Вышедшие номера
Механизмы модификации энергетического спектра в высокотемпературных сверхпроводниках висмутовой, таллиевой и ртутной систем под действием легирования и увеличения числа медь-кислородных слоев
Мартынова О.А.1, Гасумянц В.Э.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: vgas@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 15 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

Представлены результаты сравнительного исследования особенностей электронного транспорта и сверхпроводящих свойств в бесцепочечных высокотемпературных сверхпроводниках висмутовой, таллиевой и ртутной систем с различным уровнем и типом легирования, а также числом медь-кислородных слоев. Показано, что модель асимметричной узкой зоны позволяет удовлетворительно описать данные по температурным зависимостям коэффициента термоэдс для всех исследованных систем, что доказывает возможность применения данной модели в качестве универсального метода описания и анализа особенностей электронного транспорта в высокотемпературных сверхпроводниках различных систем. Определены параметры энергетического спектра и системы носителей заряда в нормальной фазе, выявлены общие для различных систем закономерности в трансформации энергетического спектра под действием легирования и роста числа медь-кислородных слоев. Сделаны выводы о характере и механизмах влияния параметров энергетического спектра в нормальном состоянии на сверхпроводящие свойства бесцепочечных высокотемпературных сверхпроводников в optimally-doped и underdoped режимах легирования. Показано, что в underdoped режиме независимо от типа легирования во всех исследованных системах для фаз с различным числом медь-кислородных слоев зависимость критической температуры от эффективной ширины проводящей зоны имеет характер, близкий к универсальному. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 гг., г/к N П1237).