Безызлучательная рекомбинация и кинетика оптически ориентированных электронов на интерфейсе GaAs / AlGaAs
Джиоев Р.И.1, Кавокин К.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Показано, что оптическая ориентация электронных спинов в полупроводниках позволяет реализовать чувствительный метод измерения зависимости времени жизни носителей от их концентрации. Эксперименты, проведенные в стационарном режиме при малой интенсивности возбуждения на гетероструктуре GaAs / AlGaAs, позволили исследовать безызлучательную рекомбинацию электронов и дырок, разделенных встроенным в интерфейс электрическим полем.
- H.-J. Drouhin, G. Lampel, Yu.A. Mamaev, A.V. Subashiev, Yu.P. Yashin. Physics and Technology. 7th Int. Symp. Proc. St. Petersburg (1999). P. 291
- Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев. ФТТ 37, 11, 3510 (1995)
- Д.З. Гарбузов, И.А. Меркулов, В.А. Новиков, В.Г. Флейшер. ФТП 10, 5, 934 (1976)
- D. Hagele, M. Oestreich, W.W. Ruhle, N. Nestle, K. Eberl. Appl. Phys. Lett. 73, 11, 1580 (1998)
- G.W.'t Hooft, C. van Opdorp. J. Appl. Phys. 60, 3, 1065 (1986)
- R.N. Hall. Phys. Rev. 87, 387 (1952)
- J.P. Andre, P. Guittard, J. Hallais, C. Piaget. J. Crist. Growth 55, 235 (1981)
- Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, Р.Р. Ичкитидзе, К.В. Кавокин, П.Е. Пак. ФТТ 35, 10, 2821 (1993)
- Р.И. Джиоев, К.В. Кавокин. ФТТ 33, 10, 2928 (1991)
- S.N. Jasperson, S.E. Shnatterly. Rev. Sci. Inst. 40, 761 (1969)
- R.K. Ahrenkiel, B.M. Keyes, D.J. Dunlavy. J. Appl. Phys. 70, 225 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
