Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Компьютерное моделирование структуры и механических свойств слоев силицена на графите при движении иона лития
Переводная версия: 10.1134/S1063783419020136 
1Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
Email: galashev@ihte.uran.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Методом молекулярной динамики исследованы структурные и механические эффекты, появляющиеся при движении иона лития в постоянном электрическом поле по плоскому каналу, образованному совершенными листами силицена и листами, содержащими дефекты вакансионного типа. Моно-, би-, три- и гексавакансии достаточно плотно и равномерно заполняли листы силицена, размещенные один над другим на графитовой подложке. Определены времена прохождения ионом Li+ силиценовых каналов, имеющих различные зазоры. Построение многогранников Вороного и усеченных многогранников, центры которых совпадают с положением движущегося иона, позволило выявить структурные особенности, присущие двумерной слоистой структуре. Установлен характер появляющихся в листах силицена напряжений, наиболее критичных к перемещению иона по каналу.
- Y.G. Guo, J.S. Hu, L.J. Wan. Adv. Mater. 20, 2878 (2008)
- L. Ji, L. Zhan, M. Alcoutlabi, X. Zhang. Energy Environ. Sci. 4, 2682 (2011)
- W. Xu, J. Wang, F. Ding, X. Chen, E. Nasybulin, Y. Zhang, J.G. Zhang. Energy Environ. Sci. 7, 513 (2014)
- Y. Xie, Y. Dall'Agnese, M. Naguib, Y. Gogotsi, M.W. Barsoum, H.L. Zhuang, P.R. Kent. ACS Nano 8, 9606 (2014)
- W. Li, Y. Yang, G. Zhang, Y.W. Zhang. Nano Lett. 15, 1691 (2015)
- H.R. Jiang, Z. Lu, M.C. Wu, F. Ciucci, T.S. Zhao. Nano Energy 23, 97 (2016)
- D. Tsoutsou, E. Xenogiannopoulou, E. Golias, P. Tsipas, A. Dimoulas. Appl. Phys. Lett. 103, 231604 (2013)
- L. Meng, Y. Wang, L. Zhang, S. Du, R. Wu, L. Li, Y. Zhang, G. Li, H. Zhou, W.A. Hofer, H.J. Gao. Nano Lett. 13, 685 (2013)
- C.L. Lin, R. Arafune, K. Kawahara, M. Kanno, N. Tsukahara, E. Minamitani, Y. Kim, M. Kawai, N. Takagi. Phys. Rev. Lett. 110, 076801 (2013)
- S. Cahangirov, M. Audiffred, P. Tang, A. Iacomino, W. Duan, G. Merino, A. Rubio. Phys. Rev. B 88, 035432 (2013)
- S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Akturk, H. Sahin, S. Ciraci. Phys. Rev. Lett. 102, 236804 (2009)
- Y. Cai, C.P. Chuu, C.M. Wei, M.Y. Chou. Phys. Rev. B 88, 245408 (2013)
- А.Е. Галашев, К.А. Иваничкина. ЖФХ. 91, 12, 125 (2017)
- M. Houssa, A. Molle. J. Phys.: Condens. Matter 27, 253002 (2015)
- А.Е. Галашев, К.А. Иваничкина, А.С. Воробьев, О.Р. Рахманова. ФТТ 59, 1218 (2017)
- S. Plimpton. J. Comp. Phys. 117, 1 (1995)
- J. Tersoff. Phys. Rev. B 38, 9902 (1988)
- J. Tersoff. Phys. Rev. B 39, 5566 (1989)
- F. Benkabou, M. Certier, H. Aourag. Mol. Sim. 29, 201 (2003)
- R. Yu, P. Zhai, G. Li, L. Liu. J. Electron. Mater. 41, 1465 (2012)
- S.K. Das, D. Roy, S. Sengupta. J. Phys. F 7, 5 (1977)
- T.-E. Fang, J.-H. Wu. Comp. Mater. Sci. 43, 785 (2008)
- B. Feng, Z. Ding, S. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, K. Wu. Nano Lett. 12, 3507 (2012)
- D. Chiappe, C. Grazianetti, G. Tallarida, M. Fanciulli, A. Molle. Adv. Mater. 24, 5088 (2012)
- M. Neek-Amal, A. Sadeghi, G.R. Berdiyorov, F.M. Peeters. Appl. Phys. Lett. 103, 261904 (2013)
- A.Y. Galashev. Comp. Mater. Sci. 98, 123 (2015)
- В.П. Скрипов, А.Е. Галашев. Успехи химии 52, 177 (1983)
- R. Roman, S.W. Cranford. Comp. Mater. Sci. 82, 50 (2014)
- А.Е. Галашев, Ю.П. Зайков. ЖФХ 89, 12, 1899 (2015)
- А.Е. Галашев, Ю.П. Зайков, Р.Г. Владыкин. Электрохимия 52, 1085 (2016)
- A.Y. Galashev, K.A. Ivanichkina. Phys. Lett. A 381, 3079 (2017)
- А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова, Ю.П. Зайков. ФТТ 58, 1786 (2016)
- A.Y. Galashev. J. Chem. Phys. 139, 124303 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
