Вышедшие номера
Кинетика точечных дефектов и процессы аморфизации в тонких пленках при облучении
Овидько И.А.1, Рейзис А.Б.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ovidko@def.ipme.ru
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Предложена теоретическая модель для описания эволюции ансамбля точечных дефектов (вакансий и межузельных атомов) и ее влияния на процессы твердофазной аморфизации в облучаемых кристаллических тонких пленках. Предлагаются уравнения кинетики точечных дефектов в облучаемых тонких пленках в случае отсутствия ионной имплантации. С помощью численного решения данного кинетического уравнения проведен расчет температурной зависимости "дозы начала аморфизации", которая сравнивается с соответствующими экспериментальными данными. Настоящая работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16853) и программы "Интеграция" (грант Б0026).