Изучаются особенности кристаллической структуры и светоизлучающие свойства островковых 3C-SiC пленок, выращиваемых при пониженных температурах на поверхности Si(100) методом вакуумной химической эпитаксии с использованием водородсодержащих соединений. Методами микроскопии прослеживается характер зарождения, механизмы роста нанокристаллической текстуры микроостровков, а также влияние на форму зарождающихся островков упругих напряжений, накапливаемых на поверхности растущей карбидной пленки. Проведено сопоставление спектров катодолюминесценции от поверхностного карбидизированного слоя Si и от различных участков отдельного 3C-SiC островка. Обсуждаются возможные механизмы появления в наблюдаемых спектрах эпитаксиальных структур дополнительных спектральных линий, сдвинутых относительно основного пика в красную и ультрафиолетовую области спектрального диапазона. Ранее эти полосы излучения обнаруживались только в спектрах люминесценции SiC нанокристаллитов, встраиваемых в различные (чаще всего SiO₂) матрицы. Сопоставительный анализ поведения линий в наблюдаемых люминесцентных спектрах не показал заметного влияния размеров формируемых поверхностных нанокристаллитов на их положение, но продемонстрировал их явную зависимость от содержания кислорода на границе между 3C-SiС слоем и кремниевой подложкой. Ключевые слова: кубическая фаза карбида кремния, гетероэпитаксия, островковый рост, микрокристаллическая структура, катодолюминесценция, светоизлучающие механизмы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.