Издателям
Вышедшие номера
Компьютерное моделирование структуры и механических свойств слоев силицена на графите при движении иона лития
Переводная версия: 10.1134/S1063783419020136
Галашев А.Е.1, Иваничкина К.А.1
1Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: galashev@ihte.uran.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Методом молекулярной динамики исследованы структурные и механические эффекты, появляющиеся при движении иона лития в постоянном электрическом поле по плоскому каналу, образованному совершенными листами силицена и листами, содержащими дефекты вакансионного типа. Моно-, би-, три- и гексавакансии достаточно плотно и равномерно заполняли листы силицена, размещенные один над другим на графитовой подложке. Определены времена прохождения ионом Li+ силиценовых каналов, имеющих различные зазоры. Построение многогранников Вороного и усеченных многогранников, центры которых совпадают с положением движущегося иона, позволило выявить структурные особенности, присущие двумерной слоистой структуре. Установлен характер появляющихся в листах силицена напряжений, наиболее критичных к перемещению иона по каналу.
  1. Y.G. Guo, J.S. Hu, L.J. Wan. Adv. Mater. 20, 2878 (2008)
  2. L. Ji, L. Zhan, M. Alcoutlabi, X. Zhang. Energy Environ. Sci. 4, 2682 (2011)
  3. W. Xu, J. Wang, F. Ding, X. Chen, E. Nasybulin, Y. Zhang, J.G. Zhang. Energy Environ. Sci. 7, 513 (2014)
  4. Y. Xie, Y. Dall'Agnese, M. Naguib, Y. Gogotsi, M.W. Barsoum, H.L. Zhuang, P.R. Kent. ACS Nano 8, 9606 (2014)
  5. W. Li, Y. Yang, G. Zhang, Y.W. Zhang. Nano Lett. 15, 1691 (2015)
  6. H.R. Jiang, Z. Lu, M.C. Wu, F. Ciucci, T.S. Zhao. Nano Energy 23, 97 (2016)
  7. D. Tsoutsou, E. Xenogiannopoulou, E. Golias, P. Tsipas, A. Dimoulas. Appl. Phys. Lett. 103, 231604 (2013)
  8. L. Meng, Y. Wang, L. Zhang, S. Du, R. Wu, L. Li, Y. Zhang, G. Li, H. Zhou, W.A. Hofer, H.J. Gao. Nano Lett. 13, 685 (2013)
  9. C.L. Lin, R. Arafune, K. Kawahara, M. Kanno, N. Tsukahara, E. Minamitani, Y. Kim, M. Kawai, N. Takagi. Phys. Rev. Lett. 110, 076801 (2013)
  10. S. Cahangirov, M. Audiffred, P. Tang, A. Iacomino, W. Duan, G. Merino, A. Rubio. Phys. Rev. B 88, 035432 (2013)
  11. S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Akturk, H. Sahin, S. Ciraci. Phys. Rev. Lett. 102, 236804 (2009)
  12. Y. Cai, C.P. Chuu, C.M. Wei, M.Y. Chou. Phys. Rev. B 88, 245408 (2013)
  13. А.Е. Галашев, К.А. Иваничкина. ЖФХ. 91, 12, 125 (2017)
  14. M. Houssa, A. Molle. J. Phys.: Condens. Matter 27, 253002 (2015)
  15. А.Е. Галашев, К.А. Иваничкина, А.С. Воробьев, О.Р. Рахманова. ФТТ 59, 1218 (2017)
  16. S. Plimpton.  J. Comp. Phys. 117, 1 (1995)
  17. J. Tersoff. Phys. Rev. B 38, 9902 (1988)
  18. J. Tersoff. Phys. Rev. B 39, 5566 (1989)
  19. F. Benkabou, M. Certier, H. Aourag. Mol. Sim. 29, 201 (2003)
  20. R. Yu, P. Zhai, G. Li, L. Liu. J. Electron. Mater. 41, 1465 (2012)
  21. S.K. Das, D. Roy, S. Sengupta. J. Phys. F 7, 5 (1977)
  22. T.-E. Fang, J.-H. Wu. Comp. Mater. Sci. 43, 785 (2008)
  23. B. Feng, Z. Ding, S. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, K. Wu. Nano Lett. 12, 3507 (2012)
  24. D. Chiappe, C. Grazianetti, G. Tallarida, M. Fanciulli, A. Molle. Adv. Mater. 24, 5088 (2012)
  25. M. Neek-Amal,  A. Sadeghi, G.R. Berdiyorov, F.M. Peeters. Appl. Phys. Lett. 103, 261904 (2013)
  26. A.Y. Galashev. Comp. Mater. Sci. 98, 123 (2015)
  27. В.П. Скрипов, А.Е. Галашев. Успехи химии 52, 177 (1983)
  28. R. Roman, S.W. Cranford. Comp. Mater. Sci. 82, 50 (2014)
  29. А.Е. Галашев, Ю.П. Зайков. ЖФХ 89, 12, 1899 (2015)
  30. А.Е. Галашев, Ю.П. Зайков, Р.Г. Владыкин. Электрохимия 52, 1085 (2016)
  31. A.Y. Galashev, K.A. Ivanichkina. Phys. Lett. A 381, 3079 (2017)
  32. А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова, Ю.П. Зайков. ФТТ 58, 1786 (2016)
  33. A.Y. Galashev. J. Chem. Phys. 139, 124303 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.