Атомная структура и энергия когезии кластеров ZnSe и CdSe
Овсянникова Л.И.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: avilon57@ukr.net
Поступила в редакцию: 29 ноября 2018 г.
В окончательной редакции: 29 ноября 2018 г.
Принята к печати: 5 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
Проведены первопринципные расчеты атомной и электронной структуры фуллереноподобных кластеров ZnnSen и CdnSen для n=12, 36, 48, 60. Впервые построена модель двухслойных фуллереноподобных кластеров (ZnSe)60 и (CdSe)60 со смешанными s-0.8ptp2/sp3-связями. Ab initio расчеты проводились в рамках теории функционала электронной плотности и гибридного функционала B3LYP. Проведена оценка стабильности и ширины энергетической щели кластеров в зависимости от количества атомов в кластере и его геометрии. Показано, что в процессе релаксации двухслойных атомных кластеров (ZnSe)60 и (CdSe)60 со смешанными s-0.8ptp2/s-0.8ptp3-связями размером 1.7-1.8 nm происходит отщепление наружноого слоя.
- I. Tiginyanu, P. Topala, V. Ursaki. Nanostructures and Thin Films for Multifunctional Applications. Springer (2016). 576 с
- A.I. Ekimov, A.A. Onushchenko. JETP Lett. 34, 345 (1981)
- Д.А. Куршанов, В.А. Осипова, И.В. Мартыненко. Оптические свойства квантовых точек CdSe/CdS с различной толщиной оболочки. Сб. тез. докл. конгресса молодых ученых. http://kmu.ifmo.ru/collections\_article/ 5252/opticheskie\_svoystva\_kvantovyh\_tochek\_CdSe/CdS\_s\_ razlichnoy\_tolschinoy\_obolochki.htm
- Р.Б. Васильев, В.С. Виноградов, С.Г. Дорофеев, С.П. Козырев, И.В. Кучеренко, Н.Н. Новикова. ФТТ 49, 523 (2007)
- А.А. Ващенко, А.Г. Витухновский, В.С. Лебедев, А.С. Селюков, Р.Б. Васильев, М.С. Соколикова. Письма в ЖЭТФ 100, 94 (2014)
- Р.Б. Васильев, М.С. Соколикова, А.Г. Витухновский, С.А. Амброзевич, А.С. Селюков, В.С. Лебедев. Квант. электроника 45, 9, 853 (2015)
- Jiwoong Yang, Franziska Muckel, Woonhyuk Baek, Rachel Fainblat, Hogeun Chang,Gerd Bacher, Taeghwan Hyeon. Chemical Synthesis, Doping, and Transformation of Magic-Sized Semiconductor Alloy Nanoclusters. Am. Chem. Soc. (2017). https://www.researchgate.net/publication/316803325
- Biplab Goswami, Sougata Pal, Pranab Sarkar, G. Seifert, M. Springborg. Phys. Rev. B 73, 205312-1 (2006)
- L. Ovsiannikova, V. Kartuzov, I. Shtepliuk, G. Lashkarev. Acta Phys. Polonica A 129, A-41 (2016)
- I. Shtepliuk, V. Khranovskyy, G. Lashkarev, V. Khomyak, V. Lazorenko, A. Ievtushenko, M. Syvajarvi, V. Jokubavicius, R. Yakimova. Solid State Electron. 81, 72 (2013)
- L. Ovsiannikova, M. Dranchuk, G. Lashkarev, V. Kartuzov, M. Godlewski. Superlatt. Microstructur. 107, 1 (2017)
- V.V. Pokropivny, L.I. Ovsyannikova. Phys. Solid State 49, 535 (2007)
- Z. Zhu, A. Chutia, R. Sahnoun, M. Koyama, H. Tsuboi, N. Hatakeyama, A. Endou, H. Takaba, M. Kubo, C.A. Del Carpio, A. Miyamoto. Jpn J. Appl. Phys. 47, 2999 (2008)
- Amit Jain, Vijay Kumar, Yoshiyuki Kawazoe. Comput. Mater. Sci. 36, 258 (2006)
- V.V. Pokropivny, V.V. Skorokhod, G.S. Oleinik, A.V. Kurdyumov, T.S. Bartnitskaya, A.V. Pokropivny, A.G. Sisonyuk, D.V. Sheichenko. J. Solid State Chem. 154, 214 (2000)
- L.I. Ovsyannikova, V.V. Pokropivny, V.L. Bekenev. Phys. Solid State 51, 2199 (2009)
- В.Я. Шевченко, А.Е. Мадисон. Физика и химия стекла 32, 1, 118 (2006)
- А.Н. Еняшин, А.Л. Ивановский. ФТТ 49, 378 (2007)
- S. Huzinaga, J. Andzelm, M. Klobukowski, E. Radzio-Andzelm, Y. Sakai, H. Tatewaki. Gaussian Basis Sets for Molecular Calculations. Elsevier, Amsterdam (1984)
- M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz, S.T. Elbert, M.S. Gordon, J.H. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K.A. Nguyen, S.J. Su, T.L. Windus, M.Dupuis, J.A. Montgomery. J. Comput. Chem. 14, 1347 (1993)
- S. Portmann. Chimia 54, 766 (2000)
- Landolt-Bornstein / Ed. O. Madelung. New Ser. III. 22. Springer, Berlin (1987)
- В.Л. Бекенев, С.М. Зубкова. ФТТ 60, 187 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.