Вышедшие номера
Процессы поляризации кристаллов ниобата бария-стронция в импульсных полях
Волк Т.Р.1, Исаков Д.В.1, Ивлева Л.И.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Процессы поляризации (переполяризации) кристаллов SBN в импульсных полях отличаются от тех же процессов в модельных сегнетоэлектриках. В большинстве кристаллов SBN процесс характеризуется медленной кинетикой, аппроксимируемой степенной зависимостью, с временами релаксации порядка секунд (в полях >> Ec). Плавность процесса приводит к отсутствию на кривой тока переключения характерного максимума. В ограниченном числе кристаллов наблюдаются быстрые (скачкообразные) процессы поляризации, характеристики которых (кинетика и полевая зависимость переключенного заряда) также отличаются от модельных. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-02-16624) и фонда INTAS (проект N 01-0173).
  1. F. Micheron, G. Bismuth. Appl. Phys. Lett. 23, 71 (1973)
  2. Y. Qiao, S. Orlov, D. Psaltis, R.R. Neurgaonkar. Optics Letters 18, 12, 1004 (1993)
  3. J. Ma, T.Y. Chang, J.H. Hong, R.R. Neurgaonkar. Phys. Rev. Lett 78, 15, 2960 (1997)
  4. M. Hisaka, H. Ishitobi, S. Kawata. JOSA B 17, 3, 422 (2000)
  5. F. Kahmann, R. Pankrath, R.A. Rupp. Optics Communications 107, 6 (1994)
  6. A.S. Kewitsch, M. Segev, A. Yariv, G.J. Salamo, T.W. Towe, E.J. Sharp, R.R. Neurgaonkar. Appl. Phys. Lett. 64, 23, 3068 (1994)
  7. A.S. Kewitsch, M. Segev, A. Yariv, G.J. Salamo, T.W. Towe, E.J. Sharp, R.R. Neurgaonkar. Appl. Phys. Lett. 73, 8, 1174 (1994)
  8. M. Horowitz, A. Bekker, B. Fischer. Appl. Phys. Lett. 62, 21, 2919 (1993)
  9. A. Bekker, B. Fischer. Appl. Phys. Lett. 64, 14, 1756 (1994)
  10. А.А. Каминский, Х. Гарсия-Золе, С.Н. Багаев, Д. Хаке, Х. Капмани. Квантовая электроника 25, 1059 (1998)
  11. J. Romero, D. Jaque, J. Garcia-Sole, A.A. Kaminskii. Appl. Phys. Lett. 78, 14, 1961 (2002)
  12. Y.Y. Zhu, J.S. Fu, R.F. Xiao, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett. 70, 14 (1993)
  13. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. Письма в ЖЭТФ 71, 38 (2000)
  14. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. ЖЭТФ 93, 3 596 (2001)
  15. Н.Р. Иванов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева, С.П. Чумакова, А.В. Гинзберг. Кристаллография 47, 6, 1065 (2002)
  16. Т.Р. Волк, В.Ю. Салобутин, Л.И. Ивлева, Н.М. Полозков, Р. Панкрат, М. Вёлеке. ФТТ 42, 2066 (2000)
  17. L.I. Ivleva, N.V. Bogodaev, N.M. Polozkov, V.V. Osiko. Optical materials 4, 168 (1995)
  18. T. Volk, Th. Woike, U. Doerfler, R. Pankrath, L. Ivleva, M. Woehlecke. Ferroelectrics 203, 457 (1997)
  19. T. Volk, L. Ivleva, P. Lykov, D. Isakov, V. Osiko, M. Woehlecke. Appl. Phys. Lett. 79, 6, 854 (2001)
  20. L.E. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1987)
  21. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с
  22. S.C. Abrahams, S.K. Kurtz, P.B. Jamieson. Phys. Rev. 172, 555 (1968)
  23. T. Granzov, U. Doerfler, Th. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleemann. Phys. Rev. B 63, 174 101 (2001)
  24. R.L. Byer. J. Nonlinear. Optical Physics and Materials 6, 549 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.