Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Перестройка дефектной структуры тетрабората лития (Li2B4O7) во внешнем электрическом поле
Переводная версия: 10.1134/S1063783419040188 
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: ontonic@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 сентября 2018 г.
В окончательной редакции: 7 ноября 2018 г.
Принята к печати: 7 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
С помощью рентгеновской дифрактометрии изучен процесс перестройки дефектной структуры монокристалла тетрабората лития под воздействием внешнего электрического поля высокой напряженности, приложенного вдоль полярного направления [001]. Измерена кинетика проводимости, которая согласуется с изменениями КДО. При приложении электрического поля напряженностью 300-500 V/mm, происходит резкое уширение кривой дифракционного отражения и рост интегральной интенсивности в несколько раз, но ее положение и форма практически не меняются. При еще более сильных полях, напряженностью от 500 до 1500 V/mm, процесс уширения кривой замедляется, однако наблюдается появление асимметрии формы и резкое смещение пика в область меньших углов, что связано с увеличением параметра решетки вдоль оси c. При этом изменения приобретают квазиобратимый характер, так как искаженная структура частично восстанавливается с очень медленной скоростью (в течение нескольких месяцев). Два типа зависимостей изменения параметров кривой дифракционного отражения от внешнего поля интерпретируются, как проявление двух механизмов ионной проводимости: за счет мобильных ионов лития (Li+) при малых полях и вакансий кислорода (VO2+) при более высоких полях. Процесс миграции носителей зарядов приводит к увеличению концентрации дефектов и структурным изменениям в приповерхностной области кристалла. Полученные результаты имеют практическое значение с точки зрения управляемого изменения дефектной структуры в кристаллах с ионной проводимостью. Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН в части "выращивания, подготовки кристаллов и моделирования кривых дифракционного отражения" и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 16-29-14057 офи_м) в части "проведения исследований в условиях воздействия электрического поля".
- J.D. Garrett, M. Natarajan-Iyer, J.E. Greedan. J. Cryst. Growth 41, 225 (1977)
- D. Robertson, I. Young. J. Mater. Sci. 17, 1729 (1982)
- R. Mohandoss, S. Dhanuskodi, B. Renganathan, D. Sastikumar. Current Appl. Phys. 13, 957 (2013)
- I. Ketsman, D. Wooten, J. Xiao, Ya.B. Losovyj, Ya.V. Burak, V.T. Adamiv, A. Sokolov, J. Petrosky, J. McClory, P.A. Dowben. Phys. Lett. A 374, 891 (2010)
- J.H. Schulman, R.D. Kirk, E.J. West. In: Proceedings of International Conference on Luminescence Dosimetry. Stanford University, Stanford, California (1965). 113--118 (1967)
- S. Furusawa, O. Chikagawa, S. Tange, T. Ishidate, H. Orihara, Y. Ishibashi, K. Miwa. J. Phys. Soc. Jpn. 60, 2691 (1991)
- R. Komatsu, T. Sugawara, K. Sassa, N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, Y. Segawa, S. Uda, T. Fukuda, K. Yamanouchi. Appl. Phys. Lett. 70, 3492 (1997)
- A.S. Bhalla, L.E. Cross, R.W. Whatmore. Jpn. J. Appl. Phys. 24, 727 (1985)
- R.W. Whatmore, N.M. Shorrocks, C. O'Hara, F.W. Ainger, I.W. Young. Electron. Lett. 17, 11 (1981)
- C.В. Радаев, Л.А. Мурадян, Л.Ф. Малахова, Я.В. Бурак, В.И. Симонов. Кристаллография 34, 6, 1400 (1989)
- А.Э. Алиев, Я.В. Бурак, И.Т. Лысейко. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 26, 1991 (1990)
- И.М. Ризак, В.М. Ризак, Н.Д. Байса, В.С. Биланич, М.В. Богуславский, С.Ю. Стефанович, В.М. Головей. Кристаллография 48, 4, 727 (2003)
- C.S. Kim, D.J. Kim, Y.H. Hwang, H.K. Kim, J.N. Kim. J. Appl. Phys. 92, 4644 (2002)
- C.S. Kim, Y.H. Hwang, H.K. Kim, J.N. Kim. Phys. Chem. Glass. 44, 166 (2003)
- M.M. Islam, T. Bredow, C. Minot. J. Phys. Chem. B 110, 17518 (2006)
- S. Furusawa, S. Tange, Y. Ishibashi, K. Miwa. J. Phys. Soc. Jpn. 59, 7, 2532 (1990)
- М.В. Ковальчук, А.Е. Благов, А.Г. Куликов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский. Кристаллография 59, 6, 862 (2014)
- А.Г. Куликов, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.В. Виноградов, Ю.В. Писаревский, М.В. Ковальчук. Письма в ЖЭТФ 107, 10, 679 (2018)
- J. Hanzig, M. Zschornak, F. Hanzig, E. Mehner, H. Stocker. Phys. Rev. B 88, 024104 (2013)
- А.Е. Благов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский, П.А. Просеков, М.В. Ковальчук. Кристаллография 58, 1, 28 (2013)
- A.E. Blagov, A.G. Kulikov, N.V. Marchenkov, Y.V. Pisarevsky, M.V. Kovalchuk. Exp. Tech. 41, 517 (2017)
- А.Е. Благов, Ю.В. Писаревский, А.В. Таргонский, Я.А. Элиович, М.В. Ковальчук. ФТТ 59, 5, 947 (2017)
- Н.В. Марченков, Ф.Н. Чуховский, А.Е. Благов. Кристаллография 60, 2, 194 (2015)
- И.И. Аткнин, Н.В. Марченков, Ф.Н. Чуховский, А.Е. Благов, М.В. Ковальчук. Кристаллография 63, 4, 513 (2018)
- В.В. Зарецкий, Я.В. Бурак. Письма в ЖЭТФ 49, 4, 198 (1989)
- В.Н. Анисимова, А.П. Леванюк, Е.Д. Якушин. ФТТ 32, 7, 2154 (1990)
- И.М. Сильвестрова, П.А. Сенющенков, В.А. Ломонов, Ю.В. Писаревский. ФТТ 31, 10, 311 (1989)
- Е.М. Зуб. ФТТ 39, 8, 1461 (1997)
- N. Sennovaa, R.S. Bubnovac, G. Cordiera, B. Alberta, S.K. Filatovb, L. Isaenkod. Z. Anorg. Allg. Chem. 634, 2601 (2008)
- I.N. Ogorodnikov, N.E. Poryvay, V.A. Pustovarov. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 15, 1, 012016 (2010).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
