Вышедшие номера
К теории электронных состояний эпитаксиального бислоя графена
Переводная версия: 10.1134/S1063783419030028
Абдуллаев Г.О.1, Алисултанов З.З.1,2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Email: zaur0102@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Исследован энергетический спектр эпитаксиального бислоя графена. Рассмотрен наиболее общий случай произвольного нарушения P-симметрии внутри слоев и между слоями. Исследовано влияние напряжения на затворе на энергетический спектр. Показано, что картина такого влияния существенно зависит от соотношения между запрещенными зонами, соответствующими различным слоям. При некотором значении кулоновского потенциала, вызванного переходом заряда из подложки происходит схлопывание запрещенной зоны. Эти исследования проведены для двух типов упаковок слоев в бислое: AB и AA. Работа поддержана грантами: РФФИ 18-02-01022a, РФФИ 18-32-00205 мол_а, грант Президента РФ (MK-2130.2017.2).