Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063783419030181 
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
Ab initio методами изучен механизм перемещения одного плотноупакованного слоя SiC из одного положения минимума в другое на примере политипного перехода SiC 2H->4H. Показано, что промежуточное состояние с моноклинной симметрией Cm сильно облегчает такое перемещение, разбивая его на две стадии. Вначале перемещается в основном атом Si, лишь затем в основном атом C. При этом связь Si-C заметно наклоняется по сравнению с исходным положением, что позволяет уменьшить сжатие связей SiC в плоскости (1120). Рассчитаны два переходных состояния этого процесса, они также обладают симметрией Cm. Найдено, что высота активационного барьера процесса перемещения плотноупакованного слоя SiC из одного положения в другое равна 1.8 eV. Рассчитан энергетический профиль данного перемещения. Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант N 14-12-01102). Работа выполнена при использовании оборудования Уникального стенда (УНО) Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУП ИПМаш РАН.
- S. Wipperman, Y. He, M. Voros, G. Galli. Appl. Phys. Rev. 3, 040807 (2016)
- Е.А. Беленков, В.А. Грешняков. ФТТ 55, 1640 (2013)
- M.T. Sebastian, P. Krishna. Random, non-random and periodic faulting in crystals. Routledge. Taylor \& Francis Group, London-N. Y. (2014). 383 p
- J. Fan, P.K. Chu. Silicon Carbide Nanostructures. Fabrication, Structure, and Properties. Springer, Cham (2014). 330 p
- R.A. Minamisawa, A. Mihaila, I. Farkas, V.S. Teodorescu, V.V. Afanas'ev, C.-W. Hsu, E. Janzen, M. Rahimo. Appl. Phys. Lett. 108 143502 (2016)
- T. Tagai, S. Sueno, R. Sadanaga. Mineral. J. 6, 340 (1971)
- J.A. Powell, H.A. Will. J. Appl. Phys. 43, 1400 (1972)
- N.W. Jepps, T.F. Page. Prog. Cryst. Growth Charact. 7, 259 (1983)
- А.А. Лебедев, С.Ю. Давыдов, Л.М. Сорокин, Л.В. Шахов. Письма в ЖТФ 41, 23, 89 (2015)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП 41, 641 (2007)
- D. Pandey, S. Lele, P. Krishna. Proc. R. Soc. Lond. A 369, 463 (1980)
- G. Henkelman, B.P. Uberuaga, H. Jonsson. J. Chem. Phys. 113, 9901 (2000)
- K.J. Caspersen, E.A. Carter. PNAS 102, 6738 (2005)
- A.V. Osipov. J. Phys. D 28 1670 (1995)
- A.V. Osipov. Thin Solid Films 261, 173 (1995)
- J.G. Lee. Computational Materials Science. An introduction. CRS Press, Taylor \& Francis Group, Roca Baton (2017). 351 p
- D.S. Sholl, J.A. Steckel. Density functional theory. A practical introduction. J. Wiley \& Sons, Hoboken (2009). 238 p
- P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini et al. J. Phys.: Condens. Mater. 21, 395502 (2009)
- J.P. Perdew, A. Ruzsinszky, G.I. Csonka, O.A. Vydrov, G.E. Scuseria, L.A. Constantin, X. Zhou, K. Burke. Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008)
- P. Atkins, J. de Paula. Atkins' Physical Chemistry. Univ. Press, Oxford (2006). 1067 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
