Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2003, выпуск 9 » Статья стр. 1614
<<<>>>
Упругие поля винтовой супердислокации с полым ядром (трубки), перпендикулярной свободной поверхности кристалла
Шейнерман А.Г.1, Гуткин М.Ю.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gutkin@def.ipme.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
PDF версия
Рассмотрены винтовые супердислокации с полыми ядрами (трубки), формирующиеся в процессе роста полупроводниковых кристаллов типа карбида кремния и нитрида галлия. Впервые получены точные аналитические выражения для полей перемещений, деформаций и напряжений трубки, перпендикулярной плоской свободной поверхности упругоизотропного полупространства. Показано, что строгий учет граничных условий на цилиндрической свободной поверхности трубки существенно влияет на поле напряжений содержащейся в ней дислокации. Область сильного влияния расположена вокруг трубки на расстоянии порядка ее радиуса. В этой области упругие деформации могут достигать величин порядка долей процента. Полученные результаты могут быть использованы при анализе взаимодействий трубок между собой и с другими дефектами, а также для моделирования их поведения в процессе роста кристалла. Работа выполнена при поддержке программы "Физика твердотельных наноструктур" Минпрома России и программы "Интеграция" (грант Б0026).
  1. А. Варма. Рост кристаллов и дислокации. ИЛ, М. (1958). 216 с
  2. J. Newey. Compound Semiconductor, July 2002 (http: /www.compoundsemiconductor.net/magazine/article/8/7/2/1)
  3. W. Qian, M. Skowronski, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. J. Cryst. Growth 151, 396 (1995)
  4. W. Qian, G.S. Rohrer, M. Skowronski, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett. 67, 16, 2284 (1995)
  5. E. Valcheva, T. Paskova, P.O.Angstrem. Persson, B. Monemar. Phys. Stat. Sol. (a) 194, 2, 532 (2002)
  6. Q. Wahab, A. Ellison, C. Hallin, A. Henry, J. Di Persio, R. Martinez, E. Janzen. Mater. Sci. Forum 338--342, 1175 (2000)
  7. I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto, K. Izumi. Jpn. J. Appl. Phys. 40, part 2, L1012 (2001)
  8. N. Ohtani, T. Fujimoto, M. Katsuno, T. Aigo, H. Yashiro. In: Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials (ICSCRM 2001), Tsukuba, Japan (2001). P. 192
  9. L. Scaltrito, F. Giorgis, C.F. Pirri, P. Mandracci, C. Ricciardi, S. Ferrero, C. Sgorlon, G. Richieri, L. Merlin. J. Phys.: Condens. Matter 14, 13 397 (2002)
  10. N. Ohtani, T. Fujimoto, M. Katsuno, T. Aigo, H. Yashiro, J. Cryst. Growth 237--239, 1180 (2002)
  11. C.-Y. Hwang, M.J. Schurman, W.E. Mayo, Y.-C. Lu, R.A. Stall, T. Salagaj. J. Electron. Maters. 26, 3, 243 (1997)
  12. J. Elsner, R. Jones, P.K. Sitch, V.D. Porezag, M. Elstner, Th. Frauenheim, M.I. Heggie, S. Oberg, P.R. Briddon. Phys. Rev. Lett. 79, 19, 3672 (1997)
  13. D. Cherns. J. Phys.: Condens. Matter 12, 49, 10 205 (2000)
  14. Z. Liliental-Weber. J. Electron. Maters. 49, 339 (2000)
  15. D.D. Avrov, A.S. Bakin, S.I. Dorozhkin. In: Inst. Phys. Conf. Ser. N 142. Ch. 1. Paper pres. at the 6th Int. Conf. on Silicon carbide and related materials-1995 (ICSCRM'95). Kyoto, Japan (1995). P. 73
  16. Yu.A. Vodakov, A.D. Roenkov, M.G. Ramm, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 1, 177 (1997)
  17. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, W. Swider, J. Washburn. MRS Proc. 449, 417 (1997)
  18. J. Heindl, H.P. Strunk, V.D. Heydemann, G. Pensl. Phys. Stat. Sol. (a) 162, 1, 251 (1997)
  19. G. Augustine, H.McD. Hobgood, V. Balakrishna, G. Dunne, R.H. Hopkins. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 1, 137 (1997)
  20. X.R. Huang, M. Dudley, W.M. Vetter, W. Huang, S. Wang, C.H. Carter. Appl. Phys. Lett. 74, 3, 353 (1999)
  21. M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett. 75, 6, 784 (1999)
  22. D. Hofmann, M. Bickermann, R. Eckstein, M. Kolbl, St.G. Muller, E. Schmitt, A. Weber, A. Winnacker. J. Cryst. Growth 198--199, 1005 (1999)
  23. Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина. ФТТ 42, 8, 1384 (2000)
  24. B.M. Epelbaum, D. Hofmann, U. Hecht, A. Winnacker. In: 3rd European Conf. on SiC and related mater. (ECSRM). Abstr. KlosterBanz, Germany (2000). P. 49
  25. I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto, K. Izumi. Jpn. J. Appl. Phys. 39, part 1, 12A, 6496 (2000)
  26. T.A. Kuhr, E.K. Sanchez, M. Skowronski, W.M. Vetter, M. Dudley. J. Appl. Phys. 89, 8, 4625 (2001)
  27. N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, T. Aigo, H. Yashiro. J. Cryst. Growth 226, 2/3, 254 (2001)
  28. B.M. Epelbaum, D. Hofmann. J. Cryst. Growth 225, 1, 1 (2001)
  29. T.S. Argunova, M.Yu. Gutkin, J.H. Je, H.S. Kang, Y. Hwu, W.-L. Tsai, G. Margaritondo. J. Mater. Res. 17, 10, 2705 (2002)
  30. M.Yu. Gutkin, A.G. Sheinerman, T.S. Argunova, J.H. Je, H.S. Kang, Y. Hwu, W.-L. Tsai. J. Appl. Phys. 92, 2, 889 (2002)
  31. F.C. Frank. Acta Crystallogr. 4, 497 (1951)
  32. P. Pirouz. Phil. Mag. A78, 3, 727 (1998)
  33. M.Yu. Gutkin, A.G. Sheinerman. Phys. Stat. Sol. (b) 231, 2, 356 (2002)
  34. А.Л. Колесникова, А.Е. Романов. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР N 1019. Л. (1986). 62 с
  35. S.J. Shaibani, P.M. Hazzledine. Phil. Mag. A44, 3, 657 (1981)
  36. T.-W. Chou. J. Appl. Phys. 42, 12, 4931 (1971)
  37. G. Eason, B. Noble, I.N. Sneddon. Phil. Trans. Roy. Soc. London 247, 935, 529 (1955)
  38. В.А. Лихачев, Р.Ю. Хайров. Введение в теорию дисклинаций. Изд-во ЛГУ, Л. (1975). 183 с
  39. W. Si, M. Dudley, R. Glass, V. Tsvetkov, C. Carter, Jr. J. Electron. Maters. 26, 3, 128 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme