофизических исследований: полной электропроводности, токов термостимулированной поляризации и термостимулированной деполяризации. Предполагается, что температурную зависимость проводимости можно описать в рамках теории поляронов малого радиуса. Термостимулированные токи поляризации-деполяризации интерпретируются с привлечением объемно-зарядового (пики тока в области 400-550 K) и дипольного (пики тока в области 290-370 K) механизмов образования поляризационного заряда в образце. Сделан вывод, что основной вклад в дипольную поляризацию, вероятно, вносят диполоны - пары двухзарядных вакансий (катионная + анионная), объединенные электростатическим взаимодействием. Рассчитаны основные параметры релаксационных явлений и электропереноса.
  1. Л.В. Атрощенко, С.Ф. Бурачас, Л.П. Гальчинецкий, Б.В. Гринев, В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы ионизирующих излучений на их основе. Наук. думка, Киев (1998). 312 с
  2. M. Nikl. Phys. Stat. Sol. (a) 178, 2, 595 (2000)
  3. J.A. Groenink, H. Binsma. J. Sol. State Chem. 29, 2, 227 (1979)
  4. М.В. Мохосоев, Ж.Г. Базарова. Сложные оксиды молибдена и вольфрама с элементами I--IV групп. Наука, М. (1990). 256 с
  5. T. Esaka, T. Mina-ai. Solid. State Ionics 57, 3-- 4, 319 (1992)
  6. T. Esaka, R. Tachibana, S. Takai. Solid State Ionics 92, 1-- 2, 129 (1996)
  7. S. Takai, K. Suginura, T. Esaka. Mater. Res. Bull. 34, 2, 193 (1999)
  8. M. Suszynska, B. Macalik, M. Nikl. Rad. Eff. Def. Sol. 150, 1-- 4, 35 (1999)
  9. M. Suszynska, B. Macalik, M. Nikl. J. Appl. Phys. 86, 2, 1090 (1999)
  10. H. Huang, W. Li, X. Feng, P. Wang. Phys. Stat. Sol. (a) 187, 2, 563 (2001)
  11. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термостимулированная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. Наука, М. (1991). 248 с
  12. Y. Zhang, N.A.W. Holtzwarth, R.T. Williams. Phys. Rev. B 57, 20, 12 738 (1998)
  13. О.В. Иванов, А.П. Находнова, В.Н. Кривобок. ЖНХ 27, 3, 587 (1982)
  14. E. Auffrau, I. Dafinei, P. Lecoq, M. Schneegans. Rad. Eff. Def. Sol. 135, 1-- 4, 343 (1995)
  15. M. Nikl, K. Nitsch, S. Baccaro, A. Cecilia, M. Montecchi, B. Borgia, I. Dafinei, M. Diemoz, M. Martini, E. Rosetta, G. Spinolo, A. Vedda, M. Kobayashi, M. Ishii, Y. Usuki, O. Yarolimek, P. Reiche. J. Appl. Phys. 82, 11, 5758 (1997)
  16. A. Annenkov, E. Auffrau, M. Korznik, P. Lecoq. Phys. Stat. Sol. (a) 170, 1, 47 (1998)
  17. L. Nagornaya, A. Apanasenko, I. Tupitsina. Proc. Intern. Conf. SCINT-95. Delft, The Netherlands. Delft University Press (1996). P. 299
  18. M. Martini, E. Rosetta, G. Spinolo, A. Vedda, M. Nikl, K. Nitsch, I. Dafinei, P. Lecoq. J. Luminescence 72--74, 689 (1997)
  19. A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Rad. Eff. Def. Sol. 134, 1-- 4, 251 (1995)
  20. O. Lim, X. Feng, Z. Man, Z. Shi, Q. Zhang. Phys. Stat. Sol. (a) 181, R1 (2000)
  21. Е.Г. Реут. ФТТ 23, 8, 2514 (1981)
  22. I.М. Сольський, А.С. Волошиновський, Р.В. Гамерник, А.С. Крочук, З.А. Хапко. УФЖ 46, 8, 881 (2001)
  23. V.V. Laguta, J. Rosa, M.I. Zaritskii, M. Nikl, Y. Usuki. J. Phys.: Condens. Matter. 10, 7293 (1998)
  24. R.T. Williams, K.B. Ucer, G. Xiong, H.M. Yochum, L.G. Grigorjeva, D.K. Millers, G. Corradi. Rad. Eff. Def. Sol. 155, 1-- 4, 265 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.