Издателям
Вышедшие номера
Безызлучательная рекомбинация и кинетика оптически ориентированных электронов на интерфейсе GaAs / AlGaAs
Джиоев Р.И.1, Кавокин К.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Показано, что оптическая ориентация электронных спинов в полупроводниках позволяет реализовать чувствительный метод измерения зависимости времени жизни носителей от их концентрации. Эксперименты, проведенные в стационарном режиме при малой интенсивности возбуждения на гетероструктуре GaAs / AlGaAs, позволили исследовать безызлучательную рекомбинацию электронов и дырок, разделенных встроенным в интерфейс электрическим полем.
  1. H.-J. Drouhin, G. Lampel, Yu.A. Mamaev, A.V. Subashiev, Yu.P. Yashin. Physics and Technology. 7th Int. Symp. Proc. St. Petersburg (1999). P. 291
  2. Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев. ФТТ 37, 11, 3510 (1995)
  3. Д.З. Гарбузов, И.А. Меркулов, В.А. Новиков, В.Г. Флейшер. ФТП 10, 5, 934 (1976)
  4. D. Hagele, M. Oestreich, W.W. Ruhle, N. Nestle, K. Eberl. Appl. Phys. Lett. 73, 11, 1580 (1998)
  5. G.W.'t Hooft, C. van Opdorp. J. Appl. Phys. 60, 3, 1065 (1986)
  6. R.N. Hall. Phys. Rev. 87, 387 (1952)
  7. J.P. Andre, P. Guittard, J. Hallais, C. Piaget. J. Crist. Growth 55, 235 (1981)
  8. Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, Р.Р. Ичкитидзе, К.В. Кавокин, П.Е. Пак. ФТТ 35, 10, 2821 (1993)
  9. Р.И. Джиоев, К.В. Кавокин. ФТТ 33, 10, 2928 (1991)
  10. S.N. Jasperson, S.E. Shnatterly. Rev. Sci. Inst. 40, 761 (1969)
  11. R.K. Ahrenkiel, B.M. Keyes, D.J. Dunlavy. J. Appl. Phys. 70, 225 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.