Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2018, выпуск 12 » Статья стр. 2450
<<<>>>
Экситоны в квантовых ямах на основе ZnO
DOI: 10.21883/FTT.2018.12.47356.143
Переводная версия: 10.1134/S1063783418120077
Батаев М.Н.1, Философов Н.Г.1, Серов А.Ю.1, Агекян В.Ф.1, Mohrain C.2, Кочерешко В.П.1,3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications-CNRS, Rue Bernard Gregory, Valbonne, France
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
PDF версия
Детально исследованы спектры отражения и фотолюминесценции структур ZnO/Zn0.78Mg0.22O с квантовыми ямами ZnO и толстыми слоями ZnO и Zn0.78Mg0.22O в зависимости от температуры, интенсивности и длины волны возбуждения. Идентифицированы все наблюдаемые в спектрах линии, установлено, что встроенное электрическое поле не оказывает такого сильного влияния на спектр, как это предполагалось. По-видимому, встроенное поле эффективно экранируется носителями, перешедшими в зоны с уровней доноров и акцепторов. Проведена оценка параметров, определяющих свойства экситона в оксиде цинка. Работа частично поддержана грантом СПбГУ N 11.37.210.2016.
  1. D.G. Thomas. J. Phys. Chem. Solids 15, 86 (1960); J.J. Hopfield. J. Phys. Chem. Solids 15, 97 (1960)
  2. M.R. Wagner Fundamental properties of excitons and phonons in ZnO: A spectroscopic study of the dynamics, polarity, and effects of external fields. Doctor der Naturwissenschaft, Berlin (2010)
  3. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во СПбГУ (2003)
  4. Е.Л. Ивченко, П.С. Копьев, В.П. Кочерешко, И.Н. Уральцев, Д.Р. Яковлев, С.В. Иванов. ФТП 22, 5, 784 (1988)
  5. C. Mohrain, T. Bretagnon, P. Lefebre, X. Tang, P. Valvin, T. Guillet, D. Gil, T. Taliercio, M. Teisseire-Doninelli, B. Vinter, C. Deparis. Phys. Rev. B 71, 241305(R) (2005)
  6. Д.А. Андроников. Спектры отражения эпитаксиальных слоев GaN. Бакалаврская работа. СПГУ (2002)
  7. E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures. Alpha Science Int., Harrow, UK (2005)
  8. E.L. Ivchenko, V.P. Kochereshko, P.S. Kopev, V.A. Kosobukin, I.N. Uraltsev, D.R. Yakovlev. Solid State Commun. 70, 5, 529 (1989)
  9. Landolt Bornstein database. Springer (2000)
  10. B.A. Киселев, Б.С. Разбирин, И.Н. Уральцевю. Письма в ЖЭТФ 18, 8, 504 (1973)
  11. V.V. Kolosov. J. Phys. B. 20, 2359 (1987)
  12. C.F. Klingshirn. Semiconductor Optics. Springer (1997)
  13. G.V. Astakhov, D.R. Yakovlev, V.P. Kochereshko, W. Ossau, W. Faschinger, J. Puls, F. Henneberger, S.A. Crooker, Q. McCulloch, D. Wolverson, N.A. Gippius, A. Waag. Phys. Rev. B 65, 16335 (2002)
  14. G.V. Astakhov, D.R. Yakovlev, V.P. Kochereshko, W. Ossau, J. Nurnberger, W. Faschinger, G. Landwehr. Phys. Rev. B 60, R8485 (1999)
  15. F. Bassani, S. Tatarenko, K. Saminadayar, N. Magnea, R.T. Cox, A. Tardot, C. Grattepain. J. Appl. Phys. 72, 2927 (1992)
  16. V.P. Kochereshko, G.V. Astakhov, D.R. Yakovlev, W. Ossau, G. Landwehr, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut. Phys. Status Solidi B 201, 345 (2000)
  17. E. Gross, S. Permogorov, V. Travnikov, A. Selkin. Solid State Commun. 10, 11, 1071 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme