Вышедшие номера
Углеродные наноструктуры на полупроводниковой подложке
Переводная версия: 10.1134/S1063783419060039
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 января 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Для простых моделей углеродных наноструктур (латеральной гетероструктуры графен - нитрид бора, декорированных зигзагообразных кромок полубесконечного графена и графеновой наноленты, декорированного карбина) получены аналитические выражения для плотностей состояний и чисел заполнения. Основное внимание уделено режиму сильной связи наноструктур с полупроводниковой подложкой. Численные оценки приведены для SiC-подложки.